計(jì)算機(jī)組成與結(jié)構(gòu)7層次結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器

§7層次結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器20051華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系§7層次結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器7.1概述7.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器7.3主存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法7.4芯片技術(shù)與發(fā)展7.5高速存儲(chǔ)器7.6Cache存儲(chǔ)器7.7高速緩存性能的評(píng)估和提高7.8虛擬存儲(chǔ)器7.9層次結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的一般框架7.10P4和MADOpteron的層次結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器20052華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系§7層次結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器7.1概述20053華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系要求：具有記憶功能能快速讀寫(xiě)7.1概述存儲(chǔ)器功能：存放以二進(jìn)制形式表示的程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器操作：輸入設(shè)備輸入程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫(xiě)CPU讀取指令存儲(chǔ)器讀CPU執(zhí)行指令讀取操作數(shù)存儲(chǔ)器讀CPU保存結(jié)果到存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器寫(xiě)輸出設(shè)備輸出數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀20054華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.1概述一、存儲(chǔ)器分類(lèi)1.按存儲(chǔ)介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：用半導(dǎo)體器件組成的存儲(chǔ)器

如：集成電路芯片一般用作內(nèi)存磁表面存儲(chǔ)器：用磁性材料做成的存儲(chǔ)器

如：磁盤(pán)存儲(chǔ)器、磁帶存儲(chǔ)器一般用作外存光存儲(chǔ)器：根據(jù)光學(xué)原理制成

如光盤(pán)用作外存

20055華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系一、存儲(chǔ)器分類(lèi)2.按存儲(chǔ)方式分隨機(jī)存儲(chǔ)器：信息的存取時(shí)間與信息存放的物理位置無(wú)關(guān)特點(diǎn)：速度快如：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器順序存儲(chǔ)器：只能按某種順序來(lái)存取，存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元物理位置有關(guān)

特點(diǎn)：速度慢、容量大、成本低如：磁帶存儲(chǔ)器半順序存儲(chǔ)器：具有隨機(jī)和順序兩種操作

如：磁盤(pán)存儲(chǔ)器找道為隨機(jī)操作；讀取扇區(qū)內(nèi)容則為順序操作20056華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系一、存儲(chǔ)器分類(lèi)3.按存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)功能分只讀存儲(chǔ)器(ROM)：存儲(chǔ)內(nèi)容固定，一般僅進(jìn)行讀取操作。用于保存參數(shù)、數(shù)據(jù)或系統(tǒng)程序隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器(RAM)：既能讀出又能寫(xiě)入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器4.按信息的可保存性分非永久記憶的存儲(chǔ)器：斷電后信息即消失的存儲(chǔ)器永久記憶性存儲(chǔ)器：斷電后仍能保存信息的存儲(chǔ)器例：磁盤(pán)、光盤(pán)等，包括ROM例：RAM20057華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系一、存儲(chǔ)器分類(lèi)5.按在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的作用分主存儲(chǔ)器輔助存儲(chǔ)器高速緩沖存儲(chǔ)器控制存儲(chǔ)器——微程序控制器中用于存放微指令的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器系統(tǒng)

20058華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.1概述二、存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)目標(biāo)：

容量大，速度快，成本低各部分各有側(cè)重，從總體上來(lái)提高存儲(chǔ)器性能

解決三者之間矛盾的方法:目前通常采用多級(jí)存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)高速緩沖存儲(chǔ)器主存儲(chǔ)器外存儲(chǔ)器20059華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系二、存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)分層次的依據(jù)：程序訪問(wèn)的局部性理論：·時(shí)間局部性如果一個(gè)存儲(chǔ)單元被訪問(wèn)，則可能這個(gè)單元將很快會(huì)再次被訪問(wèn)·空間局部性如果一個(gè)存儲(chǔ)單元被訪問(wèn)，則該單元鄰近的單元很快會(huì)再次被訪問(wèn)循環(huán)、子程序順序執(zhí)行200510華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系二、存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)

框圖：

c

a

c

h

e

外

存

CPU

寄存器

c

a

c

h

e

主

存

一般用SRAM實(shí)現(xiàn)，存取速度快，但價(jià)格高一般用DRAM實(shí)現(xiàn)，存取速度較SRAM慢，集成度高，價(jià)格相對(duì)便宜磁盤(pán)、光盤(pán)等，容量大，位價(jià)格相對(duì)便宜200511華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系二、存儲(chǔ)器的分級(jí)結(jié)構(gòu)

結(jié)構(gòu)圖：CPU寄存器Cache主存

磁盤(pán)Cache

磁盤(pán)

磁帶

光盤(pán)CPU能直接訪問(wèn)的存儲(chǔ)器稱(chēng)為內(nèi)存儲(chǔ)器，包括高速緩沖存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器CPU不能直接訪問(wèn)外存儲(chǔ)器，外存儲(chǔ)器的信息必須調(diào)入內(nèi)存儲(chǔ)器后才能被CPU進(jìn)行處理200512華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系二、存儲(chǔ)器的分級(jí)結(jié)構(gòu)各級(jí)存儲(chǔ)器的用途和特點(diǎn)：圖7-1名稱(chēng)簡(jiǎn)稱(chēng)用途特點(diǎn)高速緩沖存儲(chǔ)器Cache高速存取指令和數(shù)據(jù)存取速度快，但存儲(chǔ)容量小主存儲(chǔ)器主存存放計(jì)算機(jī)運(yùn)行期間的大量程序和數(shù)據(jù)存取速度較快，存儲(chǔ)容量較大外存儲(chǔ)器外存存放系統(tǒng)程序和大型數(shù)據(jù)文件及數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)容量大，位成本低200513華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系二、存儲(chǔ)器的分級(jí)結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)層次體系：離處理器較近的一級(jí)是較遠(yuǎn)層次的子集·數(shù)據(jù)復(fù)制僅在相鄰層次之間進(jìn)行；·復(fù)制單位為塊（行）；圖7-2·若處理器需要的數(shù)據(jù)在高層的某個(gè)塊里，則

命中；若不在，這次數(shù)據(jù)請(qǐng)求稱(chēng)為缺失；·命中率（N1為命中的數(shù)據(jù)，N2為缺失的數(shù)據(jù)）H=N1N1+N2200514華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系二、存儲(chǔ)器的分級(jí)結(jié)構(gòu)性能分析

1.兩級(jí)存儲(chǔ)體系設(shè)：M1(內(nèi)存)、M2(外存)為兩級(jí)存儲(chǔ)器；

Si為Mi的容量，S為整個(gè)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的容量；

Ci為Mi的單位成本，C為整個(gè)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的單位成本

TAi為Mi的存取時(shí)間，TA為平均存取時(shí)間顯然：S1S2;C1C2;TA1TA2

結(jié)論1：總?cè)萘縎=S1+S2

結(jié)論2：平均價(jià)格C=(C1S1+C2S2)/(S1+S2)當(dāng)S2S1C接近于M2的C2

因?yàn)镸2的位價(jià)格低，所以總成本低200515華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系1.兩級(jí)存儲(chǔ)體系分析速度：若CPU訪問(wèn)的內(nèi)容已在M1中，則平均存取速度TA=TA1若CPU訪問(wèn)的內(nèi)容不在M1中，則必須M2M1,TA=TA2

TA=N1TA1+N2TA2N1+N2設(shè)：N1為M1中一次訪問(wèn)到的信息量N2為M1中沒(méi)有找到需從M2中調(diào)入的信息量則：200516華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系1.兩級(jí)存儲(chǔ)體系設(shè)命中率為：顯然：0H1H=N1N1+N2CPU能在M1中一次獲得數(shù)據(jù)的比率代入上式：TA=N1TA1+N2TA2N1+N2=N1+N2TA2N1+N2-N1N1N1+N2TA1+N1=HTA1+(1-H)TA2結(jié)論3：二級(jí)存儲(chǔ)體系無(wú)法解決速度與成本的矛盾①存儲(chǔ)器的存取速度取決于H，H越大，TA越接近于TA1。②內(nèi)存速度不提高，TA不可能提高，而提高TA，成本必上升。200517華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系設(shè)計(jì)思想采用少量昂貴的快存與大量廉價(jià)的存儲(chǔ)器相配合總體上提高系統(tǒng)的運(yùn)行速度性能分析2.三級(jí)存儲(chǔ)體系解決速度與成本的矛盾以及容量與成本的矛盾分析兩級(jí)存儲(chǔ)器速度慢的原因：①存儲(chǔ)器的存取速度本身慢于CPU的速度；②二級(jí)存儲(chǔ)體系外存與內(nèi)存的數(shù)據(jù)交互又影響了速度解決方案

