標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 17626.11-2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)》相比于《GB/T 17626.11-1999 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)》，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新與調(diào)整：

  1. 適用范圍擴(kuò)展：2008版標(biāo)準(zhǔn)在適用范圍上可能更加廣泛，包含了更多類型的設(shè)備和技術(shù)，以適應(yīng)電氣電子設(shè)備技術(shù)發(fā)展的需求。

  2. 測(cè)試方法細(xì)化：新版標(biāo)準(zhǔn)對(duì)電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的測(cè)試方法進(jìn)行了細(xì)化和明確，提供了更具體的操作步驟和要求，提高了測(cè)試的可執(zhí)行性和重復(fù)性。

  3. 抗擾度等級(jí)定義：可能對(duì)設(shè)備的抗擾度等級(jí)劃分進(jìn)行了修訂或補(bǔ)充，以便更準(zhǔn)確地評(píng)估不同設(shè)備在面對(duì)電壓暫降等現(xiàn)象時(shí)的性能。

  4. 測(cè)試波形和級(jí)別：2008版標(biāo)準(zhǔn)可能更新了電壓暫降和變化的波形描述及測(cè)試級(jí)別，以反映實(shí)際電網(wǎng)狀況的變化和國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化的發(fā)展趨勢(shì)。

  5. 測(cè)量技術(shù)和設(shè)備要求：對(duì)測(cè)量?jī)x器的精度、響應(yīng)時(shí)間和使用方法等要求可能有所提高，確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。

  6. 環(huán)境條件和預(yù)處理：明確了試驗(yàn)前的環(huán)境條件和樣品預(yù)處理步驟，以確保所有測(cè)試在一致且合理的條件下進(jìn)行。

  7. 術(shù)語(yǔ)和定義更新：根據(jù)技術(shù)進(jìn)步和行業(yè)共識(shí)，對(duì)一些關(guān)鍵術(shù)語(yǔ)和定義進(jìn)行了修訂，使其更加準(zhǔn)確和通用。

  8. 標(biāo)準(zhǔn)引用更新：更新了參考的標(biāo)準(zhǔn)文獻(xiàn)列表，確保標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容與最新的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)保持一致。


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  • 2008-05-20 頒布
  • 2009-01-01 實(shí)施
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GB/T 17626.11-2008電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)_第1頁(yè)
GB/T 17626.11-2008電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)_第2頁(yè)
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犐犆犛３３．１００．２０

犔０６

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１７６２６．１１—２００８／犐犈犆６１０００４１１：２００４

代替ＧＢ／Ｔ１７６２６．１１—１９９９

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的

抗擾度試驗(yàn)

犈犾犲犮狋狉狅犿犪犵狀犲狋犻犮犮狅犿狆犪狋犻犫犻犾犻狋狔—犜犲狊狋犻狀犵犪狀犱犿犲犪狊狌狉犲犿犲狀狋狋犲犮犺狀犻狇狌犲狊—

犞狅犾狋犪犵犲犱犻狆狊，狊犺狅狉狋犻狀狋犲狉狉狌狆狋犻狅狀狊犪狀犱狏狅犾狋犪犵犲狏犪狉犻犪狋犻狅狀狊犻犿犿狌狀犻狋狔狋犲狊狋狊

（ＩＥＣ６１０００４１１：２００４，ＩＤＴ）

２００８０５２０發(fā)布２００９０１０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書(shū)

犌犅／犜１７６２６．１１—２００８／犐犈犆６１０００４１１：２００４

目次

前言!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!Ⅲ

１范圍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

２規(guī)范性引用文件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

３術(shù)語(yǔ)和定義!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

４概述!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!２

５試驗(yàn)等級(jí)!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!３

６試驗(yàn)設(shè)備!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!６

７試驗(yàn)布置!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!８

８試驗(yàn)程序!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!８

９試驗(yàn)結(jié)果評(píng)價(jià)!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!９

１０試驗(yàn)報(bào)告!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１０

附錄Ａ（規(guī)范性附錄）試驗(yàn)電路說(shuō)明!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１１

附錄Ｂ（資料性附錄）電磁環(huán)境分類!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１３

附錄Ｃ（資料性附錄）試驗(yàn)儀器!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１４

參考文獻(xiàn)!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１６

Ⅰ

書(shū)

犌犅／犜１７６２６．１１—２００８／犐犈犆６１０００４１１：２００４

前言

ＧＢ／Ｔ１７６２６《電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)》目前包括以下部分：

ＧＢ／Ｔ１７６２６．１—２００６電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)抗擾度試驗(yàn)總論

ＧＢ／Ｔ１７６２６．２—２００６電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)

ＧＢ／Ｔ１７６２６．３—２００６電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)

ＧＢ／Ｔ１７６２６．４—２００８電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

ＧＢ／Ｔ１７６２６．５—２００８電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)

ＧＢ／Ｔ１７６２６．６—２００８電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度

ＧＢ／Ｔ１７６２６．７—２００８電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波、諧間波的測(cè)量和

