GB/T 34174-2017表面化學分析工作參考物質(zhì)中離子注入產(chǎn)生的駐留面劑量定值的推薦程序

ICS7104040

G04..

中華人民共和國國家標準

GB/T34174—2017/ISO/TR162682009

:

表面化學分析工作參考物質(zhì)中離子

注入產(chǎn)生的駐留面劑量定值的推薦程序

Surfacechemicalanalysis—Proposedprocedureforcertifyingtheretained

areicdoseinaworkingreferencematerialproducedbyionimplantation

(ISO/TR16268:2009,IDT)

2017-09-07發(fā)布2018-08-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T34174—2017/ISO/TR162682009

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

符號和縮略語

4……………4

概念和程序

5………………5

要求

6………………………7

定值

7………………………8

附錄資料性附錄離子注入

A()…………10

附錄資料性附錄離子注入劑量

B()……………………11

附錄資料性附錄射線熒光光譜術(shù)

C()X………………12

附錄資料性附錄非定值二級參考物質(zhì)及其替代物

D()………………13

附錄資料性附錄面劑量測量中的不確定度

E()………14

參考文獻

……………………17

Ⅰ

GB/T34174—2017/ISO/TR162682009

:

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準使用翻譯法等同采用表面化學分析工作參考物質(zhì)中離子注入產(chǎn)生

ISO/TR16268:2009《

的駐留面劑量定值的建議程序

》。

本標準由全國微束分析標準化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標準起草單位中國科學院化學研究所中國石化石油化工科學研究院國家納米科學中心

:、、。

本標準主要起草人邱麗美劉芬徐鵬刁玉霞趙志娟章小余

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T34174—2017/ISO/TR162682009

:

引言

本標準匯總經(jīng)驗后提供一個尚未被驗證為完整程序的推薦程序以描述獲得一個定值工作參考物

,

質(zhì)時的常見問題此用于給定晶圓片狀固體材料的表面化學定量分析此處討論的

(WoRM),WoRM。

已離子注入某種原子序數(shù)比大的化學元素稱作分析物的同位素其初始晶片由分析者選

WoRMSi(),

擇或準備通過推薦程序?qū)χ旭v留分析物的面劑量進行定值

。WoRM。

離子注入晶片中的分析物的駐留面劑量通過與硅片上離子注入的同種分析物的駐留面劑

WoRM

量進行比較測量得到定值并且此硅片為二級參考物質(zhì)最好已定值比較測量分兩步進行

,(SeRM)()。,

其中用到作為中間物質(zhì)的第三種參考物質(zhì)和兩種測試技術(shù)波長色散射線熒光光譜和離

(X(WD/XRF)

子注入劑量術(shù)作為傳遞參考物質(zhì)的中間參考物質(zhì)同樣是一片離子注入的硅片且與

)。(TrRM),,

是非等同孿生注入的即它與同時生成但基片類型和駐留面劑量與不同

WoRM()(WoRM,WoRM)。

它的首要功能是在對進行直接測量中避免可能的二次激發(fā)效應其次是在駐留面劑

WoRMWD/XRF;

量遠低于測量范圍時也允許被定值

WD/XRFWoRM。

的定值是參考物質(zhì)表征的新概念和程序的一部分在此概念中和

WoRM。,WoRM、TrRMSeRM

在系列參考物質(zhì)及其定值中有它們各自的作用是分析者責任范圍和參考物質(zhì)供應商責任范圍

。SeRM

之間的傳遞物質(zhì)此標準假設能獲得一個合適的描述了分析者責任區(qū)的部分程序當獲得一

。SeRM,。

個后為進行駐留面劑量的比較測量分析者需同時有合適的離子注入機和合適的波長色散

SeRM,,X

射線熒光光譜儀

。

的晶片性質(zhì)特別適合半導體材料分析但不局限于此應用然而在表面分析技術(shù)的選擇

WoRM,。,

上存在限制雖然樣品和的分析物及基片或許相同但是分析物可能存在不同的化學態(tài)和不

。WoRM,

同的深度分布采用時所選擇的表面分析技術(shù)需對分析物的化學態(tài)不敏感且允許對不同深

。WoRM,,

度分布進行校正才能獲得有意義的結(jié)果此問題可在二次離子質(zhì)譜分析中使用特殊參考物來解決

,。。

當選擇合適的表面分析技術(shù)后可用于均勻的離子注入的擴散的分層的分析物的深度分布

,WoRMs、、、

測量

。

此標準主要根據(jù)參考文獻[1]

。

Ⅳ

GB/T34174—2017/ISO/TR162682009

:

表面化學分析工作參考物質(zhì)中離子

注入產(chǎn)生的駐留面劑量定值的推薦程序

1范圍

對表面分析用的工作參考物質(zhì)中離子注入原子序數(shù)大于硅的分析物元素本標準規(guī)定了

(WoRM),

對其駐留面劑量進行定值的程序為組成均勻的標稱直徑不小于的拋光或類似磨

。WoRM、50mm(

面基片也稱作基片并已離子注入一種基片上不存在的某種化學元素的同位素也稱作分析物其

)(),(),

標稱面劑量范圍通常為162至132即半導體技術(shù)中最感興趣的范圍

10atoms/cm10atoms/cm()。WoRM

晶片中離子注入分析物的面劑量是通過與二級參考物質(zhì)硅片中注入相同分析物的駐留面劑

,(SeRM)

量比較而進行定值的

。

本標準提供了定值的概念和程序方面的信息同時也有對參考物質(zhì)要求比較測量和實

WoRM。、

際定值的描述離子注入離子注入劑量術(shù)波長色散射線熒光光譜和無法得到時的無證替

。、、XSeRM

代物的補充材料見附錄到附錄定值過程中產(chǎn)生的不確定度來源和數(shù)值見附錄

AD。E。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

表面化學分析詞匯

ISO18115(Surfacechemicalanalysis—Vocabulary)

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

ISO18115。

31

.

定值certification

對某一參考物質(zhì)按某一程序定值將某一屬性的值溯源至可用準確單位來表達該屬性值的行為

,。,

并賦予認定值在給定置信度下的不確定度

。

注該術(shù)語可同時用于確認行為即通過一個程序來定值和證書發(fā)布以表述該程序定值的內(nèi)容

:“”()“”。

32

.

下臨界能lowercriticalenerg