標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 15651-1995 半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 第5部分:光電子器件》作為中國國家標(biāo)準(zhǔn),詳細(xì)規(guī)定了光電子器件的分類、性能參數(shù)、測(cè)試方法及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存要求。然而,您提供的對(duì)比參照物不完整,無法直接進(jìn)行詳細(xì)的變更對(duì)比分析。為了進(jìn)行有效的對(duì)比,通常需要另一份具體的標(biāo)準(zhǔn)文檔或版本號(hào)來進(jìn)行細(xì)致的差異剖析,比如將其與該標(biāo)準(zhǔn)的前一版或后續(xù)修訂版相比,或者與其他相關(guān)國際標(biāo)準(zhǔn)如IEC(國際電工委員會(huì))的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較。

不過,可以一般性地說明,在不同時(shí)間發(fā)布的同類技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)之間,變更可能涉及以下幾個(gè)方面:

  1. 術(shù)語和定義更新:隨著技術(shù)進(jìn)步,新的光電子器件不斷涌現(xiàn),標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)引入新的術(shù)語或修改原有定義以適應(yīng)技術(shù)發(fā)展。
  2. 分類調(diào)整:根據(jù)器件的新類型或應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展,標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)對(duì)光電子器件的分類進(jìn)行增補(bǔ)或重新組織。
  3. 性能參數(shù)和測(cè)試方法優(yōu)化:隨著測(cè)量技術(shù)的進(jìn)步和對(duì)器件性能要求的提高,標(biāo)準(zhǔn)會(huì)更新性能參數(shù)指標(biāo)和推薦更準(zhǔn)確、高效的測(cè)試方法。
  4. 環(huán)境與可靠性要求加強(qiáng):考慮到環(huán)保要求提升和對(duì)器件長期穩(wěn)定性的更高期待,標(biāo)準(zhǔn)可能加強(qiáng)對(duì)器件環(huán)保材料使用、能耗限制以及可靠性測(cè)試的規(guī)定。
  5. 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存規(guī)范:為確保器件在流通和存儲(chǔ)過程中的安全與質(zhì)量,標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)細(xì)化相關(guān)標(biāo)識(shí)要求及包裝、運(yùn)輸規(guī)范。

沒有具體的對(duì)比對(duì)象,以上只是一般性推測(cè),實(shí)際的變更內(nèi)容需要依據(jù)完整的兩份標(biāo)準(zhǔn)文檔進(jìn)行詳細(xì)比對(duì)才能確定。


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  • 1996-04-01 實(shí)施
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GB/T 15651-1995半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第5部分:光電子器件_第1頁
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文檔簡介

UDC621.382L40中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T.15651-1995IEC747-5—1992半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第5部分:光電子器件SemiconductordevicesDiscretedevicesandintegratedcircuitsPart5:0ptoelectronicdevices1995-07-24發(fā)布1996-04-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

次第I章總則引言1(1)范圍(1)第I章術(shù)語和文字符號(hào)物理概念21.1、(電磁)輻射(IEV845-01-01)1.22光學(xué)輻射(IEV845-01-02)21.3可見光輻射(IEV845-01-03)21.4外輻射(IEV845-01-04)1.5外輻射(IEV845-01-05)1.6光(IEV845-01-06)··….…·1.7光電效應(yīng)(根據(jù)IEV845-05-33:光電探測(cè)器)2器件類型2.1半導(dǎo)體光電子器件2.2華華導(dǎo)體光發(fā)射器件2.3半導(dǎo)體光電子顯示器件2.4半導(dǎo)體激光器2.5發(fā)光二極管(LED)2.6紅外發(fā)射二極管(IRED)2.7半半導(dǎo)體光敏器件2.8華導(dǎo)體光電探測(cè)器2.9半導(dǎo)體光敏電阻,光導(dǎo)元件(IEV845-05-37)2.10光電元件,光伏電池(IEV845-05-38)2.11光電二極管(IEV845-05-39)2.12雪崩光電二極管(IEV845-05-40)2.13光電品體管·……2.14光敏閘流管·……2.153-般術(shù)語3.1光軸3.22(半導(dǎo)體光電子器件)光學(xué)窗口3.33(光學(xué))涂層(IEV-731-02-05)4與額定值和特性有關(guān)的術(shù)語4.1一般術(shù)語4.22光發(fā)射器件

