GB/T 20230-2022磷化銦單晶

ICS29045

CCSH.83

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T20230—2022

代替GB/T20230—2006

磷化銦單晶

Indiumphosphidesinglecrystal

2022-03-09發(fā)布2022-10-01實(shí)施

國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T20230—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替磷化銦單晶與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性

GB/T20230—2006《》,GB/T20230—2006,

改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

,:

更改了適用范圍見第章年版的第章

a)(1,20061);

增加了術(shù)語和定義一章見第章

b)“”(3);

更改了磷化銦單晶錠的牌號(hào)表示方法見年版的

c)(4.1,20063.1);

增加了磷化銦單晶拋光片的牌號(hào)表示方法見

d)(4.2);

更改了磷化銦單晶錠電學(xué)性能的要求見年版的

e)(5.1.1,20063.2.2);

增加了型非摻磷化銦單晶錠的電學(xué)性能要求見

f)n(5.1.1);

刪除了磷化銦單晶錠晶向以及其他晶向供需雙方協(xié)商確定的規(guī)定見年版的

g)<111>(20063.2.3);

增加了磷化銦單晶錠位錯(cuò)密度的要求見

h)(5.1.3);

刪除了磷化銦單晶錠無孿晶線的要求見年版的

i)(20063.2.4);

刪除了磷化銦單晶錠直徑的要求見年版的

j)(20063.2.5);

更改了磷化銦單晶拋光片位錯(cuò)密度的要求見年版的

k)(5.2.1,20063.3.1);

增加了磷化銦單晶拋光片表面取向及基準(zhǔn)標(biāo)記的要求見

l)(5.2.2);

增加了直徑磷化銦單晶拋光片的幾何參數(shù)要求見

m)150.0mm(5.2.3);

更改了磷化銦單晶拋光片厚度總厚度變化翹曲度總指示讀數(shù)的要求見年版

n)、、、(5.2.3,2006

的

3.3.2);

更改了磷化銦單晶拋光片表面質(zhì)量的要求見年版的

o)(5.2.4,20063.3.3);

增加了磷化銦單晶拋光片表面顆粒的要求見

p)(5.2.5);

刪除了磷化銦單晶拋光片晶向的要求見年版的

q)(20063.3.5);

更改了試驗(yàn)方法見第章年版的第章

r)(6,20064);

更改了組批檢驗(yàn)項(xiàng)目取樣及檢驗(yàn)結(jié)果的判定見第章年版的第章

s)、、(7,20065);

更改了標(biāo)志的要求見年版的

t)(8.1,20066.1);

更改了包裝的要求見年版的

u)(8.2,20066.2、6.3);

更改了隨行文件的要求見年版的

v)(8.5,20066.5);

增加了訂貨單內(nèi)容見第章

w)(9);

增加了規(guī)范性附錄磷化銦單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法見附錄

x)“”(A)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司廣東先導(dǎo)

:、、

微電子科技有限公司有研國晶輝新材料有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司

、、。

本文件主要起草人孫聶楓李曉嵐王陽劉惠生惠峰李素青朱劉王書杰邵會(huì)民周鐵軍

:、、、、、、、、、、

史艷磊付莉杰王博張曉丹姜?jiǎng)ν跤?/p>

、、、、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2006,。

Ⅰ

GB/T20230—2022

磷化銦單晶

1范圍

本文件規(guī)定了磷化銦單晶的牌號(hào)技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存和隨行文

、、、、、、、

件及訂貨單內(nèi)容

。

本文件適用于制作光電微電器件用的磷化銦單晶錠及磷化銦單晶拋光片

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計(jì)劃

非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法

GB/T4326

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T6624

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向射線測(cè)試方法

GB/T13388X

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法

GB/T19921

硅片切口