采用了分級(jí)存儲(chǔ)體系，使各部分各有側(cè)重，從總體上來(lái)提高存儲(chǔ)器性能。

200518華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系·Cache：強(qiáng)調(diào)快速存取，力求與CPU速度相匹配·外存：強(qiáng)調(diào)大的存儲(chǔ)容量，以滿足大容量存儲(chǔ)要求2.三級(jí)存儲(chǔ)體系

高速緩沖存儲(chǔ)器主存儲(chǔ)器外存儲(chǔ)器——必須先通過(guò)接口電路將信息以批量方式送入內(nèi)存，才能由CPU訪問(wèn)CPU可直接訪問(wèn)快存主存外存速度成本容量200519華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系3.1存儲(chǔ)器概述三、主存儲(chǔ)器的技術(shù)指標(biāo)

1.存儲(chǔ)容量一個(gè)存儲(chǔ)器中可以容納的存儲(chǔ)單元總數(shù)，存儲(chǔ)容量的單位有B、K、M、G、T等存儲(chǔ)容量反映了存儲(chǔ)空間的大小字存儲(chǔ)單元/字地址字節(jié)存儲(chǔ)單元/字節(jié)地址按字尋址的計(jì)算機(jī)按字節(jié)尋址的計(jì)算機(jī)200520華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、主存儲(chǔ)器的技術(shù)指標(biāo)2.存儲(chǔ)速度反映存儲(chǔ)器速度的指標(biāo)：

（1）存取時(shí)間（tA）

又稱(chēng)存儲(chǔ)器訪問(wèn)時(shí)間，即：從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間，單位為ns。（2）存儲(chǔ)周期（tRC）是指連續(xù)啟動(dòng)兩次讀操作所需間隔的最小時(shí)間，通常略大于存取時(shí)間，單位為ns。（3）存儲(chǔ)器帶寬是指單位時(shí)間里存儲(chǔ)器所存取的信息量，單位為：位/秒、字節(jié)/秒，是衡量數(shù)據(jù)傳輸速率的重要技術(shù)指標(biāo)200521華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、主存儲(chǔ)器的技術(shù)指標(biāo)3.性能/價(jià)格比性能：容量、速度、可靠性等對(duì)不同應(yīng)用的存儲(chǔ)器有不同的要求性能/價(jià)格比是衡量整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)的重要指標(biāo)200522華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系§7層次結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器7.1概述7.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器200523華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器內(nèi)存普遍采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器特點(diǎn)：存儲(chǔ)體積小可靠性高速度快價(jià)廉200524華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類(lèi)

按半導(dǎo)體材料不同分按存儲(chǔ)原理不同分

雙極型(TTL)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器RAM靜態(tài)MOS存儲(chǔ)器（SRAM）金屬氧化物(MOS)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)器（DRAM）

掩模式只讀存儲(chǔ)器ROMROM熔絲式PROM可編程只讀存儲(chǔ)器光可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EPROM電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROMFlash：非揮發(fā)性，可聯(lián)機(jī)讀寫(xiě)200525華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器二、MOS型RAM1.SRAM（1）基本存儲(chǔ)元組成存儲(chǔ)器的基本單元是存儲(chǔ)元用來(lái)存儲(chǔ)一位二進(jìn)制信息0或1SRAM的存儲(chǔ)元由MOS管觸發(fā)器電路組成200526華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系1.SRAM六管SRAM存儲(chǔ)元T3、T4為負(fù)載管T1、T2組成觸發(fā)器：存儲(chǔ)元的基本部分T5、T6、T7、T8為開(kāi)關(guān)管分別由X地址譯碼線和Y地址譯碼線控制200527華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系1.SRAM六管SRAM存儲(chǔ)元記憶功能記憶“1”截止導(dǎo)通10200528華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系1.SRAM六管SRAM存儲(chǔ)元記憶功能記憶“0”截止導(dǎo)通10結(jié)論：電路有兩個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)，分別表示“0”或“1”狀態(tài)200529華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系1.SRAM六管SRAM存儲(chǔ)元②快速讀寫(xiě)

寫(xiě)操作·地址選中·數(shù)據(jù)送存儲(chǔ)器·寫(xiě)命令到導(dǎo)通10導(dǎo)通導(dǎo)通導(dǎo)通200530華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系1.SRAM六管SRAM存儲(chǔ)元②快速讀寫(xiě)

讀操作·地址選中·讀命令到·存儲(chǔ)器送出數(shù)據(jù)導(dǎo)通10導(dǎo)通導(dǎo)通導(dǎo)通200531華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系1.SRAM六管SRAM存儲(chǔ)元③保持?jǐn)?shù)據(jù)

地址未選中截止10截止截止截止200532華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系1.SRAM（2）SRAM存儲(chǔ)器的組成存儲(chǔ)體地址譯碼電路讀寫(xiě)電路控制電路200533華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（2）SRAM存儲(chǔ)器的組成框圖：64×64=4096存儲(chǔ)矩陣I/O電路Y譯碼器輸出驅(qū)動(dòng)控制電路1216…驅(qū)動(dòng)器X譯碼器地址反相器1642……1642………………A0A1A5164…………數(shù)據(jù)輸出數(shù)據(jù)輸入讀/寫(xiě)片選A6A7A11存儲(chǔ)體：存儲(chǔ)元的集合，存儲(chǔ)單元按矩陣形式排列，由X選擇線（行線）和Y選擇線（列線）的交叉來(lái)選擇所需的存儲(chǔ)單元地址譯碼器：通過(guò)行、列地址譯碼，產(chǎn)生譯碼選擇線，選中某一存儲(chǔ)單元200534華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（2）SRAM存儲(chǔ)器的組成存儲(chǔ)體——存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)信息的實(shí)體，是所有存儲(chǔ)元的集合

計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)信息的最小單位計(jì)算機(jī)存取信息（尋址）的最小單位

存儲(chǔ)元（bit）若干存儲(chǔ)元

存儲(chǔ)單元

許許多多存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)體200535華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系CPU送出地址信息

存儲(chǔ)器地址寄存器

地址譯碼器產(chǎn)生相應(yīng)的X、Y譯碼選擇線選中某一存儲(chǔ)單元

（2）SRAM存儲(chǔ)器的組成地址譯碼器——接受CPU的地址信息，并完成譯碼。

譯碼地址總線200536華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（2）SRAM存儲(chǔ)器的組成單譯碼方式：只使用一個(gè)地址譯碼器，每條地址譯碼選擇線對(duì)應(yīng)一個(gè)存儲(chǔ)單元適用于小容量存儲(chǔ)器雙譯碼方式：二維編碼方案，采用兩個(gè)譯碼器，存儲(chǔ)體矩陣排列，通過(guò)X地址譯碼選擇線和Y地址譯碼選擇線確定某一個(gè)存儲(chǔ)單元適用于大容量存儲(chǔ)器200537華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（2）SRAM存儲(chǔ)器的組成雙譯碼結(jié)構(gòu)：·地址譯碼器分為X向和Y向兩個(gè)譯碼器·每個(gè)譯碼器有n/2個(gè)輸入端，輸出的地址譯碼選擇線為2n/2·X向和Y向譯碼器輸出線交叉，可以得到2n個(gè)輸出結(jié)果·雙譯碼器需要譯碼輸出線2×2n/2根；而單譯碼器則需要2n根譯碼輸出線單譯碼：設(shè)地址線N=10，則譯碼選擇線為2N=1024雙譯碼：設(shè)地址線N=10，則譯碼選擇線為2×2n/2=64200538華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（2）SRAM存儲(chǔ)器的組成驅(qū)動(dòng)器雙譯碼結(jié)構(gòu)中，一條X方向的選擇線要驅(qū)動(dòng)掛在其上的所有存儲(chǔ)元電路，故其負(fù)載很大。加驅(qū)動(dòng)器，增加驅(qū)動(dòng)能力，以推動(dòng)線上的所有存儲(chǔ)元電路。

