GB/T 1553-2009硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1553—2009

代替

GB/T1553—1997

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定

光電導(dǎo)衰減法

Testmethodsforminoritycarrierlifetimeinbulkgermanium

andsiliconbymeasurementofphotoconductivitydecay

2009-10-30發(fā)布2010-06-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定

光電導(dǎo)衰減法

ＧＢ／Ｔ１５５３—２００９

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京復(fù)興門外三里河北街１６號

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開本８８０×１２３０１／１６印張１字?jǐn)?shù)２４千字

２０１０年１月第一版２０１０年１月第一次印刷

書號：１５５０６６·１３９５５２

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書

犌犅／犜１５５３—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ１５５３—１９９７《硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比，主要有如下變化：

———新增加少子壽命值的測量下限范圍；

———刪除了有關(guān)“斬切光”的內(nèi)容；

———本標(biāo)準(zhǔn)將ＧＢ／Ｔ１５５３—１９９７中第７章“試劑和材料”和第８章“測試儀器”并為第６章“測量儀

器”；

———本標(biāo)準(zhǔn)增加了“術(shù)語”章和“體壽命”的解釋；

———本標(biāo)準(zhǔn)在“干擾因素”章增加了對各干擾因素影響的消除方法。

本標(biāo)準(zhǔn)的附錄Ａ為規(guī)范性附錄。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：峨嵋半導(dǎo)體材料廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：江莉、楊旭。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ１５５３—１９７９、ＧＢ５２５７—１９８５、ＧＢ／Ｔ１５５３—１９９７。

Ⅰ

書

犌犅／犜１５５３—２００９

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定

光電導(dǎo)衰減法

１范圍

１．１本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅和鍺單晶體內(nèi)少數(shù)載流子壽命的測量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于非本征硅和鍺單晶體

內(nèi)載流子復(fù)合過程中非平衡少數(shù)載流子壽命的測量。

１．２本標(biāo)準(zhǔn)為脈沖光方法。這種方法不破壞試樣的內(nèi)在特性，試樣可以重復(fù)測試，但要求試樣具有特

殊的條形尺寸和研磨的表面，見表１。

表１單位為毫米

類型長度寬度厚度

Ａ１５．０２．５２．５

Ｂ２５．０５．０５．０

Ｃ２５．０１０．０１０．０

１．３本標(biāo)準(zhǔn)可測的最低壽命值為１０μｓ，取決于光源的余輝，而可測的最高壽命值主要取決于試樣的尺

寸，見表２。

表２單位為微秒

材料類型Ａ類型Ｂ類型Ｃ

ｐ型鍺３２１２５４６０

ｎ型鍺６４２５０９５０

ｐ型硅