標(biāo)準(zhǔn)解讀
GB/T 14140.2-1993是一項(xiàng)中國國家標(biāo)準(zhǔn),其標(biāo)題為《硅片直徑測量方法 千分尺法》。本標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了使用千分尺來測量硅片直徑的具體操作步驟、測量條件、測量精度要求以及數(shù)據(jù)處理方法,旨在確保硅片尺寸測量的準(zhǔn)確性和一致性,適用于半導(dǎo)體行業(yè)中硅片生產(chǎn)與加工的質(zhì)量控制環(huán)節(jié)。
標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容概覽:
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范圍:明確標(biāo)準(zhǔn)適用的硅片類型及直徑范圍,通常涉及單晶硅片,具體直徑根據(jù)實(shí)際標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容確定。
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規(guī)范性引用文件:列出實(shí)施該標(biāo)準(zhǔn)時需要參考的其他相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或文件,這些文件可能包含千分尺的校準(zhǔn)方法、硅片的預(yù)處理要求等。
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術(shù)語和定義:對標(biāo)準(zhǔn)中使用的專業(yè)術(shù)語進(jìn)行解釋,比如“直徑”、“千分尺”等,確保讀者對關(guān)鍵概念有共同的理解。
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測量前準(zhǔn)備:
- 硅片狀態(tài):規(guī)定硅片應(yīng)處于清潔、無損傷的狀態(tài)。
- 千分尺選擇與校準(zhǔn):要求使用符合精度標(biāo)準(zhǔn)的千分尺,并定期進(jìn)行校準(zhǔn),確保測量工具的準(zhǔn)確性。
- 環(huán)境條件:可能包括溫度、濕度等環(huán)境因素的要求,以減少外部環(huán)境對測量結(jié)果的影響。
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測量方法:
- 測量點(diǎn)選擇:規(guī)定在硅片邊緣特定位置進(jìn)行測量,可能包括多個等距點(diǎn),以求得平均直徑。
- 測量操作:詳細(xì)描述如何正確使用千分尺接觸硅片表面,避免對硅片造成損傷,以及讀取和記錄數(shù)據(jù)的方法。
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數(shù)據(jù)處理:說明如何處理多次測量的數(shù)據(jù),可能包括計(jì)算平均值、評估測量誤差等,確保結(jié)果的可靠性。
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精度與重復(fù)性:設(shè)定測量結(jié)果的允許誤差范圍,以及重復(fù)測量時結(jié)果的一致性要求。
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報告:規(guī)定測量結(jié)果的記錄格式和內(nèi)容,可能需要包括測量時間、環(huán)境條件、所用設(shè)備信息、測量值及其不確定性等。
注意事項(xiàng):
- 該標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)調(diào)了測量過程的標(biāo)準(zhǔn)化與規(guī)范化,任何偏離標(biāo)準(zhǔn)的操作都可能影響測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。
- 實(shí)施時需關(guān)注千分尺的維護(hù)與校正,以及操作人員的培訓(xùn),確保測量技能的標(biāo)準(zhǔn)化。
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- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 14140-2009
- 1993-02-06 頒布
- 1993-10-01 實(shí)施
文檔簡介
UDC669.782H21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14140.2-93硅片直徑測量方法千分尺法Siliconslicesandwafers-Measuringofdiameter-Micrometermethod1993-02-06發(fā)布1993-10-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局,發(fā)布
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)硅片直徑測量方法千分尺法GB/T14140.2-93Siliconslicesandwaters-Measuringofdiameter-Micrometermethod主主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用干分尺測量硅片直徑的方法、本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量圓形硅片的直徑。測量范圍為25~100mm。本標(biāo)準(zhǔn)不適用于測量硅片的不圓度,本標(biāo)準(zhǔn)不作為仲裁測量方法。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB2828逐批檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)GB12962:硅單晶3測量工具3.1干分尺,測量范圍為25~125mm,精度為0.01mm.4試驗(yàn)樣品4.1從一批硅片中按GB2828計(jì)數(shù)抽樣方案或商定的方案抽取試樣,5測量步驃5.11測量在23±5℃下進(jìn)行。干分尺測量桿端面應(yīng)清凈。5.2按硅片的導(dǎo)電類型確定要測量的三條直徑的位置,見圖1。硅片參考面位置應(yīng)符合GB12962的規(guī)定5.2.1對于P(111>和N<100)硅片,要測量的三條直徑是平行于主參考面的直徑和與該直徑成45"角的另二條直徑。5.2.2對于P(100)硅片,第一條直徑位于主、副參考面的中間,第二條直徑垂直于第一條直徑,第三條直徑與第二條直徑成30°角。5.2.3對于N<11I)硅片,第一條直徑平行于主參考面,第二條直徑與第一條直徑成30°角,第三條直徑與第二條直徑也成30°角。5.3校正干分尺零點(diǎn)、5.4旋出測量桿,放入被測硅片,使待測直徑處于測量位置5.5旋進(jìn)測量桿到終止位置。5.6記錄干分尺的讀數(shù),取下硅片。5.7重復(fù)5.4~5.6條測量步
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