GB/T 15120.2-2012識(shí)別卡記錄技術(shù)第2部分：磁條低矯頑力

ICS3524015

L64..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T151202—2012

代替.

GB/T15120.2—1994,GB/T15120.4—1994,GB/T15120.5—1994

識(shí)別卡記錄技術(shù)

第2部分磁條低矯頑力

:

Identificationcards—Recordingtechnique—

Part2Maneticstrie—Lowcoercivit

:gpy

(ISO/IEC7811-2:2001,MOD)

2012-12-31發(fā)布2013-06-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T151202—2012

.

目次

前言…………………………

Ⅰ

范圍………………………

11

符合性……………………

21

規(guī)范性引用文件…………………………

31

術(shù)語(yǔ)和定義………………

41

識(shí)別卡的物理特性………………………

53

磁條區(qū)域翹曲………………………

5.13

表面變形……………

5.23

磁條的物理特性…………………………

64

磁條區(qū)域的高度和表面輪廓………………………

6.14

表面粗糙度…………………………

6.26

磁條與卡的粘合……………………

6.36

讀寫(xiě)磁頭對(duì)磁條的磨損……………

6.4/6

耐化學(xué)性……………

6.56

磁性材料的性能特性……………………

76

總則…………………

7.16

測(cè)試和操作環(huán)境……………………

7.26

對(duì)磁介質(zhì)信號(hào)幅度的要求…………

7.37

編碼技術(shù)…………………

88

編碼規(guī)范總則……………

99

記錄角………………

9.19

標(biāo)稱(chēng)位密度…………………………

9.210

第第和第磁道的信號(hào)幅度要求…………

9.31、2310

位構(gòu)成………………

9.410

記錄方向……………

9.510

前導(dǎo)零和后導(dǎo)零……………………

9.610

編碼規(guī)范………………

1011

字母數(shù)字磁道第磁道……………………

10.1———111

數(shù)字磁道第磁道…………

10.2———213

數(shù)字磁道第磁道…………

10.3———315

差錯(cuò)檢測(cè)………………

1115

奇偶校驗(yàn)…………………………

11.115

縱向冗余校驗(yàn)……………

11.2(LRC)15

編碼磁道的位置………………………

1216

附錄資料性附錄磁條的讀兼容性和………

A()(GB/T15120.2GB/T15120.6)17

附錄資料性附錄磁條的研磨性……………………

B()18

GB/T151202—2012

.

前言

識(shí)別卡記錄技術(shù)分為以下幾個(gè)部分

GB/T15120《》:

第部分凸印

———1:;

第部分磁條低矯頑力

———2:;

第部分型卡上凸印字符的位置

———3:ID-1;

第部分磁條高矯頑力

———6:。

本部分為的第部分

GB/T151202。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替識(shí)別卡記錄技術(shù)第部分磁條

GB/T15120.2—1994《2:》、GB/T15120.4—1994

識(shí)別卡記錄技術(shù)第部分只讀磁道的第磁道和第磁道的位置和識(shí)

《4:12》GB/T15120.5—1994《

別卡記錄技術(shù)第部分讀寫(xiě)磁道的第磁道的位置

5:3》。

鼓勵(lì)使用者回顧整個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的修訂和更新本次修訂的主要變化如下

。:

在和中給出的要求已經(jīng)包含在

a)GB/T15120.4—1994GB/T15120.5—1994GB/T15120.2

的本版本中

;

將術(shù)語(yǔ)主標(biāo)準(zhǔn)修改為源標(biāo)準(zhǔn)

b)“”“”;

增加了部分術(shù)語(yǔ)和定義

c);

增加了部分要求

d)。

本部分修改采用識(shí)別卡記錄技術(shù)第部分磁條低矯頑力

ISO/IEC7811-2:2001《2:》。

本部分與相比存在如下少量差異

ISO/IEC7811-2:2001,:

刪除了國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)前言

a);

刪除了文本中大部分的英制單位對(duì)于工業(yè)界的習(xí)慣用法某些部分的英制單位仍保留

b),,;

根據(jù)目前源標(biāo)準(zhǔn)和二極標(biāo)準(zhǔn)的遷移情況將源標(biāo)準(zhǔn)定義為一套由德國(guó)物理技術(shù)研究院

c),“(PTB)

建立并且目前在美國(guó)保存的基準(zhǔn)卡代表指定的U和I的數(shù)值將二

,Q-Card,RM7811-2RR”;

級(jí)標(biāo)準(zhǔn)中的注改為二級(jí)標(biāo)準(zhǔn)目前可以從美國(guó)訂購(gòu)地址為

“”“Q-Card,:301ReaganStreet,

二極標(biāo)準(zhǔn)源將至少保存到年

Sunbury,PA17801,USA。2012”;

根據(jù)的最新版本刪除了的附錄信號(hào)幅度測(cè)量

d)ISO/IEC10373-2,ISO/IEC7811-2:2001B“”。

本部分由全國(guó)信息技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出

(SAC/TC28)。

本部分由中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口

。

本部分起草單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所云南南天電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司中國(guó)樂(lè)凱膠

:、、

片集團(tuán)公司

。

本部分主要起草人馮敬段霞金倩高林耿力袁理王文峰喬申杰

:、、、、、、、。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T15120.2—1994;

———GB/T15120.4—1994;

———GB/T15120.5—1994。

Ⅰ

GB/T151202—2012

.

識(shí)別卡記錄技術(shù)

第2部分磁條低矯頑力

:

1范圍

的本部分是描述在第章中定義的識(shí)別卡的特性和國(guó)際交換中使用識(shí)別卡的系列標(biāo)

GB/T151204

準(zhǔn)之一

。

本部分規(guī)定了識(shí)別卡上低矯頑力磁條包括任何保護(hù)涂層的特性編碼技術(shù)編碼磁道的位置和字

()、、

符集根據(jù)人機(jī)兩者因素規(guī)定了最低要求

。、。

矯頑力影響到本部分中許多量值的規(guī)定但本身未作規(guī)定把卡暴露于磁場(chǎng)之中很可能使已記錄

,。

的數(shù)據(jù)被破壞

。

本部分適用于提供卡應(yīng)遵循的準(zhǔn)則在這些標(biāo)準(zhǔn)中沒(méi)有考慮使用次數(shù)如果需要?jiǎng)t根據(jù)以前卡測(cè)

。,,

試的經(jīng)驗(yàn)如果卡不符合規(guī)定準(zhǔn)則應(yīng)在涉及到的各方中進(jìn)行協(xié)商

。,。

規(guī)定了檢查卡符合本部分規(guī)定參數(shù)的測(cè)試步驟

ISO/IEC10373-2。

注在本部分中用到的公制和或英制測(cè)量體系中的數(shù)值可能已經(jīng)被換算但相互間并不完全相等兩種制式都被

:/,。

使用但兩者不宜被混雜或被再轉(zhuǎn)換最初的設(shè)計(jì)是使用英制測(cè)量體系

,。。

2符合性

符合本部分的前提條件是符合當(dāng)識(shí)別卡符合此處規(guī)定的所有強(qiáng)制性要求時(shí)才能聲

GB/T14916。

稱(chēng)符合本部分如果其他方面未作規(guī)定則使用默認(rèn)值

。,。

3規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件