標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 31568-2015 熱噴涂熱障ZrO2涂層晶粒尺寸的測(cè)定 謝樂(lè)公式法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),專門針對(duì)通過(guò)熱噴涂技術(shù)制備的氧化鋯(ZrO2)熱障涂層材料進(jìn)行晶粒尺寸測(cè)量的方法進(jìn)行了規(guī)定。該標(biāo)準(zhǔn)采用了謝樂(lè)公式作為計(jì)算晶粒大小的基礎(chǔ),適用于評(píng)估這些涂層在不同條件下的微觀結(jié)構(gòu)特性。

標(biāo)準(zhǔn)首先明確了適用范圍,指出其主要應(yīng)用于采用X射線衍射技術(shù)來(lái)分析經(jīng)過(guò)熱噴涂工藝形成的ZrO2基熱障涂層樣品。接著詳細(xì)描述了試驗(yàn)所需的基本設(shè)備和材料要求,包括但不限于X射線衍射儀及其操作參數(shù)設(shè)定、樣品準(zhǔn)備過(guò)程等。此外,還特別強(qiáng)調(diào)了如何正確采集數(shù)據(jù)以及處理過(guò)程中可能遇到的問(wèn)題與解決辦法。

對(duì)于測(cè)試程序部分,《GB/T 31568-2015》提供了詳盡的操作指南,從樣品選取到最終結(jié)果計(jì)算都有明確指示。它指導(dǎo)用戶如何根據(jù)XRD譜圖中特定峰位寬化程度應(yīng)用謝樂(lè)方程估算平均晶粒直徑,并對(duì)影響因素如儀器分辨率、樣品表面狀態(tài)等給出了具體考量建議。

最后,在報(bào)告編寫方面,該標(biāo)準(zhǔn)也給出了相應(yīng)的格式要求,確保所有實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)、計(jì)算方法及最終結(jié)論能夠被清晰準(zhǔn)確地記錄下來(lái),以便于同行評(píng)審或后續(xù)研究參考使用。


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....

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  • 2015-05-15 頒布
  • 2016-01-01 實(shí)施
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GB/T 31568-2015熱噴涂熱障ZrO2涂層晶粒尺寸的測(cè)定謝樂(lè)公式法_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS2522020

A29..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T31568—2015

熱噴涂熱障ZrO2涂層

晶粒尺寸的測(cè)定謝樂(lè)公式法

Standardtestmethodfordeterminationof

crystallitesizeofZrO2coatingsbyScherrerequation

2015-05-15發(fā)布2016-01-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T31568—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)機(jī)械工業(yè)聯(lián)合會(huì)提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)金屬與非金屬覆蓋層標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC57)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人程國(guó)峰黃月鴻阮音捷曾毅宋力昕

:、、、、。

GB/T31568—2015

熱噴涂熱障ZrO2涂層

晶粒尺寸的測(cè)定謝樂(lè)公式法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了應(yīng)用射線衍射謝樂(lè)公式法測(cè)定熱噴涂熱障涂層試樣中立方四方單斜三種

XZrO2、、

相晶粒尺寸的方法原理測(cè)試條件及計(jì)算步驟等

ZrO2、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于晶粒尺寸在范圍內(nèi)部無(wú)不均勻應(yīng)變的試樣

2nm~100nm、。

2術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

21

.

熱障ZrO2涂層thermalbarrierZrO2coatings

采用熱噴涂制備工藝制備的基的涂層材料

ZrO2。

22

.

晶粒crystallite

內(nèi)部分子原子等有規(guī)律排列的微小單晶

、。

23

.

晶粒尺寸crystallitesize

Lhkl

晶粒在hkl晶面法線方向上的平均尺度

()。

24

.

半高寬fullwidthathalfmaximumofpeakprofileFWHM

;

衍射峰峰高極大值一半處的峰寬

。

3方法原理

對(duì)試樣照射射線測(cè)量所得到的衍射線假設(shè)試樣中沒(méi)有晶體結(jié)構(gòu)的不完整則衍射線的寬化僅

X,,,

由晶粒的細(xì)化引起可利用式謝樂(lè)公式計(jì)算晶粒尺寸

,(1)():

Lhkl=

βhklθ……(1)

cos

式中

:

Lhkl晶粒在hkl晶面法線方向的平均尺度單位為納米

———(),(nm);

K常數(shù)與βhkl的定義有關(guān)當(dāng)βhkl定義為半高寬時(shí)K

———,。,=0.89;

λ實(shí)驗(yàn)所用的射線波長(zhǎng)

———X,0.154056nm;

βhkl由晶粒細(xì)化引起的試樣某hkl晶面衍射峰的半高寬需扣除背底單位為弧度

———()(),(rad);

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