GB/T 29506-2013300 mm硅單晶拋光片

ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29506—2013

300mm硅單晶拋光片

300mmpolishedmonocrystallinesiliconwafers

2013-05-09發(fā)布2014-02-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T29506—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料股份有限公司中國(guó)有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人閆志瑞孫燕盛方毓盧立延張果虎向磊

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T29506—2013

300mm硅單晶拋光片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直徑型晶向電阻率規(guī)格的硅單晶拋光片

300mm、p、<100>、0.5Ω·cm~20Ω·cm

的術(shù)語(yǔ)和定義技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢測(cè)規(guī)則以及標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存等

、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑直拉單晶磨削片經(jīng)雙面拋光制備的硅單晶拋光片產(chǎn)品主要用于滿(mǎn)足

300mm,

集成電路用線(xiàn)寬技術(shù)需求的襯底片

IC90nm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法

GB/T1550

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T1554

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1558

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法

GB/T4058

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T6624

硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法

GB/T11073

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向射線(xiàn)測(cè)量方法

GB/T13388X

硅片直徑測(cè)量方法

GB/T14140

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法

GB/T19921

硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法

GB/T19922

硅片表面金屬沾污的全反射光熒光光譜測(cè)試方法

GB/T24578X

硅片切口尺寸測(cè)試方法

GB/T26067

硅單晶

GB/T29504300mm

硅片平整度厚度及總厚度變化測(cè)試自動(dòng)非接觸掃描法

GB/T29507、

硅單晶切割片和磨削片

GB/T29508300mm

硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法

YS/T26

非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測(cè)試方法

YS/T679

硅片翹曲度的無(wú)接觸自動(dòng)掃描測(cè)試方法

SEMIMF13