I/O電路用于控制被選中的存儲(chǔ)元內(nèi)容的讀出或?qū)懭氩僮?；具有放大信息的作用?00539華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（2）SRAM存儲(chǔ)器的組成

片選與讀／寫(xiě)控制電路片選：多片存儲(chǔ)器芯片構(gòu)成存儲(chǔ)器時(shí)，以選擇某一芯片工作。讀/寫(xiě)控制：接受CPU的讀/寫(xiě)命令，對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀/寫(xiě)操作。

輸出驅(qū)動(dòng)電路具有三態(tài)功能的輸出緩沖器。200540華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系1.SRAM（3）SRAM存儲(chǔ)器芯片的規(guī)格和實(shí)例規(guī)格2114（1K×4位）6116（2K×8位）

6264（8K×8位）

等等多片連接可構(gòu)成不同容量的存儲(chǔ)器200541華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（3）SRAM存儲(chǔ)器芯片的規(guī)格和實(shí)例實(shí)例：Intel2114（1K×4位）框圖

行選擇64×64存儲(chǔ)矩陣列I/O控制列選擇輸入數(shù)據(jù)控制I/O1A3A4A5A6A7A8I/O2I/O3I/O4CSWEA0A1A2A9164116VccGND

4096個(gè)六管存儲(chǔ)元電路排成了64×64的矩陣地址線A3－A8用于行譯碼，A0,A1,A2,A9用于列譯碼，每根列選擇線同時(shí)連接4位CS’和WE’通過(guò)三態(tài)門(mén)控制數(shù)據(jù)的輸入和輸出讀寫(xiě)控制：低電平為寫(xiě)高電平為讀片選：低電平有效200542華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（3）SRAM存儲(chǔ)器芯片的規(guī)格和實(shí)例Intel2114（1K×4位）外部引腳：A9～A0:10根地址線，選1K存儲(chǔ)單元（4位）I/O4～I(xiàn)/O1:4位輸入輸出數(shù)據(jù)線CS’:片選WE’:寫(xiě)操作（L）；讀操作（H）VCC:電源GND：地200543華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（3）SRAM存儲(chǔ)器芯片的規(guī)格和實(shí)例

Intel2114（1K×4位）

行選擇64×64存儲(chǔ)矩陣列I/O控制列選擇輸入數(shù)據(jù)控制I/O1A3A4A5A6A7A8I/O2I/O3I/O4CSWEA0A1A2A9164116VccGND200544華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（3）SRAM存儲(chǔ)器芯片的規(guī)格和實(shí)例Intel2114（1K×4位=4096=64×64）

內(nèi)部結(jié)構(gòu)①行地址(A3-A8)64根行選擇線列地址(A0-A2,A9)16根列選擇線64×64矩陣每條同時(shí)接4位②存儲(chǔ)元數(shù)據(jù)I/O電路輸出三態(tài)門(mén)數(shù)據(jù)總線I/Oi輸入三態(tài)門(mén)③由片選信號(hào)及寫(xiě)信號(hào)控制輸入輸出三態(tài)門(mén)200545華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（3）SRAM存儲(chǔ)器芯片的規(guī)格和實(shí)例2114操作時(shí)序時(shí)序——描述器件的動(dòng)態(tài)工作過(guò)程①讀周期

tCXtRCtAtCOtOTDtOHAtRC

讀周期時(shí)間tA

讀出時(shí)間tCO

片選到數(shù)據(jù)輸出延遲tCX

片選到輸出有效tOTD

從斷開(kāi)片選到輸出變?yōu)槿龖B(tài)tOHA

地址改變后的維持時(shí)間200546華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（3）SRAM存儲(chǔ)器芯片的規(guī)格和實(shí)例①讀周期·讀出過(guò)程：地址有效CS’有效數(shù)據(jù)輸出·滿足條件：地址有效經(jīng)tA時(shí)間；片選有效經(jīng)tCO時(shí)間?！?shù)據(jù)保持時(shí)間：CS’無(wú)效后的tOTD內(nèi)；當(dāng)?shù)刂犯淖兒蟮膖OHA時(shí)間內(nèi)?！ぷx周期為tRC﹥讀出時(shí)間tA200547華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（3）SRAM存儲(chǔ)器芯片的規(guī)格和實(shí)例②寫(xiě)周期tDWtWCtAWtWtDHtWRtWC

寫(xiě)周期時(shí)間tW

寫(xiě)數(shù)時(shí)間tWR

寫(xiě)恢復(fù)時(shí)間tDTW

從寫(xiě)信號(hào)有效到輸出三態(tài)的時(shí)間tDW

數(shù)據(jù)有效時(shí)間tDH

寫(xiě)信號(hào)無(wú)效后數(shù)據(jù)保持時(shí)間tDTW200548華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（3）SRAM存儲(chǔ)器芯片的規(guī)格和實(shí)例·寫(xiě)入過(guò)程：地址有效CS’有效數(shù)據(jù)輸出為高阻寫(xiě)入寫(xiě)命令有效數(shù)據(jù)輸入·命令：寫(xiě)命令寬度：CS’與WE’相與至少為tW；·地址：寫(xiě)命令有效期間地址不允許變化∴地址有效時(shí)間至少為：tWC=tAW+tW+tWR·數(shù)據(jù)：寫(xiě)入的數(shù)據(jù)必須在CS’、WE’無(wú)效前的tDW

時(shí)間之前在數(shù)據(jù)總線上穩(wěn)定200549華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（3）SRAM存儲(chǔ)器芯片的規(guī)格和實(shí)例

例1）請(qǐng)指出下圖中寫(xiě)入時(shí)序中的錯(cuò)誤寫(xiě)入存儲(chǔ)器的時(shí)序信號(hào)必須同步。通常，當(dāng)R/W線加負(fù)脈沖時(shí)，地址線和數(shù)據(jù)線的電平必須是穩(wěn)定的

錯(cuò)誤正確200550華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系二、MOS型RAM2.DRAM（1）四管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)元——為了提高集成度，去掉T3、T4管不需電源持續(xù)供電，節(jié)省功耗動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)元是利用電路中柵極電容存儲(chǔ)電荷的原理來(lái)保存信息的∴需較高的輸入阻抗，以防止電容快速放電，一般均采用MOS電路200551華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系2.DRAM四管DRAM存儲(chǔ)元：預(yù)充管：同一列的位線上接有兩個(gè)公共的預(yù)充管200552華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系2.DRAM寫(xiě)入操作：①地址譯碼選中控制管導(dǎo)通②I/O與I/O’加相反的電平。通過(guò)T5,T6,T7,T8，所存信息送到A,B端，T1，T2管的柵極電容存儲(chǔ)相應(yīng)的電荷③地址撤消控制管斷開(kāi)靠T1,T2管柵極電容的存儲(chǔ)作用，可以在一定時(shí)間內(nèi)(幾ms)保存寫(xiě)入的信息1001需定時(shí)刷新200553華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系2.DRAM讀出操作：①預(yù)充電T9,T10管導(dǎo)通電源對(duì)位線電容CD,CD’充電②當(dāng)字選擇線有效使T5,T6導(dǎo)通時(shí)存儲(chǔ)的信息通過(guò)A,B向位線輸出。若原存儲(chǔ)的是“1”，則電容C2上存有電荷，T2導(dǎo)通，而T1截止，使CD’上的預(yù)充電荷經(jīng)T2泄漏，故D’=0，而D=1，信號(hào)通過(guò)I/O’和I/O輸出③CD上的電荷通過(guò)A又向C2補(bǔ)充，故讀出也起到刷新的作用1001④當(dāng)位選擇線使T7,T8導(dǎo)通時(shí)D,D’上的信息輸出至I/O,I/O’200554華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系2.DRAM刷新操作——按所存信息補(bǔ)充柵極電荷①若原存“1”T2導(dǎo)通(T1截止)C2慢慢放電，A點(diǎn)↓②預(yù)充電T9,T10管導(dǎo)通電源對(duì)位線電容CD,CD’充電③當(dāng)字選擇線有效使T5,T6導(dǎo)通時(shí)A與D相連，進(jìn)行充電;B與D’相連，進(jìn)行放電1001④位選擇線無(wú)效，T7,T8截止，封鎖信號(hào)向外輸出，僅達(dá)到刷新目的·刷新無(wú)需列選擇信號(hào)，即可按行進(jìn)行，給出行地址，一行同時(shí)刷新；·刷新必須定時(shí)（幾ms）進(jìn)行，否則所存信息可能丟失200555華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系2.DRAM（2）單管DRAM存儲(chǔ)元：寫(xiě)入：字選擇線有效T1管導(dǎo)通信息由數(shù)據(jù)線（位線）存入電容C中讀出：字選擇線有效存儲(chǔ)在電容C上的電荷，通過(guò)T1輸出到數(shù)據(jù)線上經(jīng)讀出放大器即可得到存儲(chǔ)信息由于CD的存在，位線上得到的電壓遠(yuǎn)小于原C上存儲(chǔ)的電壓，需對(duì)讀出信號(hào)進(jìn)行放大；同時(shí)由于C上的電荷減少，每次讀出后要及時(shí)對(duì)讀出單元進(jìn)行刷新為破壞性讀出CD?C分布電容200556華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系2.DRAM單管、四管DRAM存儲(chǔ)元比較：名稱(chēng)優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)四管存儲(chǔ)元電路外圍電路比較簡(jiǎn)單管子多，占用的芯片面積大單管存儲(chǔ)元電路元件數(shù)量少，集成度高需要有高鑒別能力的讀出放大器配合工作，外圍電路比較復(fù)雜。200557華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系2.DRAM（3）DRAM存儲(chǔ)器芯片的規(guī)格和實(shí)例規(guī)格2108（8K×1位）2116（16K×1位）

