模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第一章

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第1章常用半導(dǎo)體器件硅Si和鍺Ge原子結(jié)構(gòu)及簡化模型(a)Si原子結(jié)構(gòu)模型圖(b)Ge原子結(jié)構(gòu)模型圖(c)簡化模型圖本征半導(dǎo)體

+4+4+4+4+4+4+4+4+4

完全純凈的、不含其他雜質(zhì)且具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。

通過特殊工藝，可使硅或鍺材料形成晶體結(jié)構(gòu)，每個原子與周圍的4個原子以共價鍵的形式緊密結(jié)合著，并排列成整齊的晶格結(jié)構(gòu)。價電子共價鍵單晶體中的共價鍵結(jié)構(gòu)當(dāng)溫度T=0

K時，半導(dǎo)體不導(dǎo)電，如同絕緣體。+4+4+4+4+4+4+4+4+4本征半導(dǎo)體中的自由電子和空穴自由電子空穴

若T

，將有少數(shù)價電子克服共價鍵的束縛成為自由電子，在原來的共價鍵中留下一個空位——空穴。T

自由電子和空穴使本征半導(dǎo)體具有導(dǎo)電能力，但很微弱?？昭ê妥杂呻娮臃Q為載流子。雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體有兩種N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體一、N型半導(dǎo)體

在硅或鍺的晶體中摻入少量的5價雜質(zhì)元素，如磷、銻、砷等，即構(gòu)成N型半導(dǎo)體(或稱電子型半導(dǎo)體)。二、P型半導(dǎo)體

在硅或鍺的晶體中摻入少量的3價雜質(zhì)元素，如硼、鎵、銦等，即構(gòu)成P型半導(dǎo)體。自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴的濃度，即n>>p。電子稱為多數(shù)載流子(簡稱多子)，空穴稱為少數(shù)載流子(簡稱少子)?？昭舛榷嘤陔娮訚舛?，即p>>n。空穴為多數(shù)載流子，電子為少數(shù)載流子。+4+4+4+4+4+4+4+4+4P型半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)+3受主原子空穴PN結(jié)及其單向?qū)щ娦訮NPN結(jié)PN結(jié)的形成

在一塊半導(dǎo)體的一側(cè)摻雜成為P型半導(dǎo)體，另一側(cè)摻雜成為N型半導(dǎo)體，兩個區(qū)域的交界處就形成了一個特殊的薄層，稱為PN結(jié)。PN耗盡層空間電荷區(qū)PNPN結(jié)中載流子的運動1.擴散運動

2.擴散運動形成空間電荷區(qū)電子和空穴濃度差形成多數(shù)載流子的擴散運動?！狿N結(jié)，耗盡層。PN空間電荷區(qū)內(nèi)電場UD

阻擋層3.空間電荷區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場空間電荷區(qū)正負(fù)離子之間電位差UD

——電位壁壘；——

內(nèi)電場；內(nèi)電場阻止多子的擴散——

阻擋層。

4.漂移運動內(nèi)電場有利于少子運動—漂移。

少子的運動與多子運動方向相反5.擴散與漂移的動態(tài)平衡擴散運動使空間電荷區(qū)增大，擴散電流逐漸減??；隨著內(nèi)電場的增強，漂移運動逐漸增加；當(dāng)擴散電流與漂移電流相等時，PN結(jié)總的電流等于零，空間電荷區(qū)的寬度達(dá)到穩(wěn)定。即擴散運動與漂移運動達(dá)到動態(tài)平衡。二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.PN外加正向電壓又稱正向偏置，簡稱正偏。外電場方向內(nèi)電場方向空間電荷區(qū)VRI空間電荷區(qū)變窄，有利于擴散運動，電路中有較大的正向電流。PN在PN結(jié)加上一個很小的正向電壓，即可得到較大的正向電流，為防止電流過大，可接入電阻R。2.PN結(jié)外加反向電壓(反偏)空間電荷區(qū)PN外電場方向內(nèi)電場方向VRIS反相偏置的PN結(jié)反向電流又稱反向飽和電流。對溫度十分敏感，隨著溫度升高，IS將急劇增大。反向接法時，外電場與內(nèi)電場方向一致，增強了內(nèi)電場作用；

