GB/T 29054-2019太陽(yáng)能電池用鑄造多晶硅塊

ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29054—2019

代替

GB/T29054—2012

太陽(yáng)能電池用鑄造多晶硅塊

Castingmulticrystallinesiliconbrickforphotovoltaicsolarcell

2019-06-04發(fā)布2020-05-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T29054—2019

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替太陽(yáng)能級(jí)鑄造多晶硅塊本標(biāo)準(zhǔn)與相比除

GB/T29054—2012《》。GB/T29054—2012,

編輯性修改外主要技術(shù)變化如下

:

修改了適用范圍將適用于利用鑄造技術(shù)制備多晶硅片的多晶硅塊改為適用于從鑄造技術(shù)

———,“”“

制備的硅錠上切割得到的準(zhǔn)方形多晶硅塊包括類單晶硅塊產(chǎn)品用于切割成硅片后進(jìn)一步

()。

制作太陽(yáng)能電池見(jiàn)第章年版的第章

”(1,20121)。

刪除了規(guī)范性引用文件中增加了

———GB/T6616、SEMIPV1-0709,GB/T1554、GB/T2828.1—

將移到了參考文獻(xiàn)見(jiàn)

2012、GB/T31854,GB/T1551、GB/T1553、GB/T1557、GB/T1558(

第章年版的第章

2,20122)。

刪除了硅塊的定義增加了有效高度類單晶和最大晶粒面積比例的定義見(jiàn)第章年

———,、(3,2012

版的第章

3)。

刪除了分類見(jiàn)年版的第章

———(20124)。

端面尺寸由改為其他尺寸

———125mm×125mm、156mm×156mm156.75mm×156.75mm,,

建議增減量為的整數(shù)倍見(jiàn)見(jiàn)年版的第章

1mm(4.1.1,20124)。

修改了端面尺寸及允許偏差見(jiàn)年版的第章

———(4.1.1,20124、5.1.6)。

修改了載流子壽命的要求由改為不小于見(jiàn)年版的

———,≥1μs2μs(4.2.3,20125.2)。

修改了間隙氧含量的要求由173改為不大于173見(jiàn)

———,≤8×10atoms/cm6×10atoms/cm(4.3,

年版的

20125.2)。

增加了類單晶硅塊的最大晶粒面積比例和缺陷密度要求及試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則等見(jiàn)

———、(4.7、4.8、

第章

5.13、5.14、6)。

刪除了硼濃度的要求見(jiàn)年版的

———(20125.2)。

修改了檢驗(yàn)項(xiàng)目取樣及檢驗(yàn)結(jié)果的判定見(jiàn)年版的

———、(6.3、6.4、6.5,20127.3、7.4、7.5)。

增加了附錄列出了常見(jiàn)的不同最大晶粒面積比例的類單晶硅塊見(jiàn)附錄

———A,(A)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司鎮(zhèn)江仁德新能源科技有限公司江西賽維

:、、

太陽(yáng)能高科技有限公司宜昌南玻硅材料有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院揚(yáng)州榮德新能源科

LDK、、、

技有限公司英利能源中國(guó)有限公司

、()。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人萬(wàn)躍鵬唐駿游達(dá)林清香蘇磊楊素心余剛高長(zhǎng)昆常傳波李建敏何亮

:、、、、、、、、、、、

陳發(fā)勤孫培亞張雷

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T29054—2012。

Ⅰ

GB/T29054—2019

太陽(yáng)能電池用鑄造多晶硅塊

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能電池用鑄造多晶硅塊以下簡(jiǎn)稱硅塊的要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包

()、、、、

裝運(yùn)輸貯存質(zhì)量證明書和訂貨單或合同內(nèi)容

、、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于從鑄造技術(shù)制備的硅錠上切割得到的準(zhǔn)方形多晶硅塊包括類單晶硅塊

()。

注多晶硅塊切割成硅片后用于制作太陽(yáng)能電池

:。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T1554

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計(jì)劃

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

光伏電池用硅材料中金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測(cè)量方法

GB/T31854

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

有效高度effectiveheight

硅塊符合各項(xiàng)技術(shù)要求的可切割高度

。

32

.

類單晶quasi-monocrystallinesilicon

通過(guò)單晶籽晶以定向凝固法生長(zhǎng)形成的鑄造多晶該晶體具有明顯與籽晶同方向的大晶粒也可

,,