標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 17574-1998 半導(dǎo)體器件 集成電路 第2部分:數(shù)字集成電路》作為中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),規(guī)定了數(shù)字集成電路的分類、命名規(guī)則、型號(hào)命名方法及部分技術(shù)要求。然而,您提供的信息中并未直接給出另一個(gè)具體的標(biāo)準(zhǔn)或版本以進(jìn)行詳細(xì)的變更對(duì)比。不過(guò),我可以基于此類標(biāo)準(zhǔn)更新的一般趨勢(shì)和常見(jiàn)變動(dòng)方向,概述可能包含的幾類變更內(nèi)容,盡管這些不針對(duì)某個(gè)特定的前一版或后續(xù)版標(biāo)準(zhǔn)。

  1. 分類方法更新:新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)根據(jù)技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)品創(chuàng)新,對(duì)數(shù)字集成電路進(jìn)行更精細(xì)或重新組織的分類,以適應(yīng)市場(chǎng)上新型集成電路的涌現(xiàn)。

  2. 命名規(guī)則調(diào)整:為了提高命名的統(tǒng)一性和識(shí)別度,新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)修訂集成電路的命名規(guī)則,包括增加新的字母或數(shù)字編碼來(lái)表示特定的功能、性能指標(biāo)或制造工藝等。

  3. 型號(hào)命名方法優(yōu)化:隨著技術(shù)演進(jìn),型號(hào)命名方法可能會(huì)被簡(jiǎn)化或擴(kuò)展,以更好地反映器件的特性和兼容性,便于用戶快速識(shí)別和選用合適的集成電路產(chǎn)品。

  4. 技術(shù)要求增補(bǔ)或修改:新標(biāo)準(zhǔn)會(huì)根據(jù)行業(yè)進(jìn)步和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的提升,對(duì)數(shù)字集成電路的關(guān)鍵性能參數(shù)提出新的要求或測(cè)試方法,如功耗限制、速度等級(jí)、工作溫度范圍等,確保產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。

  5. 兼容性與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)接軌:為了促進(jìn)國(guó)際貿(mào)易和國(guó)際間的互認(rèn),新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)參考或采納國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)中的相關(guān)內(nèi)容,增強(qiáng)國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的一致性。

  6. 環(huán)境保護(hù)和安全要求:隨著對(duì)環(huán)保和電子產(chǎn)品安全性的重視增加,新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)新增關(guān)于材料使用、有害物質(zhì)限制、以及產(chǎn)品廢棄處理等方面的規(guī)定。

由于沒(méi)有具體的對(duì)比標(biāo)準(zhǔn),以上僅為一般性推測(cè),實(shí)際的具體變更內(nèi)容需要依據(jù)與之相對(duì)應(yīng)或前后版本的詳細(xì)比較才能確定。


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  • 正在執(zhí)行有效
  • 1998-11-17 頒布
  • 1999-06-01 實(shí)施
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ICS31.200L55中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T.17574-1998idtIEC748-2:1985半導(dǎo)體器件集成電路第2部分:數(shù)字集成電路SemiconductordevicesIntegratedcircuitsPart2:Digitalintegratedcircuits1998-11-17發(fā)布1999-06-01實(shí)施國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T17574-1998二次前言IEC前言IEC序言第I篇總則引言范圍第I篇術(shù)語(yǔ)和文字符號(hào)組合和時(shí)序集成電路的術(shù)語(yǔ)1.1通用術(shù)語(yǔ)·1.2與功能有關(guān)的術(shù)語(yǔ)1.3電路類型…·1.4與額定值和特性有關(guān)的術(shù)語(yǔ)1.5鎖定術(shù)語(yǔ)·…2示例………………·3存儲(chǔ)器集成電路的術(shù)語(yǔ)·3.1通用術(shù)語(yǔ)………3.2與存儲(chǔ)器功能和結(jié)構(gòu)有關(guān)的術(shù)語(yǔ)·3.3存儲(chǔ)器的類型……心3.4與額定值和特性有關(guān)的術(shù)語(yǔ)·3.5靜態(tài)讀/寫存儲(chǔ)器的典型波形283.6存儲(chǔ)器測(cè)試圖形的術(shù)語(yǔ)和說(shuō)明……4微處理器集成電路的術(shù)語(yǔ)…5電荷轉(zhuǎn)移器件的術(shù)語(yǔ)…組合電路和時(shí)序電路的文字符號(hào)…6347時(shí)序電路(包括存儲(chǔ)器)動(dòng)態(tài)參數(shù)的文字符號(hào)…34R數(shù)字集成電路附加術(shù)語(yǔ)和定義……AA第亞篇基本額定值和電特性第1節(jié)數(shù)字集成電路通用部分電路的識(shí)別和說(shuō)明…·451.1標(biāo)志和類型·451.2工藝·······451.3封裝識(shí)別·45

