GB/T 25074-2017太陽能級多晶硅

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T25074—2017

代替

GB/T25074—2010

太陽能級多晶硅

Solar-gradepolycrystallinesilicon

2017-11-01發(fā)布2018-05-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T25074—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替太陽能級多晶硅本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要變動

GB/T25074—2010《》。GB/T25074—2010,

如下

:

增加了規(guī)范性引用文件

———GB/T13389、GB/T14264、GB/T14844、GB/T24582、GB/T29057、

刪除了見第章年版的第章

GB/T29849、GB/T31854,SEMIMF1535(2,20102);

技術(shù)指標(biāo)劃分等級中增加了特級品的指標(biāo)要求見

———(5.1);

將技術(shù)指標(biāo)中各等級施受主雜質(zhì)濃度少數(shù)載流子壽命基體金屬雜質(zhì)含量的要求進(jìn)行了修

———/、、

訂并增加了表面金屬雜質(zhì)含量要求見年版的

,(5.1,20104.1);

細(xì)化了塊狀多晶硅尺寸范圍見年版的

———(5.2.1,20104.2);

增加了致密料菜花料珊瑚料的表面質(zhì)量要求見

———、、(5.3.1);

包裝要求不再局限于固定重量不同需求依據(jù)供需雙方協(xié)商見年版的

———,(8.2,20107.1);

增加附錄太陽能級多晶硅參考技術(shù)指標(biāo)將導(dǎo)電類型和電阻率作為參考項(xiàng)見附錄

———A“”,(A)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位洛陽中硅高科技有限公司多晶硅材料制備國家工程實(shí)驗(yàn)室有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)

:、、

研究院江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司新特能源股份有限公司宜昌南玻硅材料有限公司內(nèi)蒙古神

、、、、

舟硅業(yè)有限責(zé)任公司亞洲硅業(yè)青海有限公司

、()。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人嚴(yán)大洲萬燁毋克力張園園付雷楚東旭趙雄楊素心劉曉霞賀東江

:、、、、、、、、、、

邱艷梅劉淑萍李衛(wèi)南宗冰穆彩霞

、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T25074—2010。

Ⅰ

GB/T25074—2017

太陽能級多晶硅

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能級多晶硅的術(shù)語和定義牌號及分類要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志包

、、、、、

裝運(yùn)輸貯存和質(zhì)量證明書

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于以氯硅烷硅烷為原料生長的棒狀多晶硅或經(jīng)破碎形成的塊狀多晶硅

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法

GB/T1553

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

GB/T4059

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

GB/T4060

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

GB/T13389

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

半導(dǎo)體材料牌號表示方法

GB/T14844

硅單晶中族雜質(zhì)的光致發(fā)光測試方法

GB/T24574Ⅲ-Ⅴ

低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中族雜質(zhì)含量的測試方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)

GB/T24582-

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程

GB/T29057

光伏電池用硅材料表面金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測量方法

GB/T29849

光伏電池用硅材料中金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測量方法

GB/T31854

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4牌號及分類

41牌號

.

太陽能級多晶硅產(chǎn)品牌號應(yīng)符合的規(guī)定

GB/T