測(cè)量?jī)x器導(dǎo)則

ＧＢ／Ｔ１７６２６．８—２００６電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

ＧＢ／Ｔ１７６２６．９—１９９８電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

ＧＢ／Ｔ１７６２６．１０—１９９８電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

ＧＢ／Ｔ１７６２６．１１—２００８電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度

試驗(yàn)

ＧＢ／Ｔ１７６２６．１２—１９９８電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)振蕩波抗擾度試驗(yàn)

ＧＢ／Ｔ１７６２６．１３—２００６電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)交流電源端口諧波、諧間波及電網(wǎng)信號(hào)的

低頻抗擾度試驗(yàn)

ＧＢ／Ｔ１７６２６．１４—２００５電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)

ＧＢ／Ｔ１７６２６．１６—２００７電磁兼容試驗(yàn)與測(cè)量技術(shù)０Ｈｚ～１５０ｋＨｚ傳導(dǎo)共模騷擾抗擾度試驗(yàn)

ＧＢ／Ｔ１７６２６．１７—２００５電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)

ＧＢ／Ｔ１７６２６．２７—２００６電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)

ＧＢ／Ｔ１７６２６．２８—２００６電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)

ＧＢ／Ｔ１７６２６．２９—２００６電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸入端口電壓暫降、短時(shí)中斷和

電壓變化的抗擾度試驗(yàn)

本部分為ＧＢ／Ｔ１７６２６的第１１部分。

本部分等同采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)ＩＥＣ６１０００４１１：２００４（Ｅｄ２．０）。

本部分代替ＧＢ／Ｔ１７６２６．１１—１９９９《電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變

化的抗擾度試驗(yàn)》。

本部分與ＧＢ／Ｔ１７６２６．１１—１９９９主要差異在于：

———增加了引用文件ＧＢ／Ｚ１８５０９—２００１電磁兼容電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)起草導(dǎo)則。

———增加了３條名詞術(shù)語(yǔ)：３．５“剩余電壓”；３．７“校準(zhǔn)”；３．８“校驗(yàn)”；

———增加了電壓暫降的試驗(yàn)等級(jí)，明確了每個(gè)試驗(yàn)等級(jí)優(yōu)先采用的持續(xù)時(shí)間。

———短時(shí)中斷的持續(xù)時(shí)間進(jìn)行了調(diào)整。

———附錄Ｂ的內(nèi)容改為電磁環(huán)境分類。

本部分的附錄Ａ為規(guī)范性附錄，附錄Ｂ和附錄Ｃ為資料性附錄。

本部分由全國(guó)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)（ＳＡＣ／ＴＣ２４６）提出并歸口。

Ⅲ

犌犅／犜１７６２６．１１—２００８／犐犈犆６１０００４１１：２００４

本部分起草單位：上海電器科學(xué)研究所（集團(tuán)）有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三研究所。

本部分主要起草人：壽建霞、邢琳、林京平、何愛(ài)英、錢曉華、程麗玲。

本部分代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況：

———ＧＢ／Ｔ１７６２６．１１—１９９９。

Ⅳ

犌犅／犜１７６２６．１１—２００８／犐犈犆６１０００４１１：２００４

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的

抗擾度試驗(yàn)

１范圍

ＧＢ／Ｔ１７６２６的本部分規(guī)定了與低壓供電網(wǎng)連接的電氣和電子設(shè)備對(duì)電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓

變化的抗擾度試驗(yàn)方法和優(yōu)選的試驗(yàn)等級(jí)范圍。

本部分適用于額定輸入電流每相不超過(guò)１６Ａ連接到５０Ｈｚ或者６０Ｈｚ交流網(wǎng)絡(luò)的電氣和電子

設(shè)備。

本部分不適用于與４００Ｈｚ交流網(wǎng)絡(luò)相連接的電氣和電子設(shè)備。這些網(wǎng)絡(luò)的試驗(yàn)將在以后的標(biāo)準(zhǔn)

中涉及。

本部分的目的是建立一種評(píng)價(jià)電氣和電子設(shè)備在經(jīng)受電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度的

通用準(zhǔn)則。

注：電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)見(jiàn)ＧＢ／Ｔ１７６２６．１４—２００５。

ＧＢ／Ｔ１７６２６的本部分中所規(guī)定的試驗(yàn)方法為評(píng)估設(shè)備或系統(tǒng)對(duì)定義的電磁現(xiàn)象的抗擾度表述了

一致的方法。正如ＧＢ／Ｚ１８５０９—２００１中所述的，這是ＩＥＣ有關(guān)專業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)所用的ＥＭＣ基

礎(chǔ)出版物。也正如ＧＢ／Ｚ１８５０９—２００１聲明的，有關(guān)專業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)確定本抗擾度標(biāo)準(zhǔn)是

否適用，若適用，則負(fù)責(zé)確定適當(dāng)?shù)脑囼?yàn)等級(jí)和性能判據(jù)。電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)和其分委員會(huì)準(zhǔn)

備與有關(guān)專業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)合作，評(píng)估用于他們產(chǎn)品的特定抗擾度試驗(yàn)值。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)ＧＢ／Ｔ１７６２６的本部分的引用

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