高二物理競賽半導體及其基本特性課件_第1頁
高二物理競賽半導體及其基本特性課件_第2頁
高二物理競賽半導體及其基本特性課件_第3頁
高二物理競賽半導體及其基本特性課件_第4頁
高二物理競賽半導體及其基本特性課件_第5頁
已閱讀5頁,還剩10頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

半導體物理學半導體物理學固體物理晶體、晶格能帶理論導體半導體絕緣體能帶部分填充,e.g.金屬晶體能帶全部填充,帶隙相對較小e.g.Si,Ge,GaAs,ZnO,AlN,石墨烯,MoS2,etc.能帶全部填充,帶隙相對較大e.g.金剛石,Al2O3,etc.固體材料分成:導體、半導體、絕緣體什么是半導體?半導體及其基本特性固體材料:超導體:大于106(cm)-1

導體:106~104(cm)-1

半導體:104~10-10(cm)-1

絕緣體:小于10-10(cm)-1

不同材料的電導率影響導電能力的因素:固體材料擁有的有效的載流子數(shù)可自由移動的電子濃度(熱激發(fā)、摻雜等),非總共的電子數(shù)。載流子本身能否有效運動(與各散射機制相關)受到各種各樣的碰撞(散射,暢通無阻或磕磕碰碰)。描述參數(shù):遷移率第一章半導體中的電子狀態(tài)半導體的晶格結構半導體的能帶半導體中的電子運動晶體,晶格,原胞,單胞,基本晶體結構能帶理論,原子能級與能帶,固體的能帶圖,半導體的能帶填充群速度,加速度,有效質(zhì)量,K空間等能面1.1半導體的晶格結構晶體的類型:多晶無定形態(tài)單晶

一個理想的晶體是由完全相同的結構單元在空間周期性重復排列而成的。所有晶體的結構可以用晶格來描述,這種晶格的每個格點上附有一群原子,這樣的一個原子群稱為基元,基元在空間周期性重復排列就形成晶體結構。晶體結構的周期性晶格+基元=晶體結構1.基元、格點和晶格

在晶體中適當選取某些原子作為一個基本結構單元,這個基本結構單元稱為基元,基元是晶體結構中最小的重復單元,基元在空間周期性重復排列就形成晶體結構。(1)基元(b)(c)(a)

任何兩個基元中相應原子周圍的情況是相同的,而每一個基元中不同原子周圍情況則不相同。(2)格點

一個基元占據(jù)晶格中的一個格點。格點可以代表基元重心的位置,也可以代表基元中任意的點子。(b)(a)(3)晶格晶體的內(nèi)部結構可以概括為是由一些相同的基元在空間有規(guī)則地做周期性無限分布,通過這些基元(格點)做三組不共面的平行直線族,形成一些網(wǎng)格,稱為晶格(或者說這些點在空間周期性排列形成的骨架稱為晶格)。(b)(c)(a)晶格是晶體結構周期性的數(shù)學

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論