標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 4059-2007 硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法》與《GB/T 4059-1983 硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗(yàn)方法》相比,在多個(gè)方面進(jìn)行了修訂和完善。首先,新標(biāo)準(zhǔn)在名稱上有所變化,“硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗(yàn)方法”變更為“硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法”,更準(zhǔn)確地反映了檢測(cè)對(duì)象為硅材料中基于區(qū)熔技術(shù)處理后磷元素的存在情況。其次,在適用范圍部分,《GB/T 4059-2007》明確指出適用于通過(guò)氣氛區(qū)熔法制備的硅單晶及多晶材料中磷含量的測(cè)定,而舊版則沒(méi)有如此詳細(xì)的規(guī)定。

關(guān)于方法原理,《GB/T 4059-2007》保留了使用化學(xué)發(fā)光法測(cè)定樣品中微量磷的技術(shù)路線,但對(duì)具體操作步驟進(jìn)行了細(xì)化,并增加了質(zhì)量控制要求,比如空白實(shí)驗(yàn)、重復(fù)性限值等,以提高測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性與可靠性。此外,新版還引入了更加先進(jìn)的儀器設(shè)備和技術(shù)手段,如高效液相色譜儀或原子吸收光譜儀的應(yīng)用建議,以及對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境條件的具體要求,旨在進(jìn)一步提升分析精度和效率。

對(duì)于樣品制備過(guò)程,《GB/T 4059-2007》給出了更為詳盡的操作指南,包括取樣量、溶解方法、酸化處理等方面的具體參數(shù)設(shè)置,確保每一步驟都可追溯且易于執(zhí)行。同時(shí),針對(duì)不同形態(tài)(固體、液體)的待測(cè)物也提供了差異化的處理方案,增強(qiáng)了標(biāo)準(zhǔn)的適用性和靈活性。


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  • 2007-09-11 頒布
  • 2008-02-01 實(shí)施
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GB/T 4059-2007硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

犐犆犛77.040.01

犎17

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅/犜4059—2007

代替GB/T4059—1983

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

犘狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀—犈狓犪犿犻狀犪狋犻狅狀犿犲狋犺狅犱—犣狅狀犲犿犲犾狋犻狀犵狅狀

狆犺狅狊狆犺狅狉狌狊狌狀犱犲狉犮狅狀狋狉狅犾犾犲犱犪狋犿狅狊狆犺犲狉犲

20070911發(fā)布20080201實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書(shū)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

GB/T4059—2007

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)

郵政編碼:100045

http://www.spc.net.cn

http://www.gb168.cn

電話:(010)51299090、68522006

2008年2月第一版

書(shū)號(hào):155066·130534

版權(quán)專有侵權(quán)必究

舉報(bào)電話:(010)68522006

書(shū)

犌犅/犜4059—2007

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)GB/T4059—1983《硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法》的修訂。本標(biāo)準(zhǔn)修改采用了

ASTMF1723—1996《用懸浮區(qū)熔法晶體生長(zhǎng)和光譜學(xué)方法評(píng)價(jià)多晶硅棒的標(biāo)準(zhǔn)》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ASTMF17231996的一致性程度是修改采用,其差異如下:

———?jiǎng)h去了ASTMF17231996第9章“危害”,因此,使用本標(biāo)準(zhǔn)時(shí)應(yīng)建立相應(yīng)的安全操作規(guī)范;

———?jiǎng)h去了ASTMF17231996第5章“意義和用途”、第10章10.2.3條“垂直取芯”、第15章“關(guān)鍵詞”。

本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比,主要變化如下:

———檢測(cè)雜質(zhì)濃度范圍擴(kuò)大為0.002ppba~100ppba;

———采用ASTMF172396規(guī)定的施主雜質(zhì)測(cè)量范圍替代原GB/T4059—1983的測(cè)量范圍;

———依據(jù)ASTMF172396增加了用低溫紅外光譜和熒光光譜分析法測(cè)量樣品中的磷雜質(zhì)含量的

方法;

———增加了“規(guī)范性引用文件”、“術(shù)語(yǔ)”、“允許差”、“計(jì)算”;

———?jiǎng)h去了原標(biāo)準(zhǔn)中的附錄A;

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的第5章“檢驗(yàn)條件”修訂為“干擾因素”;

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的取樣位置修訂為距多晶硅棒表面不低于5mm,距多晶硅棒底部不低于50mm;

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的試樣尺寸范圍修訂為直徑15mm~20mm、長(zhǎng)度為180mm;

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的“檢驗(yàn)結(jié)果尺寸”修訂為10mm~15mm。

本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起,同時(shí)代替GB/T4059—1983。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:峨眉半導(dǎo)體材料廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:羅莉萍、梁洪、覃銳兵、王炎、王向東。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:

———GB/T4059—1983。

書(shū)

犌犅/犜4059—2007

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)適用于多晶硅沉積在硅芯上生長(zhǎng)的多晶硅棒基磷的檢驗(yàn)。

本標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)雜質(zhì)濃度的有效范圍:0.002×10-9~100×10-9。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有

的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

GB/T1551硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針?lè)?/p>

GB/T1553硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法

GB/T1554硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T13389摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度

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