• 被代替
  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 4059-2018
  • 2007-09-11 頒布
  • 2008-02-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 4059-2007硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法_第1頁
GB/T 4059-2007硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法_第2頁
GB/T 4059-2007硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法_第3頁
GB/T 4059-2007硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法_第4頁
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文檔簡介

犐犆犛77.040.01

犎17

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅/犜4059—2007

代替GB/T4059—1983

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

犘狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀—犈狓犪犿犻狀犪狋犻狅狀犿犲狋犺狅犱—犣狅狀犲犿犲犾狋犻狀犵狅狀

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20070911發(fā)布20080201實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

GB/T4059—2007

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號

郵政編碼:100045

http://www.spc.net.cn

http://www.gb168.cn

電話:(010)51299090、68522006

2008年2月第一版

書號:155066·130534

版權(quán)專有侵權(quán)必究

舉報(bào)電話:(010)68522006

犌犅/犜4059—2007

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對GB/T4059—1983《硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法》的修訂。本標(biāo)準(zhǔn)修改采用了

ASTMF1723—1996《用懸浮區(qū)熔法晶體生長和光譜學(xué)方法評價(jià)多晶硅棒的標(biāo)準(zhǔn)》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ASTMF17231996的一致性程度是修改采用,其差異如下:

———?jiǎng)h去了ASTMF17231996第9章“危害”,因此,使用本標(biāo)準(zhǔn)時(shí)應(yīng)建立相應(yīng)的安全操作規(guī)范;

———?jiǎng)h去了ASTMF17231996第5章“意義和用途”、第10章10.2.3條“垂直取芯”、第15章“關(guān)鍵詞”。

本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比,主要變化如下:

———檢測雜質(zhì)濃度范圍擴(kuò)大為0.002ppba~100ppba;

———采用ASTMF172396規(guī)定的施主雜質(zhì)測量范圍替代原GB/T4059—1983的測量范圍;

———依據(jù)ASTMF172396增加了用低溫紅外光譜和熒光光譜分析法測量樣品中的磷雜質(zhì)含量的

方法;

———增加了“規(guī)范性引用文件”、“術(shù)語”、“允許差”、“計(jì)算”;

———?jiǎng)h去了原標(biāo)準(zhǔn)中的附錄A;

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的第5章“檢驗(yàn)條件”修訂為“干擾因素”;

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的取樣位置修訂為距多晶硅棒表面不低于5mm,距多晶硅棒底部不低于50mm;

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的試樣尺寸范圍修訂為直徑15mm~20mm、長度為180mm;

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的“檢驗(yàn)結(jié)果尺寸”修訂為10mm~15mm。

本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起,同時(shí)代替GB/T4059—1983。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:峨眉半導(dǎo)體材料廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:羅莉萍、梁洪、覃銳兵、王炎、王向東。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:

———GB/T4059—1983。

犌犅/犜4059—2007

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)適用于多晶硅沉積在硅芯上生長的多晶硅棒基磷的檢驗(yàn)。

本標(biāo)準(zhǔn)檢測雜質(zhì)濃度的有效范圍:0.002×10-9~100×10-9。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有

的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

GB/T1551硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法

GB/T1553硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法

GB/T1554硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

GB/T13389摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度

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