外電場使空間電荷區(qū)變寬；不利于擴散運動，有利于漂移運動，漂移電流大于擴散電流，電路中產(chǎn)生反向電流I

；由于少數(shù)載流子濃度很低，反向電流數(shù)值非常小。綜上所述：當(dāng)PN結(jié)正向偏置時，回路中將產(chǎn)生一個較大的正向電流，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)；當(dāng)PN結(jié)反向偏置時，回路中反向電流非常小，幾乎等于零，PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)?？梢姡琍N結(jié)具有單向?qū)щ娦?。PN結(jié)的電容效應(yīng)

PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，體現(xiàn)了PN結(jié)具有可變電阻的性質(zhì)，即外加正向電壓時，PN結(jié)呈現(xiàn)的電阻很??；外加反向電壓時，PN結(jié)呈現(xiàn)的電阻很大。PN結(jié)除了表現(xiàn)有可變電阻的特性外，它還具有可變電容的特性。PN結(jié)的電容由勢壘電容和擴散電容兩部分組成。1）勢壘電容當(dāng)PN結(jié)外加電壓變化時，空間電荷區(qū)的寬度將隨之變化，既耗盡區(qū)的空間電荷量隨外加電壓而增加或減少。這種現(xiàn)象與電容器充放電過程類似，其空間電荷量的變化所等效的電容，稱之為勢壘電容，用Cb表示。2）擴散電容因多子擴散所引起的電容效應(yīng)對應(yīng)的等效電容稱之為擴散電容，用Cd表示。PN結(jié)的總電容Cj為Cb與Cd之和，即：

Cj=Cb+CdPN結(jié)正偏時，結(jié)電容以Cd為主，即Cj≈Cd，其值通常為幾十~幾百pF;PN結(jié)反偏時，結(jié)電容以Cb為主，即Cj≈Cb，其值通常為幾~幾十pF。在低頻時，常忽略Cj的影響，而在信號頻率較高時，才考慮結(jié)電容的影響。1.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中多子的數(shù)量與------

（a.摻雜濃度、b.溫度）有關(guān)。2.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中少子的數(shù)量與------（a.摻雜濃度、b.溫度）有關(guān)。3.當(dāng)溫度升高時，少子的數(shù)量------

（a.減少、b.不變、c.增多）。4.在外加電壓的作用下，P型半導(dǎo)體中的電流主要是------

，N型半導(dǎo)體中的電流主要是------。（a.電子電流、b.空穴電流）1.1什么是本征半導(dǎo)體?什么是雜質(zhì)半導(dǎo)體?各有什么特征?1.2N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入____價元素而形成，其多數(shù)載流子是______，少數(shù)裁流子是_______；P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入____價元素而形成，其多數(shù)載流子是______，少數(shù)裁流子是_______。1.3當(dāng)PN結(jié)無外加電壓時，有無電流流過？有無載流子通過?PN結(jié)兩端存在內(nèi)建電位差，若將PN結(jié)短路，問有無電流流過?1.4PN結(jié)末加外部電壓時，擴散電流_____漂移電流；外加正向電壓時：擴散電流____漂移電流，其耗盡層變____；加反向電壓時：擴散電流_____漂移電流，其耗盡層變______。部分習(xí)題：1.2半導(dǎo)體二極管

普通二極管圖1.10二極管的結(jié)構(gòu)與電路符號（a）面接觸型（b）點接觸型（c）電路符號按半導(dǎo)體材料分：有硅二極管、鍺二極管等。按PN結(jié)結(jié)構(gòu)分：有點接觸型和面接觸型二極管。按用途劃分：有整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、發(fā)光二極管、變?nèi)荻O管等。二極管的伏安特性在二極管的兩端加上電壓，測量流過管子的電流，I=f

(U

)之間的關(guān)系曲線。604020–0.002–0.00400.51.0–25–50I/mAU/V正向特性硅管的伏安特性死區(qū)電壓擊穿電壓U(BR)反向特性–50I/mAU

