標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 14139-1993 硅外延片》是中國(guó)一項(xiàng)關(guān)于硅外延片的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),旨在規(guī)定硅外延片的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存要求,以確保其在半導(dǎo)體工業(yè)中的適用性和可靠性。以下是該標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容概覽:
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范圍:本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體器件制造用的單晶硅外延片,明確了適用的硅外延片類(lèi)型及主要應(yīng)用領(lǐng)域。
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規(guī)范性引用文件:列出了實(shí)施本標(biāo)準(zhǔn)時(shí)所直接引用或參考的其他標(biāo)準(zhǔn)文檔,這些文件對(duì)于理解和執(zhí)行本標(biāo)準(zhǔn)的具體要求至關(guān)重要。
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術(shù)語(yǔ)和定義:對(duì)硅外延片相關(guān)的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了解釋和界定,幫助讀者準(zhǔn)確理解標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容。
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分類(lèi)與標(biāo)記:根據(jù)硅外延片的材質(zhì)、尺寸、厚度、電阻率等特性進(jìn)行分類(lèi),并規(guī)定了產(chǎn)品標(biāo)記方法,確保信息清晰可追溯。
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技術(shù)要求:
- 外觀(guān):規(guī)定了硅外延片表面應(yīng)平整、無(wú)明顯缺陷。
- 尺寸和形狀:對(duì)外延片的直徑、厚度、平行度等物理尺寸提出具體要求。
- 晶體質(zhì)量:包括晶向、位錯(cuò)密度、微缺陷等指標(biāo),確保材料的電學(xué)性能。
- 雜質(zhì)含量:限制了特定雜質(zhì)元素的最大濃度,以保證半導(dǎo)體器件的性能穩(wěn)定。
- 表面粗糙度和清潔度:對(duì)外延片表面的微觀(guān)形態(tài)和平整度,以及表面沾污程度提出了標(biāo)準(zhǔn)。
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試驗(yàn)方法:詳細(xì)說(shuō)明了如何通過(guò)各種物理、化學(xué)檢測(cè)手段來(lái)驗(yàn)證硅外延片是否滿(mǎn)足上述技術(shù)要求,包括但不限于X射線(xiàn)衍射分析、四探針?lè)y(cè)電阻率、掃描電子顯微鏡觀(guān)察等。
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檢驗(yàn)規(guī)則:規(guī)定了產(chǎn)品檢驗(yàn)的程序、抽樣方法、合格判定準(zhǔn)則等,確保產(chǎn)品質(zhì)量控制的一致性和有效性。
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標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存:對(duì)硅外延片的標(biāo)識(shí)信息、包裝材料、防護(hù)措施、運(yùn)輸條件以及儲(chǔ)存環(huán)境進(jìn)行了規(guī)定,以防止在流通和存儲(chǔ)過(guò)程中受到損壞。
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- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 14139-2009
- 1993-02-06 頒布
- 1993-10-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
UDc669.782百81中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14139-93硅外延片Siliconepitaxialwafers1993-02-06發(fā)布1993-10-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
(京)新登字023號(hào)中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)外延GB/T14139-93中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門(mén)外三里河北街16號(hào)郵政編碼:100045電話(huà):63787337、637874471993年9月第一版2044年12月電子版制作書(shū)號(hào):155066·1-9851版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究舉報(bào)電話(huà):(010)68533533
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GR/14139-93外硅片Siliconepitaxialwafers主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅外延片的產(chǎn)品分類(lèi)、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法和檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、此存。本標(biāo)準(zhǔn)適用手在N型硅拋光片襯底上生長(zhǎng)的N型外延層(N/N)和在P型硅拋光片襯底上生長(zhǎng)的P型外延層(P/P+)的同質(zhì)硅外延芳。產(chǎn)品用于制作學(xué)導(dǎo)體器件2引用標(biāo)準(zhǔn)(:B2828連批檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)GB6624桂拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法GB12962硅單品GB12964硅單品拋光片GB/T13389摻硼摻磷硅單品電阻率和摻茶劑濃度換身規(guī)程CB/T14142硅外延層晶體完常性檢測(cè)方法腐蝕法CB/T14145硅外延層堆垛層錯(cuò)常度測(cè)定干涉相襯顯微鏡法GB/T14146硅外延層裝流子濃度測(cè)定汞探針電容-電壓法GB/T14264業(yè)導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)YS/T23硅外延層厚度測(cè)定難垛層錯(cuò)尺寸法YST21外延釘缺陷的檢測(cè)方法YS/T28硅片包裝3產(chǎn)品分類(lèi)3.1導(dǎo)電類(lèi)型產(chǎn)品按導(dǎo)電類(lèi)型分為入型和P型3.2規(guī)格產(chǎn)品按直徑尺寸分為<50.8mm.76.2mm.80mm.90mm和100mm3.3外延片品向產(chǎn)品按晶向分為~111>、<100>等。S.4產(chǎn)
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