GB/T 4585-2004交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢試驗(yàn)

ICS29.080.10K48中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T4585-2004/IEC60507:1991代替GB/T4585.1—1984.GB/T4585.2-1991交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污秒試驗(yàn)Artificialpollutiontestsonhigh-voltageinsulatorstobeusedona.c.systems（IEC60507:1991,IDT)2004-05-14發(fā)布2005-02-01實(shí)施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T4585-2004/IEC60507：1991三次前言第一節(jié)總?cè)绶秶?目的3定義第二節(jié)-般試驗(yàn)要求4試驗(yàn)方法5被試絕緣子的準(zhǔn)備對試驗(yàn)設(shè)備要求第三節(jié)鹽霧法7鹽溶液8噴霧系統(tǒng)武驗(yàn)開始前的條件10預(yù)處理過程……耐受試驗(yàn)……12耐受試驗(yàn)的接收準(zhǔn)則·第四節(jié)固體層法污液的組成·精性材料的主要特性15虧層的涂覆…………16被試絕緣子污移度的測定17污層濕潤的一般要求1018試驗(yàn)程序·………19耐受試驗(yàn)和接收準(zhǔn)則（對程序A和B都通用的)附錄A（資料性附錄）評定試驗(yàn)設(shè)備是否要求的補(bǔ)充資料14附錄B（資料性附錄)絕緣子耐受特性的測定·附錄C（資料性附錄)檢驗(yàn)污層均勻性的污層電導(dǎo)率的測量17附錄D（資料性附錄)與固體層法程序有關(guān)的補(bǔ)充推薦·1o

GB/T4585-2004/IEC60507：1991本標(biāo)準(zhǔn)等同采用IEC60507:1991《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污移試驗(yàn)》英文版)為便于使用，本標(biāo)準(zhǔn)做了下列編輯性修改：a）用小數(shù)點(diǎn)"."代替作為小數(shù)點(diǎn)的運(yùn)號","；刪除IEC60507:1991的前言。本標(biāo)準(zhǔn)代替（B/T4585.1—1984《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污移試驗(yàn)方法鹽霧法》和GB/T4585.2—1991《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污移試驗(yàn)方法固體層法》。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T4585.1—1984和GB/T4585.2—1991相比主要變化如下：對對試驗(yàn)設(shè)備的短路電流要求不同。GB/T4585.1和GB/T4585.2規(guī)定短路電流不小于10A,而本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定短路電流與被試絕緣子爬電比距有關(guān),當(dāng)爬電比距在16mm/kV至25mm/kV之間變化時(shí)，最小短路電流應(yīng)在6A至15A之間變化才能滿足要求：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定絕緣子鹽霧法試驗(yàn)時(shí)應(yīng)進(jìn)行預(yù)處理(本標(biāo)準(zhǔn)的第10章)，而GB/T4585.1無此規(guī)定GB/T4585.2規(guī)定的染污方法包括有定量涂刷法，而本標(biāo)準(zhǔn)未規(guī)定此方法GB/T4585.2規(guī)定染污的污液有兩種,其中的情性材料一為硅藻土，另一為硅藻土和高度分散的二氧化硅。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的染污污液有兩種,其中一種與GB/T4585.2相同,所含情性材料為硅藻土和高度分散二氧化硅.另一種所含情性材料為高嶺土(或硒石粉)。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A、附錄B、附錄C、附錄D均為資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由中國電器工業(yè)協(xié)會提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國絕緣子標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：西安電瓷研究所、武漢高壓研究所、重慶大學(xué)。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：李大楠、吳光亞、蔣興良、丘志賢本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：GB/T4585.1-1984、GB/T4585.2-1991

GB/T4585-2004/IEC60507：1991交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污秒試驗(yàn)第一節(jié)總1范圍本標(biāo)準(zhǔn)適用于系統(tǒng)最高電壓1kV～765kV范圍內(nèi)的交流系統(tǒng)用戶外和暴露在污移大氣中的瓷和玻璃絕緣子的工頻耐受特性的測定這這些試驗(yàn)不能直接應(yīng)用于涂油絕緣子和特殊型式的絕緣子（具有半導(dǎo)電釉的絕緣子或覆蓋有任何有機(jī)絕緣材料的絕緣子）目的本標(biāo)準(zhǔn)的目的是規(guī)定適用于架空線路、變電站、牽引線路絕緣子以及套管的人工污移試驗(yàn)程序，定義為本標(biāo)準(zhǔn)的目的·規(guī)定了下列定義3.1試驗(yàn)電壓tcstvoltage在整個(gè)試驗(yàn)期間連續(xù)地施加到絕緣子上的電壓的方均根值3.2試驗(yàn)設(shè)備的短路電流（L.）short-circuitcurrent（L.）ofthetestingplant試品在試驗(yàn)電壓下短路時(shí)由試驗(yàn)設(shè)備所供給的電流的方均根值33絕緣子的爬電比距（L、)specificcreepagedistance（Ls）ofaninsulator絕緣子的總爬電距離L除以試驗(yàn)電壓與V3的積;它通常以mm/kV來表示。3.4絕緣子的形狀因數(shù)（F）Formfactorofaninsulator（F)形狀因數(shù)是由絕緣子尺寸確定的。為了圖解估算此形狀因數(shù),應(yīng)將絕緣子圓周的倒數(shù)值(1/P)對從絕緣子一端到所考慮點(diǎn)的局部爬電距離7畫出。形狀因數(shù)由這個(gè)曲線下的面積給出并按下式計(jì)算：3.5鹽度（S.）salinity（S.）鹽在