GB/T17574-19982功能說(shuō)明…….2.1框圖……2.2功能說(shuō)明·2.3復(fù)雜結(jié)構(gòu)·3定值(極限值)3.1連續(xù)電壓和連續(xù)電流…·3.2非連續(xù)電壓和非連續(xù)電流·3.3溫度·······3.4承受短路的能力…·4推薦工作條件(在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi))5雙極型集成電路的靜態(tài)電特性·5.1數(shù)字電壓信號(hào)的基本特性………5.2輸入籍位電壓(適用時(shí))5.3輸入和輸出電流的基本特性·45.4最壞情況的條件·5.5鎖定特性………….…………….6MOS集成電路靜態(tài)和準(zhǔn)靜態(tài)電特性6.1數(shù)字電壓信號(hào)的基本特性………·6.2電流的基本特性…6.3鎖定特性………………7動(dòng)態(tài)電特性……7.1引言?……····7.2表征電路響應(yīng)的時(shí)間·7.3保證正確操作順序的輸入要求…7.4輸入和輸出阻抗……電源總功率或電流·………9電源總電流(動(dòng)態(tài)工作)10指令脈沖資料(適用時(shí))絕緣電阻12機(jī)械額定值、特性和其他資料………5613補(bǔ)充資料·5613.1:輸出負(fù)載能力……………5613.2噪聲容限5613.3數(shù)字集成電路的互連5614注意事項(xiàng)56第1節(jié)的附錄、特性規(guī)范56第2節(jié)存儲(chǔ)器集成電路靜態(tài)和動(dòng)態(tài)讀/寫存儲(chǔ)器和只讀存儲(chǔ)器電路的識(shí)別和說(shuō)明………

CB/T17574-19982功能說(shuō)明……572.1572.2功功能描述……57顏定值(極限值)574推薦工作條件(在規(guī)定的工作溫度范圍)57雙極型存儲(chǔ)器的靜態(tài)電特性·576MOS存儲(chǔ)器的靜態(tài)電特性577動(dòng)態(tài)電特性…………….……·587.1表表征電路響應(yīng)的時(shí)間…587.2保保持正確操作順序的輸入端要求…587.3瑜入和輸出電容…………·62電電源功率或電源電流(靜態(tài)工作)……8電源功率或電源電流(動(dòng)態(tài)工作)10機(jī)械額定值、特性和其他資料….補(bǔ)充資料11.1瑜出負(fù)載能力…………….11.2噪聲容限………6211.3相似單元的互連6211.4輸出電路的類型6211.5與其他類型電路的互連6312注意事項(xiàng)?!ぁぁぁ?9現(xiàn)場(chǎng)可編程只讀存儲(chǔ)器電路的識(shí)別和說(shuō)明……6.32功能說(shuō)明……….632.1框圖……2.2引出端的識(shí)別632.3功能說(shuō)明·····633顏定值(極限值)·讀方式……4.1椎薦工作條件(在規(guī)定的工作溫度范圍)4.2靜態(tài)電特性……4.3動(dòng)態(tài)電特性…4.4定定時(shí)要求……5;編程方式……655.1編程步驥·655.2推薦的編程條件·655.3定時(shí)要求…656擦除方式(適用時(shí))656.1電可擦存儲(chǔ)器…·65