/V0.20.4–2551015–0.01–0.02鍺管的伏安特性0二極管的伏安特性k為波爾茲曼常數(shù)T為熱力學(xué)溫度，在T=300K時（室溫下），UT≈26mV

q為電子電量二極管伏安特性二極管的主要參數(shù)1.最大整流電流IF

二極管長期運行時，允許通過的最大正向平均電流。2.最高反向工作電壓URM工作時允許加在二極管兩端的反向電壓值。3.反向電流IR

室溫下，二極管加上規(guī)定的反向電壓時，流過管子的反向電流。通常希望IR

值愈小愈好。4.最高工作頻率fM

fM值主要決定于PN結(jié)結(jié)電容的大小。結(jié)電容愈大，二極管允許的最高工作頻率愈低。5）直流電阻RDRD定義為：二極管兩端所加直流電壓UD與流過它的電流ID之比，即6）交流電阻rd當(dāng)二極管外加正向直流偏置電壓UD時，將產(chǎn)生電流ID，UD、ID在二極管的特性曲線上確定了一點Q（UD，ID）。定義在Q點附近的小范圍內(nèi)，電壓的增量與電流的增量之比為rd，即二極管等效模型1理想二極管等效電路2恒壓降型等效電路3折線型等效電路二極管的單向?qū)щ娦?.二極管加正向電壓（正向偏置，陽極接正、陰極接負(fù)）時，二極管處于正向?qū)顟B(tài)，二極管正向電阻較小，正向電流較大。2.二極管加反向電壓（反向偏置，陽極接負(fù)、陰極接正）時，二極管處于反向截止?fàn)顟B(tài)，二極管反向電阻較大，反向電流很小。

3.外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦浴?.二極管的反向電流受溫度的影響，溫度愈高反向電流愈大。二極管：死區(qū)電壓=0.5V，正向壓降0.7V(硅二極管)

理想二極管：死區(qū)電壓=0，正向壓降=0RLuiuouiuott二極管的應(yīng)用舉例1：二極管半波整流電路如圖，求：UABV陽

=－6VV陰=－12VV陽>V陰二極管導(dǎo)通若忽略管壓降，二極管可看作短路，UAB=－6V否則，UAB低于－6V一個管壓降，為－6.3Ｖ或－6.7V例2：

取B點作參考點，斷開二極管，分析二極管陽極和陰極的電位。

在這里，二極管起鉗位作用。D6V12V3kBAUAB+–兩個二極管的陰極接在一起取B點作參考點，斷開二極管，分析二極管陽極和陰極的電位。V1陽

=－6V，V2陽=0V，V1陰

=V2陰=－12VUD1=6V，UD2=12V

∵

UD2>UD1

∴D2優(yōu)先導(dǎo)通，D1截止。若忽略管壓降，二極管可看作短路，UAB

=0V例3:D1承受反向電壓為－6V流過D2

的電流為求：UAB

在這里，D2起鉗位作用，D1起隔離作用。BD16V12V3kAD2UAB+–ui>8V，二極管導(dǎo)通，可看作短路uo=8V

ui<8V，二極管截止，可看作開路uo=ui已知：二極管是理想的，試畫出uo

波形。8V例4：二極管的用途：

整流、檢波、限幅、鉗位、開關(guān)、元件保護、溫度補償?shù)?。ui18V參考點二極管陰極電位為8VD8VRuoui++––半導(dǎo)體二極管的測量與選用:用萬用表的電阻檔測量得出二極管的好壞:兩次測量正反向電阻相差最大,質(zhì)量好.兩次測量正反向電阻接近或相等,失效.兩次測量正反向電阻無窮大,斷路.兩次測量正反向電阻等于零,短路.1.8二極管電路如圖1.46所示。試判斷圖中各二極管是導(dǎo)通還是截止，并求出A、O兩端間的電壓UAO，(設(shè)二極管的正向電壓降和反向電流均可忽略)。1.10電路如圖1.48所示，已知D1是硅管，D2是鍺管，其余參數(shù)如圖示。試計算UO和ID。

穩(wěn)壓二極管管一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管。穩(wěn)壓管工作在反向擊穿區(qū)。雖然反向電流變化較大，但管子兩端的電壓卻變化很小。

