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等離子體隱身技術(shù)淺議全景偵察及光電對(duì)抗技術(shù)讀書(shū)報(bào)告主講人:

目錄content選題意義(引言)1技術(shù)前提2技術(shù)詳細(xì)分析3對(duì)抗技術(shù)4總結(jié)與展望5部分參考文獻(xiàn)6Page03091521231選題的意義1選題意義(引言)隨著軍事技術(shù)快速發(fā)展機(jī)艦毫米波、激光、X波段等雷達(dá)技術(shù)的成熟博弈偵察反偵察隱身技術(shù)傳統(tǒng)隱身技術(shù)犧牲氣動(dòng)性能有一定發(fā)現(xiàn)幾率等離子體隱身技術(shù)2雷達(dá)機(jī)艦雷達(dá)博弈對(duì)抗學(xué)以致用為國(guó)效力重要性有力武器和保障3優(yōu)點(diǎn)眾多難于發(fā)現(xiàn)技術(shù)先進(jìn)探索性強(qiáng)國(guó)內(nèi)起步空間廣闊1選題的意義2技術(shù)前提4等離子體產(chǎn)生5原子-+大量原子物質(zhì)的第四種狀態(tài)等離子體狀態(tài)氣體放電法光電離法和激光輻射電離射線輻照法燃燒法

等離子體產(chǎn)生6

等離子體(電漿)

隱身技術(shù)7精心設(shè)計(jì)武器外形采用吸波透波材料電子措施降低截面等離子體隱身技術(shù)減少回波特征信號(hào)99%1選題的意義2技術(shù)提3技術(shù)詳細(xì)分析前8等離子體隱身技術(shù)原理9宏觀電中性電的良導(dǎo)體等離子體能有效吸收電磁波正常吸收(微觀)反常吸收(宏觀)衰變模及振蕩雙流不穩(wěn)定性吸收雙等離子模不穩(wěn)定性吸收共振吸收受激喇曼散射和受激布里淵散射電子對(duì)電磁波的碰撞吸收電磁波與等離子體形成等離子體波動(dòng)等離子體對(duì)電磁波的吸收作用

等離子體隱身技術(shù)原理10

電子等離子體頻率

電子朗繆爾頻率即等離子體頻率等離子體對(duì)電磁波的折射作用電子對(duì)電磁波的碰撞吸收電磁波與等離子體形成等離子體波動(dòng)臨界密度

等離子體等效相對(duì)介電常數(shù)

等效折射率電磁波在等離子體表面發(fā)生全反射電磁波在等離子表面處發(fā)生折射

等離子體隱身關(guān)鍵技術(shù)11等離子外殼磁化等離子體的法拉第旋轉(zhuǎn)等效應(yīng)對(duì)電磁波的調(diào)制等離子體的診斷技術(shù)等離子體與電磁波相互作用的理論研究RCS的理論計(jì)算方法研究有關(guān)等離子體氣動(dòng)光學(xué)效應(yīng)和通信中斷等問(wèn)題的研究等離子體發(fā)生器的研制,包括等離子體產(chǎn)生及控制技術(shù)等離子體發(fā)生器與飛行器一體化設(shè)計(jì)和研制等離子體發(fā)生器與飛行器兼容性理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)研究12等離子隱身技術(shù)的特點(diǎn)1301優(yōu)點(diǎn)

變被動(dòng)為主動(dòng),隱身系統(tǒng)便于維護(hù)

不需改變氣動(dòng)外形,不影響機(jī)動(dòng)性能

吸波頻帶寬,吸收率高,隱身效果好

使用簡(jiǎn)便,使用時(shí)間長(zhǎng),價(jià)格極其便宜等離子隱身技術(shù)的特點(diǎn)14

02缺點(diǎn)

