GB/T 37053-2018氮化鎵外延片及襯底片通用規(guī)范

ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T37053—2018

氮化鎵外延片及襯底片通用規(guī)范

Generalspecificationforepitaxialwafersand

substratesbasedongalliumnitride

2018-12-28發(fā)布2019-07-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T37053—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司蘇州納維科技有

:、、

限公司南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人丁曉民劉南柳潘堯波徐科修向前孫永健王香張國義

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T37053—2018

氮化鎵外延片及襯底片通用規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了氮化鎵外延片以下簡稱外延片及氮化鎵襯底片以下簡稱襯底片的通用規(guī)范包

()(),

括產(chǎn)品分類要求檢驗方法檢驗規(guī)則以及標(biāo)志包裝運輸和儲存等

、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于氮化鎵外延片與氮化鎵襯底片產(chǎn)品主要用于發(fā)光二極管激光二極管探測器等光

。、、

電器件以及微波與電力電子功率器件

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

顏色術(shù)語

GB/T5698—2001

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264—2009

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件為了便于使

GB/T5698—2001、GB/T14264—2009。

用以下重復(fù)列出中的某些術(shù)語和定義

,GB/T14264—2009。

31襯底結(jié)構(gòu)

.

311

..

氮化鎵自支撐襯底free-standingGaNsubstrate

半導(dǎo)體工藝中的基底具有特定晶面和適當(dāng)電學(xué)光學(xué)和機械特性的用于外延沉積擴(kuò)散離子注入

,、、、

等后續(xù)工藝操作的氮化鎵基片

。

312

..

氮化鎵復(fù)合襯底GaNtemplate

由氮化鎵單晶薄膜材料與其支撐基底構(gòu)成的復(fù)合結(jié)構(gòu)用于外延沉積擴(kuò)散離子注入等后續(xù)工藝

,、、

操作的氮化鎵基片

。

32襯底導(dǎo)電類型

.

321

..

氮化鎵半絕緣型襯底semi-insulatingGaNsubstrate

電阻率大于6的氮化鎵自支撐襯底

10Ω·cm。

33材料特性

.

331

..

面電阻均勻度sheetresistanceuniformity

外延片中薄層電阻的分布狀況一般表述為