GB/T 35006-2018半導(dǎo)體集成電路電平轉(zhuǎn)換器測(cè)試方法

ICS31200

L56.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35006—2018

半導(dǎo)體集成電路

電平轉(zhuǎn)換器測(cè)試方法

Semiconductorintegratedcircuits—

Measuringmethodoflevelconverter

2018-03-15發(fā)布2018-08-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

半導(dǎo)體集成電路

電平轉(zhuǎn)換器測(cè)試方法

GB/T35006—2018

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20181

*

書號(hào)

:155066·1-58844

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T35006—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

總則

4………………………2

測(cè)試環(huán)境要求

4.1………………………2

測(cè)試注意事項(xiàng)

4.2………………………2

功能測(cè)試

5…………………2

目的

5.1…………………2

測(cè)試原理圖

5.2…………………………2

測(cè)試程序

5.3……………3

測(cè)試條件

5.4……………3

靜態(tài)參數(shù)測(cè)試

6……………3

輸入鉗位電壓V

6.1(IK)…………………3

輸入高電平電壓V

6.2(IH)………………4

輸入低電平電壓V

6.3(IL)………………5

輸出高電平電壓V

6.4(OH)……………5

輸出低電平電壓V

6.5(OL)………………5

輸入高電平電流I

6.6(IH)………………5

輸入低電平電流I

6.7(IL)………………5

輸出高電平電流I

6.8(OH)………………5

輸出低電平電流I

6.9(OL)………………6

輸出高阻態(tài)時(shí)高電平電流I

6.10(OZH)…………………7

輸出高阻態(tài)時(shí)低電平電流I

6.11(OZL)…………………8

靜態(tài)電流I

6.12(CCQ)……………………9

電流偏移量I

6.13(ΔCCQ)………………9

輸出對(duì)地短路電流I

6.14(OSL)………………………10

輸出對(duì)電源短路電流I

6.15(OSH)……………………11

開啟電阻R

6.16(ON)…………………12

通道間開啟偏移電阻R

6.17(ΔON)……………………13

動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

7……………14

電源電流I

7.1(CC)……………………14

最高工作頻率f

7.2(MAX)………………14

最低工作頻率f

7.3(MIN)………………15

輸入電容C和輸出電容C

7.4(I)(O)…………………16

輸出由低電平到高電平傳輸延遲時(shí)間t

7.5(PLH)……………………16

輸出由高電平到低電平傳輸延遲時(shí)間t

7.6(PHL)……………………17

Ⅰ

GB/T35006—2018

輸出由高阻態(tài)到高電平傳輸延遲時(shí)間t

7.7(PZH)……………………18

輸出由高阻態(tài)到低電平傳輸延遲時(shí)間t

7.8(PZL)……………………18

輸出由高電平到高阻態(tài)傳輸延遲時(shí)間t

7.9(PHZ)……………………19

輸出由低電平到高阻態(tài)傳輸延遲時(shí)間t

7.10(PLZ)……………………20

輸出由低電平到高電平轉(zhuǎn)換時(shí)間t

7.11(TLH)………21

輸出由高電平到低電平轉(zhuǎn)換時(shí)間t

7.12(THL)………22

眼圖高度e

7.13(H)……………………23

眼圖寬度e

7.14(W)……………………24

確定性抖動(dòng)Dj

7.15()…………………25

隨機(jī)抖動(dòng)Rj

7.16()……………………25

總抖動(dòng)J

7.17(t)………………………26

Ⅱ

GB/T35006—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)集成電路分技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位深圳市國(guó)微電子有限公司中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所工業(yè)和信息

:、、

化部電子第五研究所成都振芯科技股份有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人宦承永鄔海忠陸堅(jiān)魏軍王小強(qiáng)羅彬

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T35006—2018

半導(dǎo)體集成電路

電平轉(zhuǎn)換器測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路電平轉(zhuǎn)換器以下稱為器件功能靜態(tài)參數(shù)和動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試方法

()、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路電平轉(zhuǎn)換器功能靜態(tài)參數(shù)和動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

被測(cè)器件deviceundertestDUT