標準解讀
《GB/T 30110-2013 空間紅外探測器碲鎘汞外延材料參數(shù)測試方法》是一項國家標準,旨在規(guī)定空間用紅外探測器中碲鎘汞(HgCdTe)外延材料的關(guān)鍵參數(shù)及其測試方法。該標準適用于對用于制造空間紅外探測器的碲鎘汞外延薄膜進行質(zhì)量控制和性能評估時所采用的技術(shù)要求。
根據(jù)標準內(nèi)容,它首先明確了適用范圍,即針對的是空間應用領(lǐng)域內(nèi)的紅外探測器,這些探測器使用碲鎘汞作為敏感材料。接著,定義了相關(guān)術(shù)語與定義,確保行業(yè)內(nèi)對于關(guān)鍵概念有一致的理解基礎(chǔ)。
在材料參數(shù)方面,本標準涵蓋了碲鎘汞外延層的主要物理特性指標,包括但不限于載流子濃度、遷移率、禁帶寬度等,這些都是評價材料光電性能的重要依據(jù)。同時,還詳細說明了如何通過特定實驗手段來準確測量上述參數(shù)值,比如霍爾效應法測定電導類型及載流子濃度、光譜反射/透射分析確定禁帶寬度等。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2013-12-17 頒布
- 2014-05-15 實施
文檔簡介
ICS49060
H80.
中華人民共和國國家標準
GB/T30110—2013
空間紅外探測器碲鎘汞外延材料
參數(shù)測試方法
Measuringmethodsofparametersof
HgCdTeepilayersusedforspaceinfrareddetectors
2013-12-17發(fā)布2014-05-15實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
GB/T30110—2013
目次
前言
…………………………Ⅰ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
符號和說明
4………………3
材料參數(shù)測試方法
5………………………4
組分與厚度測試
5.1……………………4
表面晶向測試
5.2………………………8
晶格常數(shù)測試
5.3………………………9
表面平整度測試
5.4……………………10
表面粗糙度測試
5.5……………………12
材料電學參數(shù)測試
5.6…………………13
少數(shù)載流子壽命測試
5.7………………16
位錯密度測試
5.8………………………18
表面缺陷密度測試
5.9…………………20
射線雙晶衍射半峰寬測試
5.10X……………………20
射線形貌測試
5.11X…………………22
材料性能非均勻性測試
5.12…………23
空間環(huán)境下材料抗輻照性能測試方法
6…………………24
試驗條件
6.1……………24
材料抗輻照性能參數(shù)測試
6.2…………24
材料參數(shù)的精密度精確度和不確定度測試方法
7、……………………24
測試設(shè)備要求
8……………24
附錄規(guī)范性附錄材料的光學常數(shù)
A()…………………25
附錄規(guī)范性附錄縱向組分梯度分布的碲鎘汞外延材料透過率T+和反射率R-的計算
B()aa……26
附錄資料性附錄激光干涉儀原理
C()…………………29
附錄資料性附錄位錯密度測量值的標準均方差與腐蝕坑計數(shù)平均值的關(guān)系
D()…30
參考文獻
……………………31
GB/T30110—2013
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準由全國空間科學及其應用標準化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC312)。
本標準起草單位中國科學院上海技術(shù)物理研究所中國電子科技集團第十一研究所中國兵器工
:、、
業(yè)集團昆明物理研究所
。
本標準主要起草人楊建榮周立慶魏彥鋒折偉林孫士文陳路王金義何力
:、、、、、、、。
Ⅰ
GB/T30110—2013
空間紅外探測器碲鎘汞外延材料
參數(shù)測試方法
1范圍
本標準規(guī)定了空間紅外探測器用碲鎘汞外延材料性能參數(shù)的測試方法和測試設(shè)備
(HgCdTe)
要求
。
本標準適用于空間紅外探測器用碲鎘汞外延材料的參數(shù)測試其他用途的碲鎘汞外延材料參數(shù)的
,
測試可參照使用
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導衰減法
GB/T1553—2009-
半導體單晶晶向測定方法
GB/T1555—2009
非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法
GB/T4326—2006
微電子器件試驗方法和程序
GJB548B—2005
材料物理性能測試方法的精密度精確度和不確定度
GJB1485、
測量設(shè)備的質(zhì)量保證要求計量確認體系
GJB2712
3術(shù)語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本文件
。
31
.
襯底substrate
為外延提供周期性排列的表面原子結(jié)構(gòu)的單晶材料
。
32
.
外延材料epitaxialmaterial
在單晶襯底上用氣相和液相等生長方法獲得的單晶薄膜材料
。
33
.
液相外延liquidphaseepitaxyLPE
;
把半導體材料溶解在溶劑中
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