標準解讀
《GB/T 20726-2006 半導體探測器X射線能譜儀通則》是一項由中國發(fā)布的國家標準,旨在規(guī)范半導體探測器X射線能譜儀的技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸和貯存等方面,以確保此類儀器的性能穩(wěn)定、可靠,并促進其在各個應用領域的準確使用。以下是該標準的主要內(nèi)容概覽:
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范圍:明確了本標準適用的半導體探測器X射線能譜儀類型,這類儀器主要用于測量X射線的能量分布,廣泛應用于材料分析、環(huán)境監(jiān)測、醫(yī)學診斷等領域。
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規(guī)范性引用文件:列出了實施本標準時所直接引用或參考的其他標準文獻,這些文獻對于理解和執(zhí)行本標準的具體要求至關重要。
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術語和定義:對涉及的專有名詞和技術術語進行了明確界定,如半導體探測器、能量分辨率、探測效率等,為后續(xù)技術要求的闡述提供清晰的語境基礎。
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分類與標記:規(guī)定了X射線能譜儀的分類原則和產(chǎn)品標記方法,確保用戶能夠根據(jù)實際需求選擇合適的儀器型號,并便于追蹤和識別產(chǎn)品信息。
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技術要求:
- 性能指標:詳細描述了半導體探測器、前置放大器、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)等關鍵部件及整個系統(tǒng)的性能指標,如能量分辨率、線性范圍、穩(wěn)定性、探測效率等。
- 機械和環(huán)境條件:規(guī)定了儀器應能在特定的溫度、濕度、振動等環(huán)境下正常工作,確保其耐用性和適應性。
- 安全要求:強調(diào)了儀器設計和操作中必須遵循的安全原則,防止輻射泄漏,保護使用者健康。
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試驗方法:闡述了如何進行各項性能測試,包括但不限于能量分辨率測試、線性度驗證、穩(wěn)定性考察等,確保測試結果的準確性和可重復性。
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檢驗規(guī)則:規(guī)定了產(chǎn)品出廠前的檢驗程序、抽樣方法及合格判定準則,以及用戶接收時的驗收依據(jù)。
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標志、包裝、運輸和貯存:說明了產(chǎn)品標識應包含的信息、包裝要求以防止運輸中的損壞、以及適宜的存儲條件,以保證儀器從生產(chǎn)到使用的全程質(zhì)量控制。
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文檔簡介
ICS71.040.99N33中華人民共和國國家標準GB/T20726—2006/ISO15632:2002半導體探測器X射線能譜儀通則InstrumentalSpecificationforenergydispersiveX-rayspectrometerswithsemiconductordetectors(ISO15632:2002,Microbeamanalysis--InstrumentalspecificationforenergydispersiveX-rayspectrometerswithsemiconductordetectors,IDT)2006-12-25發(fā)布2007-08-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局愛布中國國家標準化管理委員會
GB/T20726-2006/ISO15632:2002本標準等同采用ISO15632:2002《半導體探測器X射線能譜儀通則》本標準的附錄A、附錄B為規(guī)范性附錄。本標準由全國微束分析標準化技術委員會提出本標準由全國微束分析標準化技術委員會歸口本標準起草單位:中國科學院地質(zhì)與地球物理研究所本標準主要起草人:曾榮樹、徐文東、毛賽、馬玉光、范光
GB/T20726-2006/ISO15632:2002近年來.通過改進探測器的探頭品體和X射線入射窗口新材料的制備工藝以及應用先進的脈沖處理技術,在X射線能譜儀(EDS)技術上取得的進展增強了能譜儀的總體性能,并且將其應用范圍擴展到低能量(低于1keV)區(qū)域過去.能譜儀的特性通常用高能狀態(tài)下能量的分辨力來表示.定義為Mn-Ka峰半高寬(FWHM)。為了表示在低能量范圍的特性.生產(chǎn)廠家給出了C-K.F-K的峰半高寬值或者零峰。一些生產(chǎn)商還規(guī)定了峰背比(峰高與本底的比值).即"Fe譜線中的峰與基線的比值或硼(B)的譜線中的峰谷比值。這些量即使相同.它們的定義也可能不同。能譜儀在低能端的靈敏度相對于高能量區(qū)而言,明顯的依賴于探測品體和X射線入射窗口的設計。盡管低能端的高靈敏度對于分析輕元素化合物非常重要,但是生產(chǎn)商通常不給出能量與譜儀效率的依賴關系。在全球范圍內(nèi)要求制定X射線能譜儀(EDS)基本規(guī)范的呼聲中,本標準應運而生。EDS是分析固體和薄膜化學成分最常用的方法之一。本標準容許在相同規(guī)范的基礎上,對不同設計的能譜儀性能進行比較.同時根據(jù)特殊的要求,幫助找到最合適的能譜儀。另外,本標準也便于對不同實驗室的儀器標準與分析結果進行比對。依照ISO/IEC17025規(guī)定,這些實驗室應按規(guī)定的程序定期檢查、校準儀器。本標準可作為所有相關測試實驗室制定相似操作程序的指南
GB/T20726—2006/IS015632:2002半導體探測器X射線能譜儀通則1范圍本標準規(guī)定了表征以半導體探測器、前置放大器和信號處理系統(tǒng)為基本構成的X射線能譜儀(EDS)特性最重要的量值。本標準僅適用于固態(tài)電離作用原理的半導體探測器EDS。本標準只規(guī)定了與電子探針(EPMA)或掃描電鏡(SEM)聯(lián)用的此類EDS的最低要求,至于如何實現(xiàn)分析則不在本標淮的規(guī)定范圍之內(nèi)。2術語和定義下列術語和定義適用于本標準注:除2.1外,這些定義都按ISO18115中相同或相似的形式規(guī)定21能譜儀energydispersivespectrometer同時記錄整個X射線譜的譜儀。注:譜儀包括固態(tài)探測器、前置放大器和將X射線光子轉換為電脈沖的脈沖處理器,其中波高分析被用于給不同能量的X射線在脈沖處理器中所形成的脈沖信號分配能量通道2.2譜通道spectralchannel所測譜中測量能量的間隔.其寬度由一定的能量增量表示28儀器檢測效率_instrumentaldetectionefficieney檢測到的光子量與可用于測量的光子量的比值24信號強度Signalintensity經(jīng)脈沖處理后,能譜儀輸出的以每通道計數(shù)或每通道每秒的計數(shù)所表示的量2.5峰強度penkintensity在特定本底上以峰高測量的譜峰信號強度。2-6峰面積peakarea凈峰面積netpeakarea在去除本底后,一個譜峰的面積。27背景信號backgroundsignal由于韌致輻射或儀器本底在譜通道中形成的
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