- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2013-05-09 頒布
- 2014-02-01 實(shí)施
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文檔簡介
ICS29045
H82.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T29506—2013
300mm硅單晶拋光片
300mmpolishedmonocrystallinesiliconwafers
2013-05-09發(fā)布2014-02-01實(shí)施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T29506—2013
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口
(SAC/TC203)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料股份有限公司中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所
:、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人閆志瑞孫燕盛方毓盧立延張果虎向磊
:、、、、、。
Ⅰ
GB/T29506—2013
300mm硅單晶拋光片
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直徑型晶向電阻率規(guī)格的硅單晶拋光片
300mm、p、<100>、0.5Ω·cm~20Ω·cm
的術(shù)語和定義技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢測規(guī)則以及標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存等
、、、、、、。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑直拉單晶磨削片經(jīng)雙面拋光制備的硅單晶拋光片產(chǎn)品主要用于滿足
300mm,
集成電路用線寬技術(shù)需求的襯底片
IC90nm。
2規(guī)范性引用文件
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。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法
GB/T1550
硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法
GB/T1554
半導(dǎo)體單晶晶向測定方法
GB/T1555
硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
GB/T1557
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GB/T1558
計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃
GB/T2828.11:(AQL)
硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法
GB/T4058
半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法
GB/T6616
硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗(yàn)方法
GB/T6624
硅片徑向電阻率變化的測量方法
GB/T11073
硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向射線測量方法
GB/T13388X
硅片直徑測量方法
GB/T14140
半導(dǎo)體材料術(shù)語
GB/T14264
硅拋光片表面顆粒測試方法
GB/T19921
硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測試方法
GB/T19922
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GB/T24578X
硅片切口尺寸測試方法
GB/T26067
硅單晶
GB/T29504300mm
硅片平整度厚度及總厚度變化測試自動(dòng)非接觸掃描法
GB/T29507、
硅單晶切割片和磨削片
GB/T29508300mm
硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法
YS/T26
非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴(kuò)散長度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測試方法
YS/T679
硅片翹曲度的無接觸自動(dòng)掃描測試方法
SEMIMF13
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