I/mAU/VO+正向+反向U(b)穩(wěn)壓管符號(a)穩(wěn)壓管伏安特性+I圖1.2.10穩(wěn)壓管的伏安特性和符號1.正向?qū)?.關(guān)斷3.反向穩(wěn)壓導(dǎo)通

穩(wěn)壓管主要參數(shù)1.穩(wěn)定電壓UZ5.動態(tài)電阻rZ2.穩(wěn)定電流IZ（即IZmin)穩(wěn)壓管工作在反向擊穿區(qū)時的穩(wěn)定工作電壓。I<IZ時，管子的穩(wěn)壓性能差；一般，I較大時穩(wěn)壓性能較好，但不能超過額定功耗最大穩(wěn)定電流IZmax。4.額定功耗PZ

穩(wěn)壓管的額定功耗PZ等于其穩(wěn)定電壓UZ與最大穩(wěn)定電流IZM的乘積。PZ=UZIZM3.最大穩(wěn)定電流IZmax穩(wěn)壓管正常工作時允許通過的最大電流。穩(wěn)壓管正常工作的參考電流。6.溫度系數(shù)VDZR使用穩(wěn)壓管需要注意的幾個問題：穩(wěn)壓管電路UOIO+IZIRUI+

1.

外加電源的正極接管子的N區(qū)，電源的負(fù)極接P區(qū)，保證管子工作在反向擊穿區(qū)；RL

2.

穩(wěn)壓管應(yīng)與負(fù)載電阻RL

并聯(lián)；

3.

必須限制流過穩(wěn)壓管的電流IZ，不能超過規(guī)定值，以免因過熱而燒毀管子。

發(fā)光二極管

光電二極管發(fā)光二極管是一種將電能轉(zhuǎn)換為光能的半導(dǎo)體器件。光電二極管是一種將光能轉(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件。1.11在圖1.49所示電路中，穩(wěn)壓管參數(shù)為UZ＝12V，IZ＝5mA，PZM＝200mW，試分析：

(1)穩(wěn)壓管是否工作于穩(wěn)壓狀態(tài)?并求UO值;(2)穩(wěn)壓管是否能安全工作?UZIZIZMUZIZUIO1.3晶體管晶體管的結(jié)構(gòu)(a)平面型(NPN)(b)合金型(PNP)NecNPb二氧化硅becPNPe發(fā)射極，b基極，c集電極。多子濃度高多子濃度很低，且很薄面積大晶體管有三個極、三個區(qū)、兩個PN結(jié)。小功率管中功率管大功率管為什么有孔？基區(qū)：最薄，摻雜濃度最低發(fā)射區(qū)：摻雜濃度最高發(fā)射結(jié)集電結(jié)BECNNP基極發(fā)射極集電極結(jié)構(gòu)特點：集電區(qū)：面積最大

晶體管的結(jié)構(gòu)與符號晶體管的放大原理

擴散運動形成發(fā)射極電流IE，復(fù)合運動形成基極電流IB，漂移運動形成集電極電流IC。少數(shù)載流子的運動因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合因集電區(qū)面積大，在外電場作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)基區(qū)空穴的擴散圖1.26發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置（a）內(nèi)部電流傳輸示意圖（b）電路圖beceRcRb三極管的電流分配關(guān)系IEpICBOIEICIBIEnIBnICnIC=ICn+ICBO

IE=ICn+IBn+IEp

=IEn+IEp一般要求ICn在IE中占的比例盡量大。而二者之比稱共基直流電流放大系數(shù)，即一般可達(dá)0.95~0.99電流分配：IE＝IB＋IC

IE－擴散運動形成的電流

IB－復(fù)合運動形成的電流

IC－漂移運動形成的電流穿透電流集電結(jié)反向電流直流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)為什么基極開路集電極回路會有穿透電流？共發(fā)射極電流放大作用

