GB/T 29057-2012用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)多晶硅棒的規(guī)程

ICS29045

H80.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29057—2012

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)

多晶硅棒的規(guī)程

Practiceforevaluationofpolocrystallinesiliconrodsbyfloat-zone

crystalgrowthandspectroscopy

(SEMIMF1723-1104,MOD)

2012-12-31發(fā)布2013-10-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T29057—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)多晶硅棒的規(guī)

SEMIMF1723-1104《

程為方便比較資料性附錄中列出了本標(biāo)準(zhǔn)章條和對(duì)應(yīng)的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)章條的對(duì)照一覽表

》。,A。

本標(biāo)準(zhǔn)在采用時(shí)進(jìn)行了修改這些技術(shù)差異用垂直單線標(biāo)識(shí)在它們所涉及

SEMIMF1723-1104。

的條款的頁(yè)邊空白處主要技術(shù)差異如下

。:

在規(guī)范性引用文件中凡我國(guó)已有國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的均用相應(yīng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)代替

———“”,,SEMIMF1723-

中的引用文件

1104“”。

增加規(guī)范性引用文件硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法

———GB/T1553《》。

將中中規(guī)定的級(jí)改為中規(guī)定的級(jí)

———6.2“…ISO14644-1ISO5…”“…GB500735…”。

將中中規(guī)定的級(jí)改為中規(guī)定的級(jí)

———7.2.1“…ISO14644-1ISO6…”“…GB500736…”。

將中中規(guī)定的級(jí)改為中規(guī)定的級(jí)

———7.3.1“…ISO14644-1ISO6…”“…GB500736…”。

將中-6改為-4

———7.3.1“…1×10torr…”“…1.3×10Pa…”。

將中硝酸符合級(jí)改為硝酸符合優(yōu)

———8.1“(HNO3)———SEMIC352”“(HNO3)———GB/T626

級(jí)純

”。

將中氫氟酸符合級(jí)改為氫氟酸符合優(yōu)

———8.2“(HF)———SEMIC282”“(HF)———GB/T620

級(jí)純

”。

將中去離子水純度等于或優(yōu)于中的級(jí)改為去離子水純度

———8.4“———ASTMD5127E-2”“———

等于或優(yōu)于中的級(jí)

GB/T11446.1EW-2”。

將中高純氬氣符合改為高純氬氣符合優(yōu)等品

———8.5“———SEMIC3.42”“———GB/T4842”。

增加按照檢測(cè)晶棒體內(nèi)少數(shù)載流子壽命

———12.5.2.4“GB/T1553?！?/p>

將中根據(jù)分析碳含量改為根據(jù)分析碳含量

———12.6.1“…SEMIMF1391…”“…GB/T1558…”。

將中按測(cè)試方法改為按測(cè)試方法

———12.6.3.3“…SEMIMF1391…”“…GB/T1558…”。

將中見改為見

———13.3.5.1“…SEMIMF723…”“…GB/T13389…”。

將中在中改為在中

———14.1“…SEMIMF1391…”“…GB/T1558…”。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司樂山樂電天威硅業(yè)科技有限責(zé)任公司天威四

:、、

川硅業(yè)有限責(zé)任公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人梁洪劉暢陳自強(qiáng)張新藍(lán)志張華端瞿芬芬

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29057—2012

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)

多晶硅棒的規(guī)程

1目的

11本標(biāo)準(zhǔn)采用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法來(lái)測(cè)量多晶硅棒中的施主受主雜質(zhì)濃度測(cè)得的施主受

.、。、

主雜質(zhì)濃度可以用來(lái)計(jì)算按一定的目標(biāo)電阻率生長(zhǎng)單晶硅棒所需要的摻雜量也可以用來(lái)推算非摻雜

,

硅棒的電阻率

。

12多晶硅中施主受主雜質(zhì)的濃度及碳濃度可以用來(lái)判定多晶硅材料是否滿足要求

.、。

13多晶硅中的雜質(zhì)濃度可以用來(lái)監(jiān)測(cè)多晶硅生產(chǎn)原料的純度生產(chǎn)工藝以及產(chǎn)品的合格性

.、。

14本標(biāo)準(zhǔn)描述了分析多晶硅中施主受主及碳元素所采用的取樣和區(qū)熔拉晶制樣工藝

.、。

2范圍

21本標(biāo)準(zhǔn)包括多晶硅棒取樣將樣品區(qū)熔拉制成單晶以及通過(guò)光譜分析法對(duì)拉制好的單晶硅棒進(jìn)行

.、

分析以確定多晶硅中痕量雜質(zhì)的程序這些痕量雜質(zhì)包括施主雜質(zhì)通常是磷或砷或二者兼有受主

。(,)、

雜質(zhì)通常是硼或鋁或二者兼有及碳雜質(zhì)

(,)。

22本標(biāo)準(zhǔn)中適用的雜質(zhì)濃度測(cè)定范圍施主和受主雜質(zhì)為十億分之一原子比

.:(0.002~100)ppba(),

碳雜質(zhì)為百萬(wàn)分之一原子比樣品中的這些雜質(zhì)是通過(guò)低溫紅外光譜法或光致發(fā)

(0.02~15)ppma()。

光光譜法分析的

。

23本標(biāo)準(zhǔn)僅適用于評(píng)價(jià)在硅芯上沉積生長(zhǎng)的多晶硅棒

.。

3局限性

31有裂縫高應(yīng)力或深度枝狀生長(zhǎng)的多晶硅棒在取樣過(guò)程中容易碎裂不宜用來(lái)制備樣芯

.、,。

32鉆取的樣芯應(yīng)通過(guò)清洗去除油脂或加工帶來(lái)的沾污表面有裂縫或空隙的多晶硅樣芯不易清洗

.。,

其裂縫或空隙中的雜質(zhì)很難被完全腐蝕清除同時(shí)腐蝕殘?jiān)部赡芰粼跇有玖芽p中造成污染

;,。

33腐蝕用的器皿酸及去離子水中的雜質(zhì)都會(huì)對(duì)分析的準(zhǔn)確性重復(fù)性產(chǎn)生影響因此應(yīng)嚴(yán)格控制酸

.、、,

和去離子水的純度空氣墻壁地板和家具也可能造成污染因此應(yīng)在潔凈室中進(jìn)行腐蝕和區(qū)熔其

。、、,。

他如酸的混合比例酸腐蝕溫度酸腐蝕剝離的速率腐蝕沖洗次數(shù)以及暴露時(shí)間等都可能產(chǎn)生雜質(zhì)干

、、、

擾應(yīng)加以控制所有與腐蝕后的樣芯接觸的材料和容器都可能沾污應(yīng)在使用前清洗手套和其他用來(lái)

,;,;

包裹腐蝕后樣芯的材料應(yīng)檢測(cè)和監(jiān)控

。

34區(qū)熔爐的爐壁預(yù)熱器線圈和密封圈等都是常見的污染源應(yīng)保持潔凈

.、、,。

35區(qū)熔過(guò)程的任何波動(dòng)都會(huì)影響易揮發(fā)雜質(zhì)在氣相液相和固相中的分布從而改變測(cè)試結(jié)果樣

.、,。

芯直徑熔區(qū)尺寸拉速密封圈純度與爐膛條件的變化都可能改變有效分凝系數(shù)或蒸發(fā)速率使晶體中

、、、