2164（64K×1位）

MCM516100（16M×1位）等等多片連接可構(gòu)成不同容量的存儲(chǔ)器200558華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系2.DRAM

實(shí)例：Intel2116（16K×1位）框圖32×128存儲(chǔ)元128位輸出放大器32×128存儲(chǔ)元64條選擇線的譯碼器128位輸出放大器的譯碼器和I/O門(mén)32×128存儲(chǔ)元128位輸出放大器32×128存儲(chǔ)元64條選擇線的譯碼器輸出鎖存器和緩沖器寫(xiě)命令鎖存器時(shí)鐘發(fā)生器(2)時(shí)鐘發(fā)生器(1)RASWEDINDOUTA0……A67位地址鎖存器(行)7位地址鎖存器(列)輸入數(shù)據(jù)鎖存器CASI/OI/O存儲(chǔ)元：(324)128=16K存儲(chǔ)矩陣·由行地址選擇四個(gè)存儲(chǔ)體中某一個(gè)的某一行·由列地址選擇128個(gè)存儲(chǔ)元中的某一個(gè)1#2#3#4#結(jié)構(gòu)大體與SRAM存儲(chǔ)芯片相似，不同點(diǎn)為：①由于集成度高，地址線一般采用復(fù)用技術(shù)，即CPU送來(lái)的地址信號(hào)應(yīng)分成行、列地址兩次送入。行、列地址分別由行選擇信號(hào)（RAS’）和列選擇信號(hào)（CAS’）選通；②DRAM無(wú)片選信號(hào)，可由RAS’和CAS’選擇芯片。200559華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系2.DRAM地址復(fù)用技術(shù)：刷新僅需行地址200560華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系2.DRAM2116操作時(shí)序

①讀周期地址：行/列地址分時(shí)傳送，分別由RAS’和CAS’的下降沿打入行/列地址鎖存器保證地址正確輸入：·行/列地址信號(hào)必須在選通信號(hào)之前穩(wěn)定到達(dá)(行tASR/列tASC)·并在選通信號(hào)有效后保持一段時(shí)間(tAH)200561華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系2116操作時(shí)序

①讀周期讀數(shù)據(jù)：行地址有效行選擇信號(hào)有效列選擇信號(hào)有效列地址有效行選擇信號(hào)、列選擇信號(hào)及地址撤銷(xiāo)數(shù)據(jù)輸出列選擇信號(hào)有效后的tCAC時(shí)間200562華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系2116操作時(shí)序②寫(xiě)周期寫(xiě)數(shù)據(jù)：行地址有效行選擇信號(hào)有效列選擇信號(hào)有效列地址、數(shù)據(jù)有效寫(xiě)命令有效行選擇信號(hào)、列選擇信號(hào)及地址撤銷(xiāo)數(shù)據(jù)寫(xiě)入·寫(xiě)命令寬度應(yīng)大于tWP;·在寫(xiě)命令作用期間，地址、數(shù)據(jù)信號(hào)均要求穩(wěn)定200563華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系2116操作時(shí)序③刷新周期·2116的刷新周期為2ms·刷新以行進(jìn)行，要求在2ms內(nèi)對(duì)所有存儲(chǔ)行刷新一遍（128行）·為控制刷新操作，需外部電路支持·刷新定時(shí)器·刷新計(jì)數(shù)器·刷新地址寄存器等刷新行地址和RAS’撤銷(xiāo)刷新行地址有效RAS’有效200564華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系2.DRAM（4）DRAM的刷新刷新過(guò)程：讀出過(guò)程，恢復(fù)柵極電容的電荷刷新周期：保證信息不丟失，不需對(duì)存儲(chǔ)器

進(jìn)行讀出操作的最長(zhǎng)時(shí)間常用刷新方式：集中式分散式異步式200565華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（4）DRAM的刷新①集中式刷新0.5μs64μs1936μs死時(shí)間在整個(gè)刷新間隔內(nèi)，前一段時(shí)間進(jìn)行正常讀/寫(xiě)周期或維持周期，最后64us則集中進(jìn)行刷新操作。正常讀/寫(xiě)操作與刷新操作分開(kāi)進(jìn)行，刷新集中完成。特點(diǎn)：存在一段停止讀/寫(xiě)操作的死時(shí)間適用于高速存儲(chǔ)器200566華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（4）DRAM的刷新②分散式刷新tctmtr一個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)周期tc的前半段時(shí)間tm用來(lái)進(jìn)行讀/寫(xiě)操作或維持信息，后半段時(shí)間tr則作為刷新操作時(shí)間。這樣每經(jīng)過(guò)128個(gè)系統(tǒng)周期時(shí)間，整個(gè)存儲(chǔ)器便全部刷新一遍。將一個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)周期分成兩個(gè)時(shí)間片，分時(shí)進(jìn)行正常讀/寫(xiě)、維持操作和刷新操作。特點(diǎn)：不存在停止讀/寫(xiě)操作的死時(shí)間但系統(tǒng)運(yùn)行速度降低200567華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（4）DRAM的刷新③異步式刷新0.5μs0.5μstc0.5μs0.5μstcREFW/RW/RW/RW/RREFW/RW/RW/RW/R15.6μs15.6μs前兩種方式的結(jié)合，每隔一段時(shí)間刷新一次，保證在刷新周期內(nèi)對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)器刷新一遍。例如：刷新周期為2ms，存儲(chǔ)器共有128行，2000μs÷128≈15.6μs即每隔15.6μs刷新一行200568華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（4）DRAM的刷新例2）討論1M×1位DRAM芯片的刷新方法，設(shè)刷新周期為8ms，芯片以512×2048矩陣排列解：刷新以行進(jìn)行，刷新時(shí)一行上的2048個(gè)存儲(chǔ)元同時(shí)進(jìn)行，芯片共512行，因此刷新地址為A0—A8，即在8ms內(nèi)進(jìn)行512次刷新操作。·集中刷新方式：在8ms內(nèi)用連續(xù)的512個(gè)讀/寫(xiě)周期作為刷新操作，其余為正常讀寫(xiě)操作；·異步刷新方式：8ms÷512＝15.6μs每15.6μs定時(shí)刷新一次200569華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系2.DRAM（5）標(biāo)準(zhǔn)的刷新操作①只用RAS’信號(hào)的刷新：只用RAS’信號(hào)來(lái)控制刷新優(yōu)點(diǎn)：消耗的電流小缺點(diǎn)：需要外部刷新地址計(jì)數(shù)器②CAS’在RAS’之前的刷新：當(dāng)先送CAS’信號(hào)，再送RAS’信號(hào)時(shí)，表示進(jìn)入刷新操作，并自動(dòng)將芯片內(nèi)刷新地址計(jì)數(shù)器加1200570華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系（5）標(biāo)準(zhǔn)的刷新操作③隱含式刷新：正常讀/寫(xiě)周期內(nèi)，在RAS’信號(hào)線上加一個(gè)脈沖表示刷新命令，芯片在這個(gè)信號(hào)控制下進(jìn)行刷新操作，地址由內(nèi)部提供。優(yōu)點(diǎn)：不需提供專(zhuān)門(mén)的刷新周期，提高速度200571華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器三、半導(dǎo)體只讀存儲(chǔ)器