1發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置

晶體管在發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏時，內(nèi)部載流子的傳輸過程與外電路的連接形式無關(guān)。晶體管處于放大狀態(tài)。>>1，所以當(dāng)基極電流有一個較小的變化時，會引起集電極電流有一個較大的變化，這就是晶體管共發(fā)射極接法時的電流放大作用。2發(fā)射結(jié)反向偏置、集電結(jié)反向偏置當(dāng)晶體管的發(fā)射結(jié)與集電結(jié)均反向偏置時，各電極的電流近似為零，稱這種狀態(tài)為截止?fàn)顟B(tài)。3發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)正向偏置集電結(jié)對基區(qū)的非平衡少子的收集能力大大降低，當(dāng)發(fā)射結(jié)電壓增大時，由發(fā)射區(qū)進入基區(qū)的載流子較多的與基區(qū)的多子復(fù)合，使IB迅速增加，而IC基本上維持一個常數(shù)。晶體管的這種工作狀態(tài)稱為飽和狀態(tài)。

在飽和狀態(tài)下，IB失去了對IC的控制作用。隨著IC的增大，UCE減小。當(dāng)UCE減小，使UCB小于零時，集電結(jié)則處于正向偏置。發(fā)射結(jié)反向偏置、集電結(jié)正向偏置

三極管倒置應(yīng)用時，沒有電流放大能力。綜上所述：晶體管有三種工作狀態(tài)：放大狀態(tài)、截止?fàn)顟B(tài)、飽和狀態(tài)。

晶體三極管把基極電流的微小變化能夠引起集電極電流較大變化的特性稱為晶體管的電流放大作用。

實質(zhì):用一個微小電流的變化去控制一個較大電流的變化，是電流控制器件。晶體管的共射輸入特性和輸出特性為什么UCE增大曲線右移？

對于小功率晶體管，UCE大于1V的一條輸入特性曲線可以取代UCE大于1V的所有輸入特性曲線。為什么像PN結(jié)的伏安性？為什么UCE增大到一定值曲線右移就不明顯了？1.輸入特性

UCE=0V時發(fā)射結(jié)與集電結(jié)并聯(lián)，相當(dāng)于兩只二極管并聯(lián)。

0?UCE?1V時集電結(jié)由正偏向反偏過渡，iC增加iB減小。

UCE?1V后，集電結(jié)反偏形成，iC基本不變，

UBE與iB的關(guān)系受UCE的影響減小。2.

輸出特性對應(yīng)于一個IB就有一條iC隨uCE變化的曲線。

為什么uCE較小時iC隨uCE變化很大？為什么進入放大狀態(tài)曲線幾乎是橫軸的平行線？

飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū)放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。

溫度對晶體管特性的影響晶體管參數(shù)與溫度的關(guān)系1、溫度每增加10C，ICBO增大一倍。硅管優(yōu)于鍺管。2、溫度每升高1C，UBE將減小–(2~2.5)mV，即晶體管具有負(fù)溫度系數(shù)。3、溫度每升高1C，增加0.5%~1.0%。主要參數(shù)

直流參數(shù)：、、ICBO、ICEOc-e間擊穿電壓最大集電極電流最大集電極耗散功率，PCM＝iCuCE安全工作區(qū)

交流參數(shù)：β、α、fT（使β＝1的信號頻率）

極限參數(shù)：ICM、PCM、U（BR）CEO晶體管的主要參數(shù)1電流放大系數(shù)共基極共發(fā)射極2極間反向電流1）集電極反向飽和電流ICBO2）集電極發(fā)射極穿透電流ICEO發(fā)射極開路時，集電極與基極之間的反向電流?；鶚O開路時，集電極與發(fā)射極之間的穿透電流。3極限參數(shù)1）集電極最大允許耗散功率PCM2）集電極最大允許電流ICM