GB/T17574-19986.2紫外線可擦存儲(chǔ)器……………編程一擦除循環(huán)數(shù)…….6n數(shù)據(jù)保存資料……….66.電源功率或電源電流(靜態(tài)工作)66電源功率或電源電流(動(dòng)態(tài)工作)1066機(jī)械額定值、特性和其他資料··67補(bǔ)充資料6713住意事項(xiàng)6內(nèi)部可尋址存儲(chǔ)器(CAM)電路的識(shí)別和說(shuō)明·67功能說(shuō)明…6T2.1672.2功能描述·6R2.3指令系統(tǒng)…682.4操作模式…6:3;額定值(極限值)69推薦工作條件(在規(guī)定的工作溫度范圍)6S雙極存儲(chǔ)器的靜態(tài)電特性………MOS存儲(chǔ)器的靜態(tài)電特性65動(dòng)態(tài)電特性……….…….……………·…·697.1表征電路的響應(yīng)時(shí)間·6S7.2保持正確操作順序的輸入端要求?657.3輸入和輸出電容…6S8電源功率和電源電流(靜態(tài)工作)7電源功率和電源電流(動(dòng)態(tài)工作)機(jī)械額定值、特性和其他資料………….10補(bǔ)充資料12注意事項(xiàng)770第3節(jié)微處理器集成電路電路的識(shí)別和說(shuō)明·7701.1電兼容性…702功能說(shuō)明·702.1框圖……702.2功能說(shuō)明……702.3指令系統(tǒng)·712.4指令的結(jié)構(gòu)·712.5輸入和輸出信號(hào)·713額定值(極限值)...79

GB/T17574-19983.1電極限值…723.23.3功耗·4推薦工作條件(在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi))724.1電源電壓…·時(shí)鐘輸入……….4.24.3輸入電壓(不包括時(shí)鐘輸入)瑜出電流…………·外部元件(適用時(shí))4.54.6建立時(shí)間和保持時(shí)間………734.7控制順序的定時(shí)圖·735電特性………··……··……··735.11靜態(tài)特性……735.2動(dòng)態(tài)特性……746機(jī)械額定值、特性和其他資料補(bǔ)充資料………………747.1出負(fù)載能力…747.2聲容限……747.3應(yīng)用數(shù)據(jù)·747.4其他資料………75注意事項(xiàng)……R75第W篇測(cè)試方法第1節(jié)總基本要求……752特殊要求………········75靜態(tài)和動(dòng)態(tài)測(cè)試的一般要求·2.12.2靜態(tài)特性的規(guī)定條件………752.3動(dòng)態(tài)特性的規(guī)定條件…763測(cè)試方法應(yīng)用表格·…·76第2節(jié)態(tài)特性的測(cè)試方法輸出高電平電壓和輸出低電平電壓(Vom和Vo)3716輸入高電平電流和輸人低電平電流(Im和7u)38]2ooooooooooooooooo783輸出短路電流(7os)4078靜態(tài)條件下的電源電流L417……479(輸入)闊值電壓和浦后電壓[48)5806輸入籍位電壓(Vr)94]82輸出高阻態(tài)電流(/oz)95鎖定特性[967……………···84

GB/T17574-19988.1正向鎖定的輸入/輸出的電壓或電流848.2負(fù)向鎖定的輸入/輸出的電壓或電流86鎖定電源電壓或電流…8.3898.4鎖定態(tài)(電源)電壓或電流…………918.5預(yù)防措施……·92試驗(yàn)后測(cè)量………8.693第3節(jié)動(dòng)態(tài)測(cè)試的測(cè)試方法動(dòng)態(tài)條件下的總電源電流[12通過(guò)時(shí)鐘線所提供的功率[2】943輸入阻抗和輸出阻抗6,11795電流測(cè)試:大信號(hào)工作時(shí)的輸入和輸出電容63.13.2電壓測(cè)試:等效輸入和輸出電容、等效輸入和輸出電阻「1174表征電路的時(shí)間·……004.1傳傳輸時(shí)間37.77…10延退時(shí)間和轉(zhuǎn)換時(shí)間41,5·4.21044.3建立時(shí)間8和保持時(shí)間9106分辨時(shí)間36」··4.41084.5輸出允許時(shí)間和禁止時(shí)間(對(duì)于三態(tài)輸出兒49】110存儲(chǔ)器的特定時(shí)間[50~[54……4.6112時(shí)序電路的轉(zhuǎn)換頻率101·5116數(shù)數(shù)字集成電路的功能檢驗(yàn)方法117第V篇接收和可靠性第1節(jié)電耐久性試驗(yàn)一般要求特殊要求19

