GB/T 29054-2012太陽能級鑄造多晶硅塊

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T29054—2012

太陽能級鑄造多晶硅塊

Solar-gradecastingmulti-crystallinesiliconbrick

2012-12-31發(fā)布2013-10-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

太陽能級鑄造多晶硅塊

GB/T29054—2012

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務熱線

/p>

年月第一版

20135

*

書號

:155066·1-46638

版權專有侵權必究

GB/T29054—2012

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位江西賽維太陽能高科技有限公司寧波晶元太陽能有限公司西安隆基硅

:LDK、、

材料股份有限公司江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司無錫尚德太陽能電力有限公司

、、。

本標準主要起草人萬躍鵬唐駿薛抗美張群社孫世龍游達朱華英金虹劉林艷段育紅

:、、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29054—2012

太陽能級鑄造多晶硅塊

1范圍

本標準規(guī)定了太陽能級鑄造多晶硅塊的產(chǎn)品分類技術要求試驗方法檢測規(guī)則以及標志包裝

、、、、、

運輸貯存等

、。

本標準適用于利用鑄造技術制備多晶硅片的多晶硅塊

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導衰減法

GB/T1553

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

半導體材料術語

GB/T14264

利用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜測量光伏級硅中微量元素的方法

SEMIPV1-0709

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

硅塊siliconbrick

一種塊狀半導體通常為尺寸均勻的長方體由多晶硅錠或單晶硅棒切割而成

,,。

4分類

產(chǎn)品按外形尺寸長寬分為和且有效高度應

(×)125mm×125mm156mm×156mm,≥100mm,

或由供需雙方協(xié)商

。

5要求

51外觀質(zhì)量

.

511在有效高度內(nèi)無目視可見裂紋崩邊缺口

..、、。

512紅外探傷檢測結(jié)果不可出現(xiàn)尺寸大于的陰影每塊多晶硅塊需測量四個側(cè)面

..5mm;。

513側(cè)面粗糙度Ra

..