掩模式只讀存儲(chǔ)器ROMROM熔絲式PROM

可編程只讀存儲(chǔ)器光可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EPROM電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM

優(yōu)點(diǎn)：具有不易失性，即使電源被切斷，ROM的信息也不會(huì)丟失。用途：存放系統(tǒng)文件和固定參數(shù)，便于系統(tǒng)調(diào)用。200572華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、半導(dǎo)體只讀存儲(chǔ)器◆EPROM的規(guī)格和實(shí)例①規(guī)格2716（2K×8位）2732（4K×8位）

2764（8K×8位）

27128（16K×8位）等等多片連接可構(gòu)成不同容量的只讀存儲(chǔ)器200573華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、半導(dǎo)體只讀存儲(chǔ)器②實(shí)例介紹Intel2716EPROMX譯碼2K×8位存儲(chǔ)矩陣Y譯碼Y門(mén)片選，功率下降和編程邏輯輸出緩沖器……

…D0-D7數(shù)據(jù)CSPD/PGMA0-A10地址輸入VccGNDVpp

A10～A0

：2K個(gè)存儲(chǔ)單元需11根地址線選擇

11條地址線中，7條用于行譯碼，4條用于列譯碼

PD/PGM（功率下降/編程控制）：讀出時(shí)為L(zhǎng)；未選中為H，為功率下降方式；編程時(shí)加編程脈沖（脈寬50ms）

Vpp：片子正常工作時(shí)加＋5V電源，編程時(shí)需加＋25V電源200574華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、半導(dǎo)體只讀存儲(chǔ)器③Intel2716的工作模式PD/PGMCS’VppVccD7～D0讀低低+5V+5V輸出未選中無(wú)關(guān)高+5V+5V高阻功率下降高無(wú)關(guān)+5V+5V高阻編程正脈沖脈寬50ms高+25V+5V輸入可以將PD/PGM與CS’相連，這樣沒(méi)有選中的片子可工作在功率下降方式，以降低功耗（525mw→132mw(↓75%))。200575華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、半導(dǎo)體只讀存儲(chǔ)器④Intel2716的工作時(shí)序

讀周期：地址有效，PD/PGM與CS’同時(shí)為L(zhǎng)，數(shù)據(jù)經(jīng)tACC1延時(shí)后由存儲(chǔ)矩陣讀出，但能否送到外部數(shù)據(jù)總線，還取決于片選信號(hào)（CS’有效后經(jīng)tc0延時(shí)）地址有效片選信號(hào)有效數(shù)據(jù)輸出有效后備周期:——功率下降方式

PD/PGM信號(hào)為高電平數(shù)據(jù)輸出為高阻200576華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系§7層次結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器7.1概述7.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器7.3主存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法200577華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.3主存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法◎構(gòu)成主存的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片種類(lèi)、特點(diǎn)

◎構(gòu)成一定容量存儲(chǔ)器的方法◎如何與CPU相連200578華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.3主存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法存儲(chǔ)器和CPU是通過(guò)總線接口的地址總線的連接——地址總線傳輸被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的地址信號(hào)數(shù)據(jù)總線的連接——數(shù)據(jù)總線傳輸被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的內(nèi)容控制總線的連接——控制總線傳輸讀/寫(xiě)控制信號(hào)和其他控制信號(hào)200579華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.3主存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法連接總線需考慮的問(wèn)題：①靜態(tài)特性：·CPU總線與存儲(chǔ)器芯片各引腳的連接方法；·邏輯電平和靜態(tài)負(fù)載能力；②動(dòng)態(tài)特性：操作時(shí)序的約束條件掌握要點(diǎn)：①所用存儲(chǔ)器芯片的容量及外部特性；②CPU、存儲(chǔ)器的讀/寫(xiě)操作時(shí)序；③兩者的接口方法200580華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.3主存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法一、存儲(chǔ)器與總線的連接方法1.芯片的擴(kuò)展問(wèn)題：?jiǎn)蝹€(gè)存儲(chǔ)器芯片容量有限，字?jǐn)?shù)和字長(zhǎng)與實(shí)際存儲(chǔ)器的要求相差甚遠(yuǎn)解決方法：

多個(gè)存儲(chǔ)芯片組合·位擴(kuò)展法·字?jǐn)U展法

·字位同時(shí)擴(kuò)展法200581華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系1.芯片的擴(kuò)展位擴(kuò)展法當(dāng)存儲(chǔ)芯片所能提供的數(shù)據(jù)位數(shù)不能滿足存儲(chǔ)器的字長(zhǎng)要求時(shí)，采用位擴(kuò)展法進(jìn)行擴(kuò)展。方法：①各芯片的數(shù)據(jù)線分別接到數(shù)據(jù)總線的各位上；

各芯片并聯(lián)相接，滿足數(shù)據(jù)線寬度要求②各芯片的地址線并接在一起，連到相應(yīng)的地址總線各位；③各芯片的控制線并接在一起，連到相應(yīng)的控制線上200582華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系(1)位擴(kuò)展法

用8K×1的RAM存儲(chǔ)芯片組成8K×8位的存儲(chǔ)器I/O0I/O1I/O2I/O3I/O4I/O5I/O6中央處理器(CPU)8K×1I/O7數(shù)據(jù)總線地址總線A0A12…D0D7需8片并聯(lián)相接此例沒(méi)有考慮控制信號(hào)，所以芯片的CS’應(yīng)接“L”，芯片恒選中；每一條地址線接有8個(gè)負(fù)載，需考慮負(fù)載問(wèn)題。200583華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系(1)位擴(kuò)展法

例3）用256K×1位的存儲(chǔ)芯片構(gòu)成256K×32位的存儲(chǔ)器。畫(huà)出該存儲(chǔ)器與CPU連接的邏輯框圖，設(shè)CPU的接口信號(hào)有地址信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)和控制信號(hào)MREQ’、R/W’。解：①芯片的數(shù)據(jù)線寬度為1，而存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)位要求32位，不能滿足需要。可通過(guò)位擴(kuò)展法，用32片芯片并聯(lián)完成數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。32位/1位＝32（片）200584華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系(1)位擴(kuò)展法

②完成地址總線的連接：256K＝218

所以需用18根地址線選擇芯片內(nèi)的256K存儲(chǔ)單元，CPU地址線為A17－A0③完成數(shù)據(jù)總線的連接：各存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)線依次與數(shù)據(jù)總線的各位相連。200585華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系(1)位擴(kuò)展法

④完成控制總線的連接：·各存儲(chǔ)芯片的片選信號(hào)CE’并接，并與CPU的存儲(chǔ)器訪問(wèn)有效信號(hào)MREQ’相連?！じ鞔鎯?chǔ)芯片的寫(xiě)信號(hào)WE’并接，并與CPU的讀寫(xiě)控制信號(hào)R/W’相連。200586華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系(1)位擴(kuò)展法

電路圖：200587華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系1.芯片的擴(kuò)展(2)字?jǐn)U展法用存儲(chǔ)容量較小的芯片組成容量較大的存儲(chǔ)器時(shí)，需采用字?jǐn)U展法進(jìn)行擴(kuò)展。即采用多片串聯(lián)的方法，擴(kuò)大容量。方法：①將各存儲(chǔ)芯片地址線、數(shù)據(jù)線、讀/寫(xiě)控制線并聯(lián)，接到相應(yīng)的總線上；②將地址線的高位送地址譯碼器產(chǎn)生片選信號(hào)，接各存儲(chǔ)芯片的CE’端，以選擇芯片。

