課件文稿成果

1數(shù)E141成電 組合邏輯電2數(shù)E141成電 組合邏輯電 VT< (a)電阻負 (c)準NMOS負3數(shù)E141成電 組合邏輯電4數(shù)E141成電 組合邏輯電電阻負 –V＝VR/(R+R DD PN –– 數(shù)E141 VT< 準6數(shù)E141成電 組合邏輯電5組合邏輯電5組合邏輯電kIp(V|V|) 7數(shù)E141成電 組合邏輯電VOHVDD（類似靜態(tài)互補kVVV1V2kpVVn TnOL2OL2 VVV1kp（假設(shè)VVV T k nVV(VV) k PVIVkpVV DD DD2 8數(shù)E141成電 組合邏輯電 4輸入與W/L=VV

W/Lp=

4輸入或 Vin

數(shù)E141成電 組合邏輯電 數(shù)E141成電 組合邏輯電 M1>>

DifferentialCascodeVoltageSwitch差分串聯(lián)電壓開關(guān)DCVSL——異或DCVSL瞬態(tài)響數(shù)E141成電 組合邏輯電 數(shù)E1DCVSL——異或DCVSL瞬態(tài)響 A

A

AAXOR-NXOR

-0.5 Time數(shù)E141成電 組合邏輯電 數(shù)E141成電 組合邏輯電 BB

數(shù)E141成電 組合邏輯電 數(shù)E141成電 組合邏輯電

1.5m/x

O

0.5m/

VB2.5VVTn(V)1.8Out

B1OutABB0

VoltageVoltage

x

VBVinB

Time數(shù)E141成電 組合邏輯電 數(shù)E141成電 組合邏輯電A=2.5

C=B

使VXA=2.5

C=2.5B

VB2.5VVTn(V)1.8

數(shù)E141成電 組合邏輯電

數(shù)E141成電 組合邏輯電 VoltageVoltage

引入寫“0”V3.87m1.76m0.755

0.0 Time

mkk1.55，臨界數(shù)E141成電 組合邏輯電

數(shù)E141成電 組合邏輯電

數(shù)E141成電 組合邏輯電 數(shù)E141成電 組合邏輯電CPL數(shù)E141成電 組合邏輯電CC CC=2.5A=2.5C=0數(shù)E141成電 組合邏輯電2.5 2.5 0R||0 V,數(shù)E141成電 組合邏輯電 In S數(shù)E141成電 組合邏輯電BB F BB數(shù)E141成電 組合邏輯電數(shù)E141成電 組合邏輯電,,RC鏈的延 節(jié)點電壓變化（差分方程）（V）CRk插入緩沖器的RC鏈的延t0.69nCRm(m1)n1tm m n(m1) 2m 數(shù)E141(VV2Vn(n ~1.7t~3或組合邏輯電 A A相加和進位鏈數(shù)E141BPPPPB B SSumCoCarry組合邏輯電數(shù)E141組合邏輯電每個時間點（除了開關(guān)）GND或需要n+2數(shù)E141成電 組合邏輯電 2 預充電（Clk0）賦值（Clk數(shù)E141C組合邏輯電 2 預充電（Clk0）賦值（Clk數(shù)E141截M開 C截M組合邏輯電CLPDN數(shù)E141成電 組合邏輯電邏輯函數(shù)僅由PDN晶體管數(shù)目為N+2（靜態(tài)互補CMOS全幅輸出（VOLGND，VOH數(shù)E141成電 組合邏輯電總的功耗比靜態(tài)互補CMOS刺VM、VIH和VIL等于數(shù)E141組合邏輯電 主要是亞閾值數(shù)E141組合邏輯電55 Mp LB 數(shù)E141組合邏輯電CL的電荷在CL和CA之 數(shù)E141成電 組合邏輯電 case1)if < CLVDD=CLVoutt+CaVDD– L = t– –V out Tn B case2)ifVout>Ca 數(shù)E141成電 組合邏輯電AA BBCC數(shù)E141組合邏輯電 Mp 數(shù)E141組合邏輯電 Out1Out2 數(shù)E141成電 組合邏輯電3210-0數(shù)E1412Time,46組合邏輯電 數(shù)E141成電 組合邏輯電66 In - 0.5Time, 數(shù)E141成電 組合邏輯電電源噪聲（地線反彈噪聲數(shù)E141成電 組合邏輯電V t數(shù)E141成電 組合邏輯電 Out1 Mp 11 0 0 數(shù)E141成電 組合邏輯電 數(shù)E141成電 組合邏輯電靜態(tài)反相器可以偏移，只有L-H的傳數(shù)E141