4.3光電探測(cè)器件·4.4光榴合器……(16)5文字符號(hào)………(17)第Ⅱ章基本額定值和特性第1節(jié)發(fā)光二極管(用于光纖系統(tǒng)或子系統(tǒng)的器件在第7節(jié)敘述)路通···········(17)華導(dǎo)體材料…2(17)顏色···············3(17)外形與封裝細(xì)節(jié)(17)在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對(duì)最大值)除非另有規(guī)定)(18)光電特性……6(18)補(bǔ)充資料……·7(18)第2節(jié)紅外發(fā)射二極管(用于光纖系統(tǒng)或子系統(tǒng)的紅外發(fā)射二極管將在第7節(jié)敘述)(18)華導(dǎo)體材料·2(19)外形與封裝細(xì)節(jié)…3(19)在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對(duì)最大值)除非另有規(guī)定)(19)光光電特性……5(19)補(bǔ)充資料………·(19)第3節(jié)光電二極管(用于光纖系統(tǒng)或子系統(tǒng)的除外)類型……(20)華導(dǎo)體材料…22(20)外形與封裝細(xì)節(jié)…(20)在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對(duì)最大值)除非另有規(guī)定)(20)5(20)補(bǔ)充資料……6(21)第4節(jié)光電品體管(用于光纖系統(tǒng)或子系統(tǒng)的除外)(21)半導(dǎo)體材料………(21)極極性……3(21)外形與封裝細(xì)節(jié)….4(21)在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對(duì)最大值)除非另有規(guī)定)55(21)光電特茶:·····································66(21)補(bǔ)充資料…(22)

第5節(jié)光幫合器(品體管輸出)(22)半導(dǎo)體材料·2(22)輸出晶體管的極性……(23)外形與封裝細(xì)節(jié)…(23)在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對(duì)最大值)除非另有規(guī)定)5(23)光電特性…6(24)補(bǔ)充資料……(25)第6節(jié)激光二極管類型……(25)半導(dǎo)體………·2(25)外形與封裝細(xì)節(jié)…3(25)在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對(duì)最大值》除非另有規(guī)定》…(25)光光電特性………5(26)66補(bǔ)充資料·(27)第7節(jié)用于光纖系統(tǒng)或子系統(tǒng)的發(fā)光二極管和紅外發(fā)射二極管類型…·…···(27)半導(dǎo)體材料···········2外形與封裝細(xì)節(jié)·3(27)在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對(duì)最大值)除非另有規(guī)定》…(28)光電特性……5(28)補(bǔ)充資料……6(29)第8節(jié)帶尾纖的激光器組件(30)半導(dǎo)體………2(30)3外形與封裝細(xì)節(jié)·(30)在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對(duì)最大值)除非另有規(guī)定)(30)光國帶閣:············································5(31)6補(bǔ)充資料………(33)危害性………(33)第9節(jié)用于光纖系統(tǒng)或子系統(tǒng)的PIN光電二極管(33)2半導(dǎo)體材料·(33)外形與封裝細(xì)節(jié)·3(34)在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對(duì)最大值)除非另有規(guī)定)4(345光電特性·(34)補(bǔ)充資料·…6(35)