以高位地址選擇各存儲(chǔ)器芯片（多片串聯(lián)）200588華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系(2)字?jǐn)U展法

用16K×8的RAM存儲(chǔ)芯片組成64K×8位的存儲(chǔ)器需4片串聯(lián)，通過(guò)譯碼產(chǎn)生片選由4片16K×8的RAM存儲(chǔ)芯片組成64K×8位的存儲(chǔ)器各芯片的數(shù)據(jù)線并接與數(shù)據(jù)總線D0—D7對(duì)應(yīng)相連因?yàn)槊科酒娜萘繛?6K，所以片內(nèi)尋址需要14根地址線

(A0-A13)

最高兩位地址線經(jīng)2-4譯碼器譯碼產(chǎn)生片選信號(hào)CE’第1片第2片第3片第4片片外地址A15A1400011011片內(nèi)地址A13–A000000000000000～11111111111111地址范圍0000～3FFF4000～7FFF8000～BFFFC000～FFFF16K×8(4)WE’CPUD0—D7

16K×8(1)WE’CE’

16K×8

(2)WE’

16K×8(3)WE’…………譯碼器2:4A0WE’A13A14A150123BAY3’Y2’Y1’Y0’A13A0CE’CE’CE’D0—D7D0—D7D0—D7D0—D7A13A0A13A0A13A0G’200589華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系(2)字?jǐn)U展法

例4）用256K×8位的存儲(chǔ)芯片構(gòu)成2048KB的存儲(chǔ)器。畫(huà)出該存儲(chǔ)器與CPU連接的邏輯框圖，設(shè)CPU的接口信號(hào)有地址信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)和控制信號(hào)MREQ’、R/W’。解：①芯片的存儲(chǔ)單元容量為256K，而存儲(chǔ)器的容量要求為2048K，顯然不能滿足需要?？赏ㄟ^(guò)字?jǐn)U展法，由多片存儲(chǔ)芯片串聯(lián)來(lái)設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器。2048K/256K＝8（片）200590華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系(2)字?jǐn)U展法

②完成地址總線的連接：·存儲(chǔ)芯片容量為256K＝218

用地址總線的低位地址A17－A0連接芯片地址線，選擇片內(nèi)存儲(chǔ)單元·用地址總線的高位地址A20、A19、A18送譯碼器譯碼產(chǎn)生8個(gè)選擇信號(hào)，分別連接各存儲(chǔ)芯片的片選控制端CE’，以選擇各存儲(chǔ)芯片200591華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系(2)字?jǐn)U展法

③完成數(shù)據(jù)總線的連接：各存儲(chǔ)芯片的各位數(shù)據(jù)線相應(yīng)并接，并與數(shù)據(jù)總線的各位對(duì)應(yīng)相連。④完成控制總線的連接：·各存儲(chǔ)芯片的寫(xiě)信號(hào)WE’并接，并與CPU的讀寫(xiě)控制信號(hào)R/W’相連?！PU的存儲(chǔ)器訪問(wèn)有效信號(hào)MREQ’接譯碼器的使能控制端OE’。

200592華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系(2)字?jǐn)U展法

電路圖D7～D0D7～D0D7～D0D7～D0CBAA17～A0A17～A0A17～A0A17～A0200593華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系1.芯片的擴(kuò)展(3)字位同時(shí)擴(kuò)展法用容量為l×k位的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)容量為M×N位的存儲(chǔ)器（l＜M，k＜N），需要字向、位向同時(shí)進(jìn)行擴(kuò)展。

共需存儲(chǔ)芯片數(shù)為：(M/l)×(N/k)

200594華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系(3)字位同時(shí)擴(kuò)展法例5）用16K×4位的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)容量為32K×8位的存儲(chǔ)器。解：需存儲(chǔ)芯片數(shù)為：（32K/16K）×（8/4）=4（片）由每組二片存儲(chǔ)芯片完成位擴(kuò)展；二組這樣的存儲(chǔ)芯片完成字?jǐn)U展。200595華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系(3)字位同時(shí)擴(kuò)展法

電路圖：尋址分解為：·選中某一存儲(chǔ)芯片——片選通常用高位地址產(chǎn)生譯碼信號(hào)·選中該芯片的某一存儲(chǔ)單元——字選通常用低位地址選擇存儲(chǔ)芯片的增多會(huì)增加總線的負(fù)載，需加驅(qū)動(dòng)CPUD0—D716K×4(1)WECE16K×4(1)WECE16K×4(2)WECE16K×4(2)WECE…………譯碼器2:4A0WEA13A14A150123D0—D3D4—D7D0—D3D4—D7D3～D0D3～D0D3～D0D3～D0A13A13A13A13A0A0A0A0200596華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系一、存儲(chǔ)器與總線的連接方法2.芯片的尋址系統(tǒng)區(qū)(1)存儲(chǔ)器地址分配RAM用戶區(qū)ROM(2)芯片擴(kuò)展200597華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系一、存儲(chǔ)器與總線的連接方法奔騰PC機(jī)主存物理地址存儲(chǔ)空間分布：ROM(系統(tǒng)BIOS等)影子內(nèi)存(開(kāi)機(jī)后，高端ROM拷貝至此)接口卡BIOS使用128K顯示緩沖區(qū)128K基本內(nèi)存擴(kuò)展內(nèi)存地址使用容量0000000009FFFF00A000000BFFFF00C000000DFFFF00E000000FFFFF0100000015FFFF01600000FFFFFFFFE0000FFFFFFF640KB保留內(nèi)存384KB14976KB16MB128KB最大可配置主存空間要受到存儲(chǔ)控制器芯片最大支持能力的限制出于系統(tǒng)軟件繼承性的考慮，存儲(chǔ)空間被分成基本內(nèi)存、保留內(nèi)存和擴(kuò)展內(nèi)存等幾部分奔騰CPU的數(shù)據(jù)總線寬度為64位，地址總線寬度為32位實(shí)際地址引腳是A35-A3和8個(gè)字節(jié)使能信號(hào)BE7-BE0A35-A32高4位地址只用于線性變換，物理地址并不使用

∴奔騰主存的物理地址空間仍是232=4GB=4096MB200598華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系2.芯片的尋址芯片尋址方式①線選方式除片內(nèi)尋址以外的地址總線高位中的某一位信號(hào)，可直接用來(lái)作為選擇某一存儲(chǔ)芯片的片選信號(hào)優(yōu)點(diǎn)：不需專(zhuān)門(mén)的譯碼電路缺點(diǎn)：·可尋址的芯片數(shù)受到很大限制；·譯碼產(chǎn)生的地址空間不是連續(xù)的。200599華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系2.芯片的尋址②譯碼方式通過(guò)譯碼產(chǎn)生片選信號(hào)優(yōu)點(diǎn)：尋址范圍大；地址空間連續(xù)·全譯碼——所有高位地址參與譯碼優(yōu)點(diǎn)：尋址地址唯一確定缺點(diǎn)：譯碼電路較復(fù)雜·部分譯碼——不考慮那些暫不使用的高位地址優(yōu)點(diǎn)：譯碼電路簡(jiǎn)單缺點(diǎn)：各地址段有很大重疊區(qū)2005100華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.3主存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法二、存儲(chǔ)器如何與CPU定時(shí)同步

討論：存儲(chǔ)器與CPU的動(dòng)態(tài)匹配問(wèn)題要求：①分析CPU的存儲(chǔ)器讀/寫(xiě)周期時(shí)序；②分析存儲(chǔ)芯片的讀/寫(xiě)時(shí)序。2005101華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系二、存儲(chǔ)器如何與CPU定時(shí)同步分析2114的讀寫(xiě)時(shí)序讀：①CPU的存儲(chǔ)器讀/寫(xiě)周期必須大于tRC；

CPU發(fā)出地址信號(hào)到讀取數(shù)據(jù)的時(shí)間必須大于tA；如希望能在tA時(shí)間讀取數(shù)據(jù)，則必須在地址有效后的（tA-tCO）時(shí)間內(nèi)使CS’有效。如不能滿足要求：①改用其他高速存儲(chǔ)芯片②拉長(zhǎng)CPU時(shí)序tRCtA2005102華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系二、存儲(chǔ)器如何與CPU定時(shí)同步分析2114的讀寫(xiě)時(shí)序?qū)懀孩貱S’與WE’同時(shí)有效的寬度至少為tW；