3）極間反向擊穿電壓U(BR)CEO是指基極開路時，集電極——發(fā)射極間的反向擊穿電壓。U(BR)CBO是指發(fā)射極開路時，集電極——基極間的反向擊穿電壓。U(BR)EBO是指集電極開路時，發(fā)射極——基極間的反向擊穿電壓。U(BR)EBO<U(BR)CEO<U(BR)CBOPNP型三極管放大原理與NPN型基本相同，但為了保證發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，外加電源的極性與NPN正好相反。三極管外加電源的極性(a)NPN型VCCVBBRCRb~NNP++uoui(b)PNP型VCCVBBRCRb~++uoui1.14晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)為_____偏置，集電結(jié)為_____偏置；工作在飽和區(qū)時，發(fā)射結(jié)為_____偏置，集電結(jié)為______偏置；工作在截止區(qū)時，發(fā)射結(jié)為_____偏置，集電結(jié)為______偏置。1.15發(fā)射結(jié)為正向偏置，集電結(jié)為反向偏置是晶體管工作在放大區(qū)的基本要求。試問這一要求與以基極作為輸入輸出回路的公共端或者以發(fā)射極作為輸入輸出回路的公共端有無關(guān)系？為什么？1.18在放大電路中，測得三個晶體管的三個電極1、2、3對參考點的電壓U1、U2、U3分別為以下幾組數(shù)值，試判斷它們是NPN型還是PNP型?是硅管還是鍺管？并確定e、b、c。(1)U1＝3.3V，U2＝2.6V，U3＝12V(2)U1＝3.3V，U2＝3V,U3＝12V(3)U1＝5.5V，U2＝11.3V,U3＝12V1.20用電壓表測量某電路中幾個晶體管的極間電壓，得到下列幾組值，試依據(jù)這些數(shù)據(jù)說明各個管子是NPN型還是PNP型，是硅管還是鍺管，并說明它們工作在什么區(qū)域。（1）UBE=0.7V，UCE=0.3V；（2）UBE=0.7V，UCE=5V；（3）UBE=–0.3V，UCE=–5V；1.19用電流表測量某放大電路中2個晶體管各電極的電流，所得數(shù)據(jù)如圖1.50所示，試依據(jù)這些數(shù)值求出另一個電極的電流值，標(biāo)出其實際方向，注明各個電極的名稱，并分別計算其電流放大系數(shù)β。1.4場效應(yīng)管場效應(yīng)管（以N溝道為例）

場效應(yīng)管有三個極：源極（s）、柵極（g）、漏極（d），有三個工作區(qū)域：截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)。1.

結(jié)型場效應(yīng)管導(dǎo)電溝道源極柵極漏極符號結(jié)構(gòu)示意圖柵-源電壓對導(dǎo)電溝道寬度的控制作用溝道最寬溝道變窄溝道消失稱為夾斷uGS可以控制導(dǎo)電溝道的寬度。為什么g-s必須加負(fù)電壓？UP漏-源電壓對漏極電流的影響uGS＞UP且不變，VDD增大，iD增大。預(yù)夾斷uGD＝UPVDD的增大，幾乎全部用來克服溝道的電阻，iD幾乎不變，進入恒流區(qū)，iD幾乎僅僅決定于uGS。場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)的條件是什么？uGD>UPuGD<UP夾斷電壓漏極飽和電流轉(zhuǎn)移特性場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)，因而uGS＞UP且uGD＜UP。

為什么必須用轉(zhuǎn)移特性描述uGS對iD的控制作用？UPg-s電壓控制d-s的等效電阻輸出特性預(yù)夾斷軌跡，uGD＝UP可變電阻區(qū)恒流區(qū)iD幾乎僅決定于uGS擊穿區(qū)夾斷區(qū)（截止區(qū)）夾斷電壓IDSSΔiD

不同型號的管子UP、IDSS將不同。低頻跨導(dǎo)：場效應(yīng)管的兩組特性曲線之間互相聯(lián)系，可根據(jù)漏極特性用作圖的方法得到相應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性。UDS=常數(shù)ID/mA0-0.5-1-1.5UGS/VUDS=15V5ID/mAUDS/V0UGS=0-0.4V-0.8V-1.2V-1.6V101520250.10.20.30.40.5結(jié)型場效應(yīng)管柵極基本不取電流，其輸入電阻很高，可達(dá)107以上。如希望得到更高的輸入電阻，可采用絕緣柵場效應(yīng)管。在漏極特性上用作圖法求轉(zhuǎn)移特性2.絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS場效應(yīng)管）uGS增大，反型層（導(dǎo)電溝道）將變厚變長。當(dāng)反型層將兩個N區(qū)相接時，形成導(dǎo)電溝道。增強型管SiO2絕緣層襯底耗盡層空穴高摻雜反型層大到一定值才開啟增強型MO