GB/T 4059-2018硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

ICS77040

H17.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T4059—2018

代替

GB/T4059—2007

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

Testmethodforphosphoruscontentinpolycrystallinesiliconbyzone-melting

methodundercontrolledatmosphere

2018-12-28發(fā)布2019-11-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T4059—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法與相比除編

GB/T4059—2007《》,GB/T4059—2007,

輯性修改外主要技術(shù)變化如下

,:

基磷含量的測(cè)定范圍由-9-9修改為13-313-3

———“0.002×10~100×10”“0.01×10cm~500×10cm”

見(jiàn)第章年版的第章

(1,20071);

調(diào)整了規(guī)范性引用文件刪除了增加了

———,GB/T1553、GB/T1554、GB/T1555、GB/T13389,

GB/T1550、GB/T4060、GB/T4842、GB/T8979、GB/T11446.1—2013、GB/T24574、

見(jiàn)第章年版的第章

GB/T24581、GB/T25915.1—2010(2,20072);

修改了樣芯的定義刪除了空心鉆頭見(jiàn)年版的

———,“”(3.3,20073.3);

修改了方法和方法的方法原理表述見(jiàn)年版的

———AB(4.1、4.2,20074.1、4.2);

干擾因素中酸洗和區(qū)熔操作的環(huán)境修改為不低于規(guī)定的級(jí)潔凈環(huán)

———“GB/T25915.1—20106

境見(jiàn)年版的第章

”[5.3,20075c)];

干擾因素中增加了樣品處理過(guò)程區(qū)熔速度硅芯等項(xiàng)對(duì)測(cè)試結(jié)果有影響的因素見(jiàn)

———、、3(5.4、

5.6、5.7);

刪除了干擾因素中關(guān)于區(qū)熔后硅單晶棒測(cè)試環(huán)境的要求見(jiàn)年版的第章第章

———、[20075f)、5

g)];

修改了試劑和材料中去離子水氬氣的要求見(jiàn)年版的

———、(6.3、6.4,20076.3、6.5);

試劑和材料增加了氮?dú)獾囊笠?jiàn)

———(6.5);

修改了試劑和材料中籽晶的要求由型電阻率不低于的籽晶修改為籽晶應(yīng)為

———,“n500Ω·cm”“

無(wú)位錯(cuò)的型高阻硅單晶且施主雜質(zhì)含量原子數(shù)小于12-3碳含量原子

N<111>,()2.5×10cm,(

數(shù)小于15-3晶向偏離度小于見(jiàn)年版的

)5×10cm,5°”(6.6,20076.1);

對(duì)儀器設(shè)備中的取芯設(shè)備增加了要求見(jiàn)年版的第章

———“”[7.1,20077a)];

真空內(nèi)熱式區(qū)熔爐改為內(nèi)熱式區(qū)熔爐見(jiàn)年版的第章

———“”“”[7.5,20077d)];

儀器設(shè)備中增加了超聲清洗設(shè)備氮?dú)馀c氬氣純化裝置導(dǎo)電類型測(cè)試儀兩探針電阻率測(cè)試

———、、、

儀低溫紅外光譜儀或光致發(fā)光光譜儀見(jiàn)

、(7.3、7.6、7.7、7.8、7.9);

刪除了定性濾紙真空吸塵器潔凈室專用的手套等實(shí)驗(yàn)室常用材料見(jiàn)年版的第章

———、、[20077

第章第章

e)、7f)、7g)];

修改了取樣要求見(jiàn)年版的

———(8.2、8.4,20078.2、8.4);

刪除了選擇電阻率大于碳含量小于-6無(wú)位錯(cuò)晶向偏離度小于的

———“500Ω·cm,0.2×10,,5°

型高阻硅單晶切割制備成的籽晶見(jiàn)年版的

n<111>”(200710.1.1);

將籽晶必須在干燥后內(nèi)使用修改為籽晶應(yīng)予以密封進(jìn)行潔凈保護(hù)見(jiàn)年

———“36h”“”(10.1,2007

版的

10.1.2);

增加了清洗后的樣芯宜用高純氮?dú)獯蹈梢?jiàn)

———“”(10.2.2);

刪除了清潔取芯鉆用不低于的去離子水清潔酸洗臺(tái)見(jiàn)年版的

———“”“10MΩ·cm”(200710.3.1、

10.3.2);

在清潔真空抽吸后預(yù)熱樣芯修改為在清潔裝料真空抽吸充氬氣后預(yù)熱樣芯見(jiàn)

———“、,”“、、、,”(

年版的

10.3,200710.3.3);

修改了試驗(yàn)步驟中的晶棒生長(zhǎng)內(nèi)容見(jiàn)年版的

———(10.4,200710.4);

Ⅰ

GB/T4059—2018

增加了導(dǎo)電類型的測(cè)試按的規(guī)定進(jìn)行見(jiàn)

———“GB/T1550”[10.5.2a)];

修改了試驗(yàn)步驟中的晶棒評(píng)價(jià)內(nèi)容見(jiàn)年版的

———[10.5.2b),200710.5.2.4];

刪除了晶向晶錠結(jié)晶完整性少數(shù)載流子壽命的測(cè)試見(jiàn)年版的

———、、(200710.5.2.1、10.5.2.2、

10.5.2.3);

刪除了允許差增加了精密度見(jiàn)第章年版的第章

———,(12,200712)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司青海黃河上游水電開(kāi)發(fā)有限責(zé)任公司新能源分

:、

公司亞洲硅業(yè)青海有限公司內(nèi)蒙古神舟硅業(yè)有限責(zé)任公司新特能源股份有限公司宜昌南玻硅材

、()、、、

料有限公司洛陽(yáng)中硅高科技有限公司新疆大全新能源股份有限公司鄂爾多斯多晶硅業(yè)有限公司內(nèi)

、、、、

蒙古盾安光伏科技有限公司新疆協(xié)鑫新能源材料科技有限公司樂(lè)山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)所山東大

、、、

海新能源發(fā)展有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)起草人胡偉耿全榮胡自強(qiáng)魯文鋒柳德發(fā)薛心祿蔡延國(guó)尹東林宗鳳云邱艷梅

:、、、、、、、、、、

劉國(guó)霞高明楚東旭劉翠王瑞姚利忠梁洪唐珊珊王佳

、、、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T4059—1983、GB/T4059—2007。

Ⅱ

GB/T4059—2018

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了多晶硅中基磷含量的檢驗(yàn)方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于在硅芯上沉積生長(zhǎng)的多晶硅棒中基磷含量原子數(shù)的測(cè)定測(cè)定范圍為13-3

(),0.01×10cm~

13-3

500×10cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測(cè)定方法

GB/T1551

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

GB/T4060

氬

GB/T4842

純氮高純氮和超純氮

GB/T8979、

電子級(jí)水

GB/T11446.1—2013

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264