地址信號(hào)改變期間，WE’必須無(wú)效；要求CPU送來(lái)的寫(xiě)入數(shù)據(jù)在總線上保持的時(shí)間足夠長(zhǎng)，且在WE’無(wú)效后還需保持一段時(shí)間。如不能滿足要求：①改用其他高速存儲(chǔ)芯片②拉長(zhǎng)CPU時(shí)序2005103華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.3主存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法三、設(shè)計(jì)舉例例6）設(shè)有若干片256K×8位的SRAM芯片，請(qǐng)構(gòu)成2048K×32位的存儲(chǔ)器。（1）需要多少片RAM芯片？（2）該存儲(chǔ)器需要多少地址線？（3）畫(huà)出該存儲(chǔ)器與CPU連接的邏輯結(jié)構(gòu)圖，設(shè)CPU的接口信號(hào)有地址信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)和控制信號(hào)MREQ’、R/W’。SRAM存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)2005104華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、設(shè)計(jì)舉例解：①采用字位擴(kuò)展的方法，該存儲(chǔ)器需要：（2048K/256K）×（32/8）=32片其中每4片構(gòu)成一個(gè)字的存儲(chǔ)芯片組（位擴(kuò)展），8組芯片進(jìn)行字?jǐn)U展。②采用字尋址方式，需要21條地址線，其中高3位用于芯片選擇，譯碼器的輸出連接存儲(chǔ)器芯片的片選信號(hào)。低18位作為每個(gè)存儲(chǔ)器芯片的地址輸入。2005105華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、設(shè)計(jì)舉例③組內(nèi)按位擴(kuò)展法連接數(shù)據(jù)線組間按字?jǐn)U展法連接數(shù)據(jù)線④用CPU的MREQ’信號(hào)作為譯碼器芯片的使能控制信號(hào)；CPU的R/W’接芯片寫(xiě)控制信號(hào)WE’。2005106華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、設(shè)計(jì)舉例電路圖：D7～D0D7～D0D7～D0D7～D0A17～A0A17～A0A17～A0A17～A0CBA2005107華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、設(shè)計(jì)舉例例7）：解：根據(jù)給定條件，選用：EPROM8K×8位芯片1片；SRAM8K×8位芯片3片；2K×8位芯片1片。分析地址：0－8191＝0000000000000000－00011111111111118192－32767＝0010000000000000－011111111111111163488－65535＝1111100000000000－1111

111111111111用高位地址A15、A14、A13進(jìn)行譯碼SRAM+EPROM存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)∴·選擇EPROM時(shí)：用3:8譯碼器的Y0輸出端；·選擇3片8K×8位SRAM時(shí)：用3:8譯碼器的Y1/Y2/Y3輸出端；·選擇2K×8位SRAM時(shí)，則需Y7輸出端以及A11和A12地址線同時(shí)有效2005108華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、設(shè)計(jì)舉例電路圖：Y7’Y2’Y1’Y0’Y3’RAM和ROM的區(qū)別：ROM不需讀/寫(xiě)控制思考：①低功耗工作方式②最后2K的電路實(shí)現(xiàn)MREQ’……D0…D7CE’PD/PGM2005109華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、設(shè)計(jì)舉例例8）某計(jì)算機(jī)的主存地址空間中(64K)：地址0000H～3FFFH：ROM存儲(chǔ)區(qū)域(16K)；地址4000H～5FFFH：保留地址區(qū)域(8K)；地址6000H～FFFFH：RAM地址區(qū)域(40K)。RAM的控制信號(hào)為CS’和WE’，CPU的地址線為A15-A0，數(shù)據(jù)線為D7～D0，控制信號(hào)有讀寫(xiě)控制R/W’和訪存請(qǐng)求MREQ’。如果ROM和RAM存儲(chǔ)器芯片都采用8K×1位的芯片，試畫(huà)出存儲(chǔ)器與CPU的連接圖。SRAM+EPROM存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)2005110華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、設(shè)計(jì)舉例解：①分析：存儲(chǔ)器地址空間為216=64KB·ROM存儲(chǔ)區(qū)域的容量為214=16KB；·保留存儲(chǔ)區(qū)域容量為8KB；·RAM的存儲(chǔ)區(qū)域?yàn)?4-16-8=40KB。地址譯碼采用以8KB為一個(gè)區(qū)域單位的方式，將64KB的存儲(chǔ)空間分為8個(gè)8KB的區(qū)域，用地址的高3位作為區(qū)域選擇譯碼信號(hào)。2005111華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、設(shè)計(jì)舉例譯碼方案：·ROM的地址區(qū)域?yàn)?000H～3FFFH(16KB),其高位地址A15～A13為000～001,所以用Y0和Y1的輸出作為ROM的選擇信號(hào)(romsel0、romsel1)；·RAM的地址區(qū)域?yàn)?000H～FFFFH，其高位地址A15～A13位為011～111，所以用Y3～Y7作為RAM的選擇信號(hào)（ramsel0-ramsel4）。2005112華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、設(shè)計(jì)舉例②位擴(kuò)展：8KB的存儲(chǔ)區(qū)域可以用8片存儲(chǔ)芯片構(gòu)成一組實(shí)現(xiàn)。

字?jǐn)U展：ROM存儲(chǔ)區(qū)域容量為16KB，需2組串連；RAM存儲(chǔ)區(qū)域容量為40KB，需5組串連。2005113華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、設(shè)計(jì)舉例·8K×1位存儲(chǔ)芯片的地址線需要13條，即：A12～A0；·16條地址線的其余3條采用上述地址譯碼方案，譯碼輸出信號(hào)分別控制一組存儲(chǔ)芯片；·ROM芯片的連接方式與SRAM的類(lèi)似，只是不需有R/W’控制信號(hào)。2005114華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、設(shè)計(jì)舉例③電路圖C、B、AA12～A0A12～A0A12～A0A12～A02005115華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、設(shè)計(jì)舉例例9）用1M×4位的DRAM存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)4M×32位的存儲(chǔ)器。①設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器控制電路功能：·CPU與DRAM芯片之間的接口電路，如：行、列地址轉(zhuǎn)換；產(chǎn)生RASi’及CASi’信號(hào)等·為DRAM存儲(chǔ)器的刷新提供硬件電路支持，包括刷新計(jì)數(shù)器、刷新/訪存裁決、刷新控制邏輯等DRAM控制器——完成上述功能的集成電路芯片DRAM存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)2005116華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、設(shè)計(jì)舉例DRAM控制器框圖：DRAM存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)CPUDRAM刷新地址計(jì)數(shù)器地址多路開(kāi)關(guān)刷新定時(shí)器仲裁電路時(shí)序發(fā)生器讀/寫(xiě)地址總線地址RASCASWR地址多路開(kāi)關(guān)：向DRAM分時(shí)送出行地址和列地址，刷新時(shí)則提供刷新地址刷新定時(shí)器：根據(jù)刷新周期的時(shí)間要求，定時(shí)提供刷新請(qǐng)求刷新地址計(jì)數(shù)器：提供刷新地址計(jì)數(shù)值仲裁電路：對(duì)來(lái)自CPU的訪問(wèn)存儲(chǔ)器的請(qǐng)求和來(lái)自刷新定時(shí)器的刷新請(qǐng)求進(jìn)行優(yōu)先權(quán)裁定時(shí)序發(fā)生器：提供各類(lèi)控制信號(hào)，如：RAS’、CAS’和WE’，以滿足存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問(wèn)和刷新的要求2005117華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系三、設(shè)計(jì)舉例W4006AFDRAM控制器——配套80386CPU設(shè)計(jì)特點(diǎn)：·可以控制兩個(gè)存儲(chǔ)體交叉訪問(wèn)·可連接容量為256K、1M、4M、16M的DRAM芯片·最多可以控制128個(gè)DRAM芯片（4組×32位）·采用CAS’在RAS’之前的刷新方式DRAM存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)2005118華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系主存儲(chǔ)器組成實(shí)例CASCASCASCASCASCASCASCASCPUCAS7CAS6CAS5CAS4CASCASCASCASCASCASCASCASA0-A9WE’RAS’CE’CAS3CAS2CAS1CAS0CASCASCASCASCASCASCASCASCAS11CAS10CAS9CAS8（1M×4位DRAM）×8雙向數(shù)據(jù)總線（D0-D31）W4006AFA2-A31BE0’BE1’BE2’BE3’C22-C31M4M16CK16CK32設(shè)置方式控制信號(hào)MA01-MAB1CAS0’-CAS3’RAS0’WR0’MA02-MAB2WR1’RAS1’CAS4’-CAS7’CAS8’-CAS11’RAS2’A0-A9A0-A9WE’WE’CE’CE’RAS’RAS’該例容量4M×32位，共需22根地址線·片內(nèi)尋址：1M，需20根地址線，分行、列兩次輸入（A9～A0)接W4006AF的MA01-MAB1/MA02-MAB2引腳(24根，最大可接16M芯片)·片選：4組，需2根地址線，譯碼產(chǎn)生RAS0’～RAS3’A1、A0兩根地址線由CPU內(nèi)部譯碼產(chǎn)生BE0’～BE3’，送W4006AF產(chǎn)生相應(yīng)CASi’信號(hào)，選擇32位，完成字節(jié)、字、雙字操作?！E0選擇CAS0/CAS4/CAS8/CAS12(即D7-D0)·BE1選擇CAS1/CAS5/CAS9/CAS13(即D15-D8)……可以將該圖中的W4006AF和存儲(chǔ)大模塊看成是一根內(nèi)存條，容量可為64M(16M芯片),16M(4M芯片),4M(1M芯片),1M(256K芯片)