等離子體發(fā)生器部位無(wú)法隱身,效果差

對(duì)電源功率要求較高

存在腐蝕和電磁兼容的問(wèn)題各國(guó)等離子體隱身技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀20世紀(jì)60年代開(kāi)始進(jìn)行等離子體吸收電磁波的性能研究80年代初最早開(kāi)始進(jìn)行等離子體實(shí)驗(yàn)1999年初研制成功新機(jī)理飛行器隱身系統(tǒng)現(xiàn)正在研制的第三代等離子體隱身系統(tǒng),可能是利用靜電能來(lái)減小雷達(dá)散射截面積俄羅斯美國(guó)澳大利亞法國(guó)20世紀(jì)90年代建立實(shí)驗(yàn)室,進(jìn)行兩個(gè)階段的研究,取得重要進(jìn)展1992年研究出衰減達(dá)100dB的隱身技術(shù)1997年發(fā)表等離子體隱身天線理論,2005年研制成功等離子體雷達(dá)理論技術(shù)日益成熟最近研制出一種等離子體無(wú)線電隱身天線正在研究等離子體天線噪聲特性采用等離子體平面天線替代傳統(tǒng)的平板式和拋物面天線研制成了全隱身的等離子體雷達(dá)天線正在進(jìn)行等離子體技術(shù)對(duì)飛機(jī)隱身特性的影響的研究,其目前關(guān)注的是尾噴管裝置的隱身151選題的意義2技術(shù)前提3技術(shù)詳細(xì)分析4對(duì)抗技術(shù)16反等離子體隱身技術(shù)17從等離子體隱身的原理上分析從等離子體發(fā)生的原理上分析從目標(biāo)的通訊來(lái)分析從探測(cè)系統(tǒng)來(lái)分析

從等離子體隱身的原理上來(lái)分析18目標(biāo)采用等離子體發(fā)生器來(lái)生成等離子體,發(fā)生器部位將無(wú)法隱身采用多基地雷達(dá)或無(wú)源雷達(dá)的合理部署,將可能利用這個(gè)部位散射的電磁波而發(fā)現(xiàn)目標(biāo)從等離子體發(fā)生的原理上分析19部署一定數(shù)目無(wú)源雷達(dá)接收目標(biāo)的通信、導(dǎo)航、敵我識(shí)別、雷達(dá)及電子干擾機(jī)等電子設(shè)備輻射出的電磁信號(hào)無(wú)源雷達(dá)對(duì)電視、調(diào)頻廣播訊號(hào)的擾動(dòng)情況進(jìn)行連續(xù)的偵測(cè),推測(cè)出隱身目標(biāo)從目標(biāo)的通訊來(lái)分析20光電探測(cè)設(shè)備比常用的雷達(dá)工作頻段要高得多,等離子體對(duì)可見(jiàn)光的吸收非常小,因此可探測(cè)等離子體隱身目標(biāo)選擇非電磁雷達(dá)探測(cè)手段,如紅外探測(cè)發(fā)現(xiàn)目標(biāo)從探測(cè)系統(tǒng)來(lái)分析211選題的意義2技術(shù)前提3詳細(xì)技術(shù)分析4對(duì)抗技術(shù)5總結(jié)與展望22總結(jié)前景廣闊影響深遠(yuǎn)促進(jìn)高頻率雷達(dá)發(fā)展技術(shù)并不成熟優(yōu)勢(shì)明顯,缺點(diǎn)也很多更高的衰減更寬的頻帶范圍更低耗的系統(tǒng)更先進(jìn)的技術(shù)軍事隱身發(fā)展方向等離子體隱身技術(shù)是電子戰(zhàn)的新概念、新技術(shù),具有吸波頻帶寬、效率高、使用簡(jiǎn)便、價(jià)格便宜等優(yōu)點(diǎn),雖然限于技術(shù)原因仍有許多不足,但其對(duì)未來(lái)的高技術(shù)戰(zhàn)爭(zhēng)、導(dǎo)彈突防技術(shù)和導(dǎo)彈、飛機(jī)等武器系統(tǒng)的發(fā)展和作戰(zhàn)模式產(chǎn)生巨大而深遠(yuǎn)的影響。等離子體隱身技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯,在未來(lái)技術(shù)滿(mǎn)足的條件下,其優(yōu)勢(shì)還會(huì)更加突出,將擁有更高的衰減、更寬的頻帶范圍和更低耗的系統(tǒng),其也會(huì)成為未來(lái)軍事隱身的重要發(fā)展方向之一。23總結(jié)與展望展望5總結(jié)與展望6參考文獻(xiàn)1選題的意義2技術(shù)前提3詳細(xì)技術(shù)分析4對(duì)抗技術(shù)24參考文獻(xiàn)(部分)251AlexeffIgor,KangWengLock.PlasmastealthantennafortheU.S.Navy.IEEEInternationalConferenceonPlasmaScience,19982高虹霓,曹澤陽(yáng).21世紀(jì)隱身新途徑_等離子體隱身技術(shù).飛行導(dǎo)彈,2002(1)4

王賀,孫紅國(guó).等離子體隱身技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀及分析.電子科學(xué),20085

朱紅緋,王茂林,王敬.抗等離子體隱身的探討.雷達(dá)與對(duì)抗,2003(2)6

孫宗祥.等離子體

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