標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 29195-2012 地面用晶體硅太陽電池總規(guī)范》是中國國家標(biāo)準(zhǔn)之一,旨在為地面使用的晶體硅太陽電池提供一套統(tǒng)一的技術(shù)要求與測試方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于單晶硅和多晶硅太陽電池的制造、銷售以及應(yīng)用領(lǐng)域,確保產(chǎn)品性能符合特定的質(zhì)量和技術(shù)指標(biāo)。
標(biāo)準(zhǔn)首先定義了相關(guān)術(shù)語和定義,包括但不限于晶體硅太陽電池的基本構(gòu)成部分及其工作原理等基礎(chǔ)概念,為后續(xù)內(nèi)容的理解奠定基礎(chǔ)。接著,對晶體硅太陽電池的外觀質(zhì)量提出了具體要求,比如表面應(yīng)平整光滑無明顯缺陷;同時明確了電氣性能參數(shù)如最大功率點(diǎn)電壓(Vmp)、電流(Imp)及轉(zhuǎn)換效率等關(guān)鍵指標(biāo)范圍,以保證產(chǎn)品的基本效能。
此外,《GB/T 29195-2012》還詳細(xì)規(guī)定了一系列嚴(yán)格的測試條件與方法,用于評估晶體硅太陽電池在不同環(huán)境下的穩(wěn)定性和耐久性。這其中包括但不限于光照強(qiáng)度變化下的性能測試、溫度循環(huán)試驗、濕熱試驗等,通過模擬實際使用中可能遇到的各種極端情況來檢驗產(chǎn)品的可靠性。
對于安全方面,本標(biāo)準(zhǔn)也給予了高度重視,特別強(qiáng)調(diào)了防火阻燃性能的重要性,并設(shè)定了相應(yīng)的測試項目。另外,還涉及到電磁兼容性方面的考量,確保晶體硅太陽電池不會對周圍電子設(shè)備產(chǎn)生干擾或受到外界信號的影響而降低工作效率。
最后,標(biāo)準(zhǔn)還包含了關(guān)于包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸及儲存等方面的指導(dǎo)原則,以保障晶體硅太陽電池從生產(chǎn)到最終用戶手中的全過程都能得到妥善處理,避免因不當(dāng)操作而導(dǎo)致的產(chǎn)品損壞或性能下降。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2012-12-31 頒布
- 2013-06-01 實施



文檔簡介
ICS27160
K83.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T29195—2012
地面用晶體硅太陽電池總規(guī)范
Generalspecificationofcrystallinesiliconterrestrialsolarcells
2012-12-31發(fā)布2013-06-01實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T29195—2012
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任
。。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國太陽光伏能源系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口
(SAC/TC90)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位無錫尚德太陽能電力有限公司
:。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人李華陳如龍汪義川梁哲楊林張光春施正榮
:、、、、、、。
Ⅰ
GB/T29195—2012
地面用晶體硅太陽電池總規(guī)范
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了地面用晶體硅太陽電池的技術(shù)要求試驗方法檢驗規(guī)則標(biāo)志包裝儲存和運(yùn)輸
、、、、、。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于地面用單晶硅太陽電池和地面用多晶硅太陽電池以下簡稱電池
()。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
包裝儲運(yùn)圖示標(biāo)志
GB/T191(GB/T191—2008,ISO780:1997,MOD)
計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣
GB/T2828.1—20031:(AQL)
計劃
(ISO2859-1:1999,IDT)
周期檢驗計數(shù)抽樣程序及表適用于對過程穩(wěn)定性的檢驗
GB/T2829()
光伏器件第部分光伏電流電壓特性的測量
GB/T6495.1—19961:-(idtIEC60904-1:1987)
光伏器件第部分地面用光伏器件的測量原理及標(biāo)準(zhǔn)光譜輻照度數(shù)據(jù)
GB/T6495.3—19963:
(idtIEC60904-3:1989)
硅片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T6618
微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法可焊性耐焊性測定
GB/T17473.7—2008、
晶體硅光伏器件的實測特性的溫度和輻照度修正方法
IEC60891Ⅰ-Ⅴ(Photovoltaicdevices
ProceduresfortemperatureandirradiancecorrectionstomeasuredⅠ-Ⅴcharacteristics)
膠帶試驗測定粘合性的方法
ASTMD3359(Standardtestmethodsformeasuringadhesionby
tapetest)
太陽電池用硅片規(guī)范
SEMIPV22(Specificationforsiliconwafersforuseinphotovoltaicsolar
cells)
3術(shù)語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本文件
。
31
.
鈍形缺口obtusenick
缺口形狀呈現(xiàn)為沿邊緣平緩過渡并不向中心深入的狀態(tài)
,。
32
.
V形缺口V-typenick
缺口形狀呈現(xiàn)為向中心尖銳深入的形狀類似字母
,“V”。
33
.
基體材料s
溫馨提示
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