標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 1557-1989 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法》與前一版《GB 1557-1983》相比，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了調(diào)整和完善：

  1. 標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)的變化：從標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)可見，《GB/T 1557-1989》由原來的強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)（GB）轉(zhuǎn)變?yōu)橥扑]性國家標(biāo)準(zhǔn)（GB/T），意味著該標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用不再是強(qiáng)制要求，而是推薦給行業(yè)和企業(yè)參考使用。

  2. 技術(shù)內(nèi)容更新：新版標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)硅晶體中間隙氧含量的測(cè)量原理、操作步驟、儀器設(shè)備要求等方面進(jìn)行了細(xì)化或修訂，以適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步和測(cè)量精度提升的需求。具體而言，可能包括了更精確的校準(zhǔn)方法、更嚴(yán)格的樣品處理流程或是對(duì)測(cè)量環(huán)境條件的更詳細(xì)規(guī)定。

  3. 檢測(cè)限與精度提升：隨著分析技術(shù)的發(fā)展，新標(biāo)準(zhǔn)很可能會(huì)設(shè)定更為嚴(yán)格的檢測(cè)限值，提高測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性和重復(fù)性，以滿足高純度硅材料生產(chǎn)中的質(zhì)量控制需求。

  4. 術(shù)語和定義的明確：為了統(tǒng)一行業(yè)理解和應(yīng)用，新標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)涉及的專業(yè)術(shù)語給出了更精確的定義，或者新增了一些與當(dāng)時(shí)技術(shù)發(fā)展相匹配的概念解釋。

  5. 試驗(yàn)方法的優(yōu)化：考慮到實(shí)際操作中的可行性與效率，新標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)原有的試驗(yàn)方法進(jìn)行了優(yōu)化，簡化了某些復(fù)雜步驟，或者引入了新的測(cè)量技巧和數(shù)據(jù)處理方法。

  6. 質(zhì)量控制與驗(yàn)證：增加了對(duì)測(cè)量過程的質(zhì)量控制要求，如樣品準(zhǔn)備、儀器校正、數(shù)據(jù)處理及結(jié)果驗(yàn)證的具體指導(dǎo)，確保測(cè)試結(jié)果的可靠性和可比性。


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  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 1557-2006
  • 1989-03-31 頒布
  • 1990-02-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 1557-1989硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法_第1頁
GB/T 1557-1989硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法_第2頁
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UDC669.782:543.42H21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB1557-89硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法Themethodofdetermininginterstitialoxygencontentinsiliconbyinfraredabsorption1989-03-31發(fā)布1990-02-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)硅晶體中間隙氧含量的GB1557-89紅外吸收測(cè)量方法Themethodofdetermininginterstitial代竹GB1557-83oxygencontentinsiliconbyinfraredabsorption主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用紅外吸收測(cè)定硅晶體中間隙氧含量的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于0.12·cm的硅晶體中氧含量的測(cè)量。量范圍為：的濃度從3.5×101at·cmr3至最大固溶度。2原理2.1本方法是用紅外光譜儀測(cè)定硅－氧鍵在1107cm-（9.03344m）處的紅外吸收系數(shù)來確定硅晶體中間隙氧的含量。凡是有該硅－氧鍵特征吸收帶的任何晶體均可適用。2.2本方法借助于硅單晶中氧含量與1107cm-處紅外吸收系數(shù)之間的關(guān)系。3測(cè)量儀器1雙光束紅外分光光度計(jì)或傅立葉變換紅外光譜儀。，儀器在1107cm3.1處的分辨率應(yīng)小于5cm。3.22測(cè)量樣品架。3.3低溫測(cè)量裝置，能使試樣和參比樣品維持78K的溫度。3.4千分尺，精度0.01mm。3.5標(biāo)準(zhǔn)平面平晶。試樣制備4.1測(cè)量試樣的制備4.1.1切取的試樣經(jīng)雙面研磨，兩表面無刀痕、劃傷，試樣的厚度偏差應(yīng)小于104m?！?1.2研磨后的試樣經(jīng)機(jī)械拋光或化學(xué)拋光（仲裁時(shí)應(yīng)用機(jī)械拋光樣品），使兩表面均呈鏡面，在測(cè)量部位應(yīng)無桔皮和小坑。4.1.3在試樣測(cè)量部位，兩表面的中整度均不大于2.2Pm.4.1.4在測(cè)量部位試樣的厚度差應(yīng)不大于10Pm。氧含量大于或等于1×10！at·cm-3的試樣厚度約為2mm；4.1.5氧含量小于1×10"at·cm-3的試樣厚度約為10mm。4.2參比樣品的選取與制備“.2.1參比樣品用78K空氣參為法選取（見附錄A）。4.2.2參比樣品的制備同4.1.1～4.1.4條。4.2.3參比樣品與待測(cè)

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