每個(gè)存儲(chǔ)小模塊內(nèi)是位擴(kuò)展，而小模塊之間是字?jǐn)U展·A2-A31與BE0-BE3配合，可產(chǎn)生32位地址線，理論上可支持4G的內(nèi)存，因此一個(gè)CPU可以連接多個(gè)W4006AF，即多根內(nèi)存條

方式控制：·CK32/CK16：指定W4006AF工作時(shí)鐘信號(hào)的頻率為32MHz/40MHz·M4/M16：指定被控制的DRAM芯片的大小為256K/1M/4M/16M·C22-C31：相當(dāng)于片選信號(hào)，用于選擇若干個(gè)W4006AF電路中的某一個(gè)，共10根可選擇1KW4006AF模塊(最小模塊為1M)1M：20根地址線字節(jié)尋址：2根共22根，A32-A22：其余為模塊選擇2005119華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系思考：限制高速運(yùn)行的主要問(wèn)題⑴存儲(chǔ)器的速度慢于CPU（制作工藝、材料決定）；⑵在一個(gè)CPU周期內(nèi)可能需要幾個(gè)存儲(chǔ)字提高存儲(chǔ)器工作速度的技術(shù)⑴采用高性能芯片；⑵優(yōu)化存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)2005120華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系§7層次結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器7.1概述7.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器7.3主存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法7.4芯片技術(shù)與發(fā)展2005121華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.4芯片技術(shù)與發(fā)展芯片性能直接影響存儲(chǔ)器的性能——芯片技術(shù)的發(fā)展1980年：PC機(jī)主頻為4.77MHz提高幾千倍而主存的操作頻率僅提高幾倍——性能存在很大差距關(guān)鍵：主存的帶寬不夠——瓶頸∴存儲(chǔ)器技術(shù)僅局限容量提高是不夠的研究并推出各類(lèi)新的訪問(wèn)方式的芯片——提高訪問(wèn)速度2005122華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.4芯片技術(shù)與發(fā)展一、DRAM行地址→列地址→讀出數(shù)據(jù)→二、FPMD（FastPageModeDRAM）

快速頁(yè)面方式規(guī)定每一行作為一頁(yè)，存放連續(xù)的數(shù)據(jù)。這樣，在不需換頁(yè)的情況下，只要改變列地址就能讀取數(shù)據(jù)——節(jié)省了發(fā)送行地址的時(shí)間·支持猝發(fā)方式·適合于采用Cache的系統(tǒng)存取時(shí)間約120ns存取時(shí)間約80ns2005123華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.4芯片技術(shù)與發(fā)展三、EDO（ExtendedeDataOut)擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出是一種超高速頁(yè)面模式，允許CPU在第一個(gè)數(shù)據(jù)還未穩(wěn)定讀出的情況下，可給出下一個(gè)新的列地址存取時(shí)間約60ns·內(nèi)部附加數(shù)據(jù)鎖存器，允許CAS’提前改變·取消了輸出數(shù)據(jù)與讀操作之間的間隔，因而縮短了內(nèi)存的有效訪問(wèn)時(shí)間·曾流行于486及早期的Pentium微機(jī)2005124華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.4芯片技術(shù)與發(fā)展四、EDRAM增強(qiáng)型DRAM（緩存型存儲(chǔ)器）在DRAM芯片上集成了一個(gè)小容量的SRAM緩存（cache），存放最近讀取的一行內(nèi)容。存取時(shí)間約40ns前述的幾種DRAM均為異步控制給出地址、命令存儲(chǔ)器讀/寫(xiě)延時(shí)CPU只能等待2005125華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.4芯片技術(shù)與發(fā)展五、SDRAM(SynchronousDRAM）同步型動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器SDRAM是廣泛使用的高速、高容量DRAM。在存儲(chǔ)體的組織方式和對(duì)外操作上均作了重大改進(jìn)，使之在對(duì)外操作上能夠與系統(tǒng)時(shí)鐘同步；其工作原理是將RAM與CPU以相同的時(shí)鐘頻率進(jìn)行控制，使RAM和CPU的外頻同步，徹底取消等待時(shí)間，所以它的數(shù)據(jù)傳輸速度又有了很大的提高2005126華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.4芯片技術(shù)與發(fā)展◆SDRAM提高訪存速度所采取的技術(shù)

①內(nèi)部設(shè)有鎖存器，鎖存CPU給出的地址、數(shù)據(jù)，可實(shí)現(xiàn)CPU的無(wú)等待狀態(tài)②完全在系統(tǒng)時(shí)鐘控制下進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀出和寫(xiě)入，與系統(tǒng)的高速操作嚴(yán)格同步進(jìn)行③內(nèi)部結(jié)構(gòu)是可并行操作的流水線結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)體可分為多組結(jié)構(gòu)，各組可同時(shí)和獨(dú)立工作，也可串行和交替工作。

④支持猝發(fā)方式存取時(shí)間約10-20ns2005127華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.4芯片技術(shù)與發(fā)展◆SDRAM工作模式SDRAM的流水作業(yè)有多種操作模式，直接由有關(guān)引腳信號(hào)和地址信號(hào)確定，SDRAM加電后必須先設(shè)置模式寄存器，以控制SDRAM工作在不同的操作模式下。模式寄存器設(shè)置方式有：CAS延遲、猝發(fā)類(lèi)型、猝發(fā)長(zhǎng)度，測(cè)試模式和開(kāi)發(fā)特定屬性等2005128華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系五、SDRAM例10）用HY57V641620HGSDRAM存儲(chǔ)芯片完成32位RAM存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，畫(huà)出電路圖（CPU采用S3C44B0X）。解：HY57V641620HGSDRAM的容量為4M×16（4Banks×1M×16），字容量滿足要求，但需位擴(kuò)展，需2片芯片組成。·地址分兩次輸入，行地址（A0-A11）、列地址（A0-A7），共20位，選擇1M存儲(chǔ)單元，A22、A23完成塊選（4塊）。SDRAM存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)2005129華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系例10）·DQMO-DQM3為字節(jié)選擇，由CPU芯片根據(jù)地址A0、A1產(chǎn)生?！てx端接存儲(chǔ)塊譯碼選擇信號(hào)，這里接bank0（nSCS0）。SDRAM存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)2005130華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系例10）SDRAM存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)LADDR22LADDR232005131華東師范大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系7.4芯片技術(shù)與發(fā)展六、DDRSDRAM（DualDateRateSDRAM）雙倍速率SDRAM其最大特點(diǎn)是能在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸（SDRAM僅能在