第10節(jié)帶或不帶尾纖的雪崩光電二極管(APD.)(35)半導(dǎo)體…………2(35)外形與封裝細(xì)節(jié)·(35)在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的極限值(絕對(duì)最大值)除非另有規(guī)定)(35)光電特性…536補(bǔ)充資料……………(36)第N章測(cè)試方法半導(dǎo)體發(fā)射器件測(cè)試方法….C371.1發(fā)光二極管發(fā)光強(qiáng)度(7)………(37)1.2紅紅外發(fā)射二極管的輻射強(qiáng)度(.)……(38)1.3帶或不帶尾纖的發(fā)光二極管LED、紅外發(fā)射二極管(IRED)和激光二極管輻射功率或正向電流·(39)1.4峰值發(fā)射波長(a。),光譜輻射帶寬(AA)和縱模數(shù)(u)(39)1.5帶或不帶尾纖的紅外發(fā)射二極管和發(fā)光二極管的開關(guān)時(shí)間………(42)1.6帶或不帶尾纖的發(fā)光二極管(LED)、紅外發(fā)射二極管(IRED)和激光二極管的小信號(hào)截止(43)1.7帶或不帶尾纖的激光二極管的閩值電流……(44)1.8帶或不帶尾纖的發(fā)光二極管(I.ED))紅外發(fā)射“極管(IREI)和激光一極臀的機(jī)對(duì)噪聲強(qiáng)皮··115)1.9不帶尾纖的激光二極管發(fā)射源的高度、寬度和像散(46)1.10帶或不帶尾纖的激光二極管的開關(guān)時(shí)間·(47)1.11光發(fā)射器件的半強(qiáng)度角和角偏差·………(49)1.12帶或不帶尾纖的發(fā)光二極管、紅外發(fā)射二極管、激光二極管和激光器組件的載流子與噪聲H············(51)1.13帶或不帶尾纖的發(fā)光二極管、紅外發(fā)射二極管、激光二極管和激光器組件的S,參數(shù)…(53)1.14帶尾纖、帶或不帶致冷器的激光器組件的跟蹤誤差…………(54)1.15帶或不帶尾纖激光二極管的光譜線寬·(55)2光電探測(cè)器件的測(cè)試方法……(57)2.1帶或不帶尾纖的光電二極管,光照下的反向電流(Trm,)或7k和光電晶體管光照下的集電被發(fā)新(7商M2m6kh)·oo0ooooooooooooooooo0oooooooooooooooooeoooo(57)2.2光電二極管的暗電流/mm,和光電品體管的暗電流lceo,1eoa.lew(59)光電品體管的集電極-發(fā)射極他和電壓Voe"2.3(60)2.4PIN光電二極管的噪聲………(61)2.5帶或不帶尾纖的雪崩光電二極管的過剩噪聲因子……………(62)2.6帶或不帶尾纖的光電二極管的小信號(hào)截止頻率……(64)2.7帶或不帶尾纖的雪崩光電二極管倍增因子…(65)2.8帶或不帶尾纖的PIN光電二極管或雪崩光電二極管(APD)的開關(guān)時(shí)間(66)3光幫合器測(cè)試方法…………….….….…·…·…·(68)3.1電流傳輸比(hrer,)(68)3.2輸入-輸出電容(Cuo)………(69)

3.3輸入和輸出之間的隔離電阻(Ro)(69)隔離試驗(yàn)……(70)光合器的局部放電……(71)光幫合器的集電極-發(fā)射極飽和電壓V。(75)3:1光幫合器的開關(guān)時(shí)間……(76)

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路CB/T15651-1995第5部分:光電子器件IEC747-5-1992SemiconductordevicesDiscretedevicesandintegratcdcircuitsPart5:0ptoelectronicdevices分立器件和集成電路本標(biāo)準(zhǔn)等同采用IEC747-5一1992《半導(dǎo)體器件第5部分:光電子器件》第I章總1引分立器件和集成電路通常.本標(biāo)準(zhǔn)需要與IEC747-1—1983《半導(dǎo)體器件第1部分:總則》一起使用。在IEC747-1中,可找到下列的全部基礎(chǔ)資料:一術(shù)語;文字符號(hào);-基木額定值和特性:-測(cè)試方法;接收和可算性.2范圍本標(biāo)淮給出了下列類型和分類型器件的標(biāo)準(zhǔn):·半導(dǎo)體光發(fā)射器件,包括:發(fā)光二極管(LEDs):紅外發(fā)射二極管

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