GB/T 4059-2007硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

犐犆犛７７．０４０．０１

犎１７

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜４０５９—２００７

代替ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

犘狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀—犈狓犪犿犻狀犪狋犻狅狀犿犲狋犺狅犱—犣狅狀犲犿犲犾狋犻狀犵狅狀

狆犺狅狊狆犺狅狉狌狊狌狀犱犲狉犮狅狀狋狉狅犾犾犲犱犪狋犿狅狊狆犺犲狉犲

２００７０９１１發(fā)布２００８０２０１實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

ＧＢ／Ｔ４０５９—２００７

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街１６號(hào)

郵政編碼：１０００４５

ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｇｂ１６８．ｃｎ

電話：（０１０）５１２９９０９０、６８５２２００６

２００８年２月第一版

書號(hào)：１５５０６６·１３０５３４

版權(quán)專有侵權(quán)必究

舉報(bào)電話：（０１０）６８５２２００６

書

犌犅／犜４０５９—２００７

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３《硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法》的修訂。本標(biāo)準(zhǔn)修改采用了

ＡＳＴＭＦ１７２３—１９９６《用懸浮區(qū)熔法晶體生長(zhǎng)和光譜學(xué)方法評(píng)價(jià)多晶硅棒的標(biāo)準(zhǔn)》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＡＳＴＭＦ１７２３１９９６的一致性程度是修改采用，其差異如下：

———?jiǎng)h去了ＡＳＴＭＦ１７２３１９９６第９章“危害”，因此，使用本標(biāo)準(zhǔn)時(shí)應(yīng)建立相應(yīng)的安全操作規(guī)范；

———?jiǎng)h去了ＡＳＴＭＦ１７２３１９９６第５章“意義和用途”、第１０章１０．２．３條“垂直取芯”、第１５章“關(guān)鍵詞”。

本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比，主要變化如下：

———檢測(cè)雜質(zhì)濃度范圍擴(kuò)大為０．００２ｐｐｂａ～１００ｐｐｂａ；

———采用ＡＳＴＭＦ１７２３９６規(guī)定的施主雜質(zhì)測(cè)量范圍替代原ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３的測(cè)量范圍；

———依據(jù)ＡＳＴＭＦ１７２３９６增加了用低溫紅外光譜和熒光光譜分析法測(cè)量樣品中的磷雜質(zhì)含量的

方法；

———增加了“規(guī)范性引用文件”、“術(shù)語”、“允許差”、“計(jì)算”；

———?jiǎng)h去了原標(biāo)準(zhǔn)中的附錄Ａ；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的第５章“檢驗(yàn)條件”修訂為“干擾因素”；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的取樣位置修訂為距多晶硅棒表面不低于５ｍｍ，距多晶硅棒底部不低于５０ｍｍ；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的試樣尺寸范圍修訂為直徑１５ｍｍ～２０ｍｍ、長(zhǎng)度為１８０ｍｍ；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的“檢驗(yàn)結(jié)果尺寸”修訂為１０ｍｍ～１５ｍｍ。

本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起，同時(shí)代替ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：峨眉半導(dǎo)體材料廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：羅莉萍、梁洪、覃銳兵、王炎、王向東。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３。

Ⅰ

書

犌犅／犜４０５９—２００７

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)適用于多晶硅沉積在硅芯上生長(zhǎng)的多晶硅棒基磷的檢驗(yàn)。

本標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)雜質(zhì)濃度的有效范圍：０．００２×１０－９～１００×１０－９。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５１硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法

ＧＢ／Ｔ１５５３硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法

ＧＢ／Ｔ１５５４硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

ＧＢ／Ｔ１５５５半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

ＧＢ／Ｔ１３３８９摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度