標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 14139-2019 硅外延片》相比于《GB/T 14139-2009 硅外延片》，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新與調(diào)整：

  1. 技術(shù)指標(biāo)的優(yōu)化：新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)硅外延片的幾何尺寸、表面質(zhì)量、微觀結(jié)構(gòu)、電學(xué)性能等方面的技術(shù)要求進(jìn)行了修訂，以適應(yīng)近年來半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步對(duì)硅外延片更高品質(zhì)的需求。例如，可能對(duì)厚度均勻性、缺陷密度、電阻率范圍等參數(shù)提出了更嚴(yán)格或更明確的規(guī)定。

  2. 檢測(cè)方法的改進(jìn)：為了提高檢測(cè)精度和效率，2019版標(biāo)準(zhǔn)引入了新的檢測(cè)技術(shù)和方法，或?qū)υ袡z測(cè)方法進(jìn)行了細(xì)化和優(yōu)化。這包括但不限于對(duì)外延層厚度、摻雜濃度、晶體缺陷的分析技術(shù)的更新，確保測(cè)試結(jié)果更加準(zhǔn)確可靠。

  3. 分類與分級(jí)：新標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)硅外延片進(jìn)行了更細(xì)致的分類和分級(jí)，以滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求。這可能涉及到根據(jù)用途（如集成電路、功率器件等）對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行細(xì)分，并設(shè)定相應(yīng)的質(zhì)量等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。

  4. 環(huán)保與安全要求：隨著全球?qū)Νh(huán)境保護(hù)和生產(chǎn)安全的重視增加，2019版標(biāo)準(zhǔn)可能加入了關(guān)于生產(chǎn)過程中環(huán)保材料使用、有害物質(zhì)控制以及安全生產(chǎn)的相關(guān)規(guī)定，確保產(chǎn)品從生產(chǎn)到應(yīng)用的全鏈條符合當(dāng)前的環(huán)保與安全標(biāo)準(zhǔn)。

  5. 術(shù)語(yǔ)和定義的更新：為與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)接軌并反映技術(shù)發(fā)展，新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)部分專業(yè)術(shù)語(yǔ)和定義進(jìn)行了修訂或新增，以增強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)的準(zhǔn)確性和通用性。

  6. 標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍：雖然核心內(nèi)容仍然是硅外延片的質(zhì)量要求，但2019版標(biāo)準(zhǔn)可能根據(jù)市場(chǎng)和技術(shù)發(fā)展的實(shí)際情況，調(diào)整了標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍，明確了標(biāo)準(zhǔn)不適用的情況或特別說明了某些新型硅外延技術(shù)的要求。

這些變化旨在提升硅外延片產(chǎn)品的整體質(zhì)量水平，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新，同時(shí)增強(qiáng)中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的一致性和互認(rèn)性，推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的健康發(fā)展。


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....

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  • 2019-06-04 頒布
  • 2020-05-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T14139—2019

代替

GB/T14139—2009

硅外延片

Siliconepitaxialwafers

2019-06-04發(fā)布2020-05-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T14139—2019

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅外延片本標(biāo)準(zhǔn)與相比除編輯性修改外

GB/T14139—2009《》。GB/T14139—2009,

主要技術(shù)變化如下

:

