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第三章失效機制3.6電過應力靜電泄放（ESD）電遷徙天線效應閂鎖效應閘流效應的控制防止和控制閘流效應需要從生產工藝和版圖設計兩方面著手。通常所采取的措施，其目標基本都是減小寄生晶體管的電流增益β和降低寄生晶體管的基射極分流電阻Rw、Rs。①減小β值：增加橫向PNP管的基極寬度，減小其電流放大倍數(shù)βpnp。②采用偽收集極：如圖所示，在P-阱和P+之間加一個接地的，由P-和P+組成的區(qū)域。它可以收集由橫向PNP管發(fā)射極注入進來的空穴。這就阻止了縱向NPN管的基極注入，從而有效地減少PNP管的電流放大倍數(shù)βpnp。③采用保護環(huán) 保護環(huán)可以有效地降低橫向電阻和橫向電流密度。同時，由于加大了P-N-P管的基區(qū)寬度使βpnp下降。④隨著亞微米技術的應用，集成度越來越多，對控制閘流效應提出了更高的要求，目前廣泛采用的是挖隔離溝的辦法解決閘流效應問題。即用氧化絕緣層的壕溝（trench）將阱與襯底隔開。使PNPN通路完全消失，這自然增加

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