GB/T 21548-2021光通信用高速直接調(diào)制半導(dǎo)體激光器的測量方法

ICS31260

M31.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T21548—2021

代替

GB/T21548—2008

光通信用高速直接調(diào)制半導(dǎo)體激光器的

測量方法

Methodsofmeasurementofthehighspeedsemiconductor

lasersdirectlymodulatedforopticalfibercommunicationsystems

2021-04-30發(fā)布2021-08-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T21548—2021

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

縮略語

4……………………4

測量方法

5…………………5

附錄資料性附錄半導(dǎo)體激光器組件結(jié)構(gòu)

A()…………11

GB/T21548—2021

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替光通信用高速直接調(diào)制半導(dǎo)體激光器的測量方法本標(biāo)準(zhǔn)與

GB/T21548—2008《》,

相比主要技術(shù)變化如下

GB/T21548—2008,:

修改了范圍描述見第章年版的第章

———(1,20081);

刪除了系列標(biāo)準(zhǔn)和

———GB/T17626、YD/T701—1993、YD/T1111.2—2001、YD/T767—1995

的引用增加引用了和見第章

IEC62007-2,GB/T15651—1995GB/T31359—2015(2,2008

年版的第章

2);

刪除了峰值波長和中心波長閾值電流光功率驅(qū)動電流線性度分布反饋光譜寬度多量子

———、、-、、、

阱分布反饋邊模抑制比載噪比組合二階互調(diào)組合三階差拍的定義修改了半導(dǎo)體激光器

、、、、,

及其組件的定義見第章年版的

(3,20083.2);

刪除了模擬帶寬等多個縮略語增加了的縮略語見第章年版的

———,PAM4(4,20083.1);

刪除了激光器特性及分類見年版的

———(20085.2);

增加了對波分復(fù)用半導(dǎo)體激光器組件測量方案的描述見

———(5.1);

修改了環(huán)境條件要求以及測量儀器要求見和年版的

———(5.25.3,20085.3.1);

刪除了測量設(shè)備和儀表要求見年版的

———(20085.3.1.2、5.3.2.1、5.3.3.1、5.3.4.1、5.3.5.1、5.3.6.1、

5.3.7.1、5.3.8.1、5.3.9.1、5.3.10.1、5.3.11.1、5.3.12.1);

修改了閾值電流的測量方法見年版的

———(5.4.2,20085.3.3);

增加了斜率效率的測量方法見

———(5.4.2);

增加了四電平脈沖幅度調(diào)制的眼圖測量方法描述見

———(5.4.6);

修改了S參數(shù)的測量見年版的

———11(5.4.7,20085.3.8);

修改了波長溫度漂移系數(shù)的測量見年版的

———-(5.4.10,20085.3.11);

修改了相對強度噪聲的測量方法見年版的

———(5.4.11,20085.3.12);

刪除了載噪比組合二階互調(diào)和組合三階差拍的測量方法可靠性試驗和分類和產(chǎn)品檢驗方法

———、,

見年版的附錄附錄附錄和附錄

(2008A、B、CD);

增加了單通道半導(dǎo)體激光器組件封裝結(jié)構(gòu)和波分復(fù)用激光器組件封裝結(jié)構(gòu)示意圖見附錄

———(

A)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國通信標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC485)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位烽火科技集團有限公司中興通訊股份有限公司中國信息通信研究院深圳新飛

:、、、

通光電子技術(shù)有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人江毅李世瑜馬衛(wèi)東羅飚武成賓趙文玉陳悅龔雪曹麗何萬暉

:、、、、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T21548—2008。

Ⅰ

GB/T21548—2021

光通信用高速直接調(diào)制半導(dǎo)體激光器的

測量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了光通信用高速直接調(diào)制激光器及其組件的分類和測量方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于光傳送網(wǎng)光接入網(wǎng)及數(shù)據(jù)中心等光通信系統(tǒng)中所用高速直接調(diào)制激光器及其組件

、

的光電特性測量模擬光通信系統(tǒng)和其他光系統(tǒng)中所用激光器及其組件的光電特性測量也可參考使用

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第部分光電子器件

GB/T15651—19955:

半導(dǎo)體激光器測試方法

GB/T31359—2015

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T15651—1995。

31

.

半導(dǎo)體激光器semiconductorlaser

采用族化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料制作的激光器

Ⅲ-Ⅴ。

注族化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料如

:Ⅲ-Ⅴ(GaAlAs/GaAs、InGaAsP/InP、InAlGaAs/InP)。

32

.

半導(dǎo)體激光器組件semiconductorlasersubassembly

由半導(dǎo)體激光器芯片外圍連接元件背光探測器微透鏡光隔離器耦合光纖管殼等組成的混合

、、、、、、

集成件

。

33

.

光強度直接調(diào)制directlymodulationofopticalpowerdensity

調(diào)制電信號直接控制激光器驅(qū)動電流