修改了適用范圍將本標(biāo)準(zhǔn)適用于在型硅拋光片襯底上生長(zhǎng)的型外延層+和在

———,“Nn(N/N)p

型硅拋光片襯底上生長(zhǎng)的型外延層+的同質(zhì)硅外延片產(chǎn)品主要用于制作硅半導(dǎo)體

P(P/P)。

器件其他類型的硅外延片可參照適用改為本標(biāo)準(zhǔn)適用于在直徑不大于的型

。?！薄?50mmN

和型硅拋光片襯底上生長(zhǎng)的硅外延片見第章年版的第章

P”(1,20091)。

規(guī)范性引用文件中刪除了增加了

———GB/T12962、GB/T14145、YS/T24,GB/T1550、

見第章

GB/T1555、GB/T14844、GB/T19921、GB/T24578、YS/T28、SEMIM85(2,2009

年版的第章

2)。

增加了術(shù)語(yǔ)和定義見第章

———“”(3)。

將產(chǎn)品的牌號(hào)和分類單列一章并修訂了牌號(hào)表示方法和外延層的晶向見第章年版

———,(4,2009

的

3.1)。

修訂了外延片用襯底材料的要求見年版的

———(5.1,20093.2)。

增加了外延層的導(dǎo)電類型晶向的要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則等見第

———、、、(5.2.1、5.2.2、6.1、6.2、7

章

)。

外延層電阻率由中心電阻率修訂為平均電阻率并修訂了電阻率電阻率允許偏差及徑向電阻

———,、

率變化的要求見年版的

(5.2.3,20093.3)。

外延層厚度由中心厚度修訂為平均厚度并修訂了厚度厚度允許偏差及徑向厚度變化的要求

———,、

見年版的

(5.2.4,20093.4)。

增加了外延層縱向電阻率分布及過渡區(qū)寬度的要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則等見第

———、、(5.2.5、6.5、7

章

)。

修改了外延層位錯(cuò)密度的要求由不大于個(gè)2修訂為應(yīng)不大于-2見

———,“500/cm”“50cm”(5.2.6,

年版的

20093.5.1)。

增加了表面金屬的要求試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則見第章

———、(5.2.7、6.7、7)。

刪除了大點(diǎn)缺陷的要求見年版的

———(20093.6.1)。

刪除了表面缺陷區(qū)域系指直徑不大于的硅外延片去除邊緣環(huán)形區(qū)域直徑

———“76.2mm2mm,

和硅外延片去除邊緣環(huán)形區(qū)域的整個(gè)表面見年版的

100mm、125mm150mm3mm”(2009

3.6.2)。

刪除了表面點(diǎn)狀缺陷包括符合的釘粘附的顆粒突起物夾雜小丘和棱錐

———“GB/T14264、、、、。

使用清洗技術(shù)能除去的顆粒不屬于點(diǎn)狀缺陷見年版的

”(20093.6.3)。

刪除了崩邊是指外延片邊緣在徑向的缺損深度大于的損傷最大崩邊徑向深度不

———“0.3mm。

大于累計(jì)崩邊最大周邊長(zhǎng)不大于見年版的

0.5mm,2.5mm”(20093.6.4)。

刪除了霧的定義見見年版的

———“GB/T14264”(20093.6.5)。

刪除了沾污包括色斑手套印塵埃污跡和溶劑殘留物見年版的

———“、、、”(20093.6.6)。

增加了組批檢驗(yàn)項(xiàng)目的要求見

———、(7.2、7.3)。

修改了包裝要求見年版的

———(8.1.1,20096.1.1)。

Ⅰ

GB/T14139—2019

增加了訂貨單或合同內(nèi)容見第章

———()(9)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位浙江金瑞泓科技股份有限公司南京國(guó)盛電子有限公司上海合晶硅材料有限公

:、、

司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有研半導(dǎo)體材料有限公司

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張海英李慎重蔣玉龍駱紅胡金枝盧立延李素青

:、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T14139—1993、GB/T14139—2009。

Ⅱ

GB/T14139—2019

硅外延片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅外延片的牌號(hào)和分類要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存質(zhì)量證明

、、、、、、、、

書和訂貨單或合同內(nèi)容

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于在直徑不大于的型和型硅拋光片襯底上生長(zhǎng)的硅外延片

150mmNP。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計(jì)劃

硅片電阻率測(cè)定擴(kuò)展電阻探針法

GB/T6617

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T6624

硅單晶拋光片

GB/T12964

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

GB/T13389

硅外延層擴(kuò)展層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定直排四探針法

GB/T14141、

硅外延層晶體完整性檢驗(yàn)方法腐蝕法

GB/T14142

硅外延層載流子濃度測(cè)定汞探針電容電壓法

GB/T14146-

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法

GB/T14844

重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法

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