標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 14139-2009 硅外延片》相比于《GB/T 14139-1993 硅外延片》，主要在以下幾個方面進(jìn)行了更新與調(diào)整：

  1. 技術(shù)指標(biāo)的提升：2009版標(biāo)準(zhǔn)對硅外延片的電學(xué)性能、表面質(zhì)量、厚度均勻性以及微缺陷控制等方面提出了更嚴(yán)格的要求，反映了隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，對外延片性能要求的提高。

  2. 檢測方法的改進(jìn)：新標(biāo)準(zhǔn)引入了更先進(jìn)的檢測技術(shù)和方法，如使用高精度儀器進(jìn)行厚度測量、光散射技術(shù)評估表面質(zhì)量和晶體缺陷等，以確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。

  3. 分類和命名規(guī)則的優(yōu)化：2009版標(biāo)準(zhǔn)對硅外延片的分類體系進(jìn)行了細(xì)化，根據(jù)不同的應(yīng)用需求，對外延片進(jìn)行了更明確的分類，并規(guī)范了命名規(guī)則，便于生產(chǎn)和使用中的識別與交流。

  4. 增加了環(huán)保和安全要求：考慮到環(huán)境保護和生產(chǎn)安全的重要性，新標(biāo)準(zhǔn)加入了對外延片生產(chǎn)過程中材料選擇、廢棄物處理及操作安全的相關(guān)規(guī)定，體現(xiàn)了標(biāo)準(zhǔn)制定中對可持續(xù)發(fā)展的關(guān)注。

  5. 標(biāo)準(zhǔn)適用范圍的擴展：相較于1993版，2009版標(biāo)準(zhǔn)擴大了適用的硅外延片類型和尺寸范圍，以適應(yīng)半導(dǎo)體器件多樣化和集成度不斷提高的需求。

  6. 術(shù)語和定義的更新：為了與國際標(biāo)準(zhǔn)接軌并反映技術(shù)進(jìn)步，新標(biāo)準(zhǔn)對一些專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了修訂或新增，提高了標(biāo)準(zhǔn)的國際化水平和可操作性。


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  • 被代替
  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 14139-2019
  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-06-01 實施
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文檔簡介

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１４１３９—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１４１３９—１９９３

硅外延片

犛犻犾犻犮狅狀犲狆犻狋犪狓犻犪犾狑犪犳犲狉狊

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

犌犅／犜１４１３９—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ１４１３９—１９９３《硅外延片》。

本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比，主要有如下變動：

———刪除了引用標(biāo)準(zhǔn)ＹＳ／Ｔ２３《硅外延層厚度測定堆垛層錯尺寸法》和ＹＳ／Ｔ２８《硅片包裝》；

———增加了引用標(biāo)準(zhǔn)ＧＢ／Ｔ１４１４１《硅外延層、擴展層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針

法》和ＧＢ／Ｔ１４８４７《重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法》；

———修改了產(chǎn)品規(guī)格規(guī)范，去除原標(biāo)準(zhǔn)中５０．８ｍｍ、８０ｍｍ、９０ｍｍ三個規(guī)格，增加了直徑尺寸

１２５ｍｍ和１５０ｍｍ；

———在產(chǎn)品牌號中增加襯底摻雜內(nèi)容；

———襯底摻雜元素中增加襯底摻雜元素磷（Ｐ）；

———對外延層中心電阻率、徑向電阻率和外延層厚度進(jìn)行了修訂，對其允許偏差進(jìn)行加嚴(yán)；

———修改了外延層厚度測量方法，對外延片表面缺陷檢測方法進(jìn)行加嚴(yán)；

———修改了合格質(zhì)量水平（ＡＱＬ）規(guī)定，增加了表面質(zhì)量、位錯等檢驗項目合格質(zhì)量水平規(guī)定。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：寧波立立電子股份有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：許峰、劉培東、李慎重、諶攀。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１４１３９—１９９３。

Ⅰ

書

犌犅／犜１４１３９—２００９

硅外延片

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅外延片的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗方法和檢驗規(guī)則及標(biāo)志、包裝運輸、貯存等。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于在Ｎ型硅拋光片襯底上生長的ｎ型外延層（Ｎ／Ｎ＋）和在ｐ型硅拋光片襯底上生長的

Ｐ型外延層（Ｐ／Ｐ＋）的同質(zhì)硅外延片。產(chǎn)品主要用于制作硅半導(dǎo)體器件。其他類型的硅外延片可參照

使用。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計數(shù)抽樣檢驗程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗抽樣計劃

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ６６１７硅片電阻率測定擴展電阻探針法

ＧＢ／Ｔ６６２４硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

ＧＢ／Ｔ１２９６２硅單晶

ＧＢ／Ｔ１２９６４硅單晶拋光片

ＧＢ／Ｔ１３３８９摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜濃度換算規(guī)程

ＧＢ／Ｔ１４１４１硅外延層、擴展層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法

ＧＢ／Ｔ１４１４２硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法

ＧＢ／Ｔ１４１４５硅外延層堆垛層錯密度測定干涉相襯顯微鏡法

ＧＢ／Ｔ１４１４６硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法

ＧＢ／Ｔ１４２４６半導(dǎo)體材料術(shù)語

ＧＢ／Ｔ１４８４７重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

ＹＳ／Ｔ２４外延釘缺陷的檢驗方法

３技術(shù)要求

３．１產(chǎn)品分類

３．１．１導(dǎo)電類型

產(chǎn)品按導(dǎo)電類型分為

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