GB/T17574-1998本標(biāo)準(zhǔn)等同采用國(guó)際電工委員會(huì)標(biāo)準(zhǔn)IEC748-2:1985《半導(dǎo)體器件集成電路第2部分:數(shù)字集成電路》及修改單(1993)進(jìn)行編寫。本標(biāo)準(zhǔn)的編制將促進(jìn)我圍半導(dǎo)體數(shù)字集成電路的國(guó)際貿(mào)易、技術(shù)和經(jīng)濟(jì)交流。本標(biāo)準(zhǔn)引用的GB/T17573《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第1部分總則》和GB/T16464一1996《半導(dǎo)體器件集成電路第1部分總則》分別等同采用IC747-1:1983及1993年的修訂和IEC748-1:1984及1993年的兩次修訂。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)集成電路標(biāo)準(zhǔn)化分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:李燕榮、張宏圖。

GB/T17574-1998IEC前言1)IEC(國(guó)際電工委員會(huì))在技術(shù)問(wèn)題上的正式?jīng)Q議或協(xié)議,是由對(duì)這些問(wèn)題特別關(guān)切的國(guó)家委員會(huì)參加的技術(shù)委員會(huì)制定的,對(duì)所涉及的問(wèn)題盡可能地代表了國(guó)際上的一致意見(jiàn)。2)這些決議或協(xié)議,以推薦標(biāo)準(zhǔn)的形式供國(guó)際上使用,并在此意義上為各國(guó)家委員會(huì)所認(rèn)可。3)為了促進(jìn)國(guó)際上的統(tǒng)一,IEC希望各國(guó)家委員會(huì)在本國(guó)條件許可的情況下,采用IEC標(biāo)準(zhǔn)的文本作為其國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。IEC標(biāo)準(zhǔn)與相應(yīng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之間的差異,應(yīng)盡可能在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中指明。亞C序言本標(biāo)準(zhǔn)由IECTC47半導(dǎo)體器件制訂IEC748-2構(gòu)成了集成電路通用標(biāo)準(zhǔn)IEC748的第二部分。本標(biāo)準(zhǔn)與IEC747-1和IEC748-1通用標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)成了數(shù)字集成電路的標(biāo)準(zhǔn)TC471982年9月在倫敦召開(kāi)會(huì)議,批準(zhǔn)了將標(biāo)準(zhǔn)IEC147和IEC148按器件分類,重新編排整理的方案。因?yàn)樗薪M成部分預(yù)先已經(jīng)按照六個(gè)月法或兩個(gè)月程序表決批準(zhǔn),不再重新表決標(biāo)準(zhǔn)IEC147和IEC148中涉及集成電路的內(nèi)容已包括在IEC747-1和IEC748標(biāo)準(zhǔn)中標(biāo)準(zhǔn)IEC147-5和IEC147-5A中涉及機(jī)械和氣候測(cè)試方法的內(nèi)容已包括在IEC749標(biāo)準(zhǔn)中由于TC47的工作連續(xù)性以及考惠集成電路領(lǐng)域的發(fā)展,通過(guò)修訂和補(bǔ)充文件以保證標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)本標(biāo)準(zhǔn)完全替代IEC147-1D和IEC147-2L標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件集成電路GB/T17574-1998第2部分:數(shù)字集成電路1dtIEC748-2:1985SemiconductordevicesIntegratedcircuitsPart2:Digitalintegratedcircuits第I篇總1引言通常,本標(biāo)準(zhǔn)需要與GB/T17573—1998和GB/T16464一1996標(biāo)準(zhǔn)一起使用.在GB/T17573和GB/T16464標(biāo)準(zhǔn)中,可查到下列的全部基本資料:術(shù)語(yǔ);一·文字符號(hào);-基本額定值和特性:-測(cè)試方法;接收和可靠性2范田本標(biāo)準(zhǔn)給出了下列各類或各分類器件的標(biāo)準(zhǔn):組合和時(shí)序數(shù)字電路;存儲(chǔ)器集成電路;-微處理器集成電路;-電荷轉(zhuǎn)移器件、

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