GB/T 4937.19-2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第19部分：芯片剪切強(qiáng)度

ICS3108001

L40..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T493719—2018/IEC60749-192010

.:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第19部分芯片剪切強(qiáng)度

:

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part19Dieshearstrenth

:g

(IEC60749-19:2010,IDT)

2018-09-17發(fā)布2019-01-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T493719—2018/IEC60749-192010

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前言

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法由以下部分組成

GB/T4937《》:

第部分總則

———1:;

第部分低氣壓

———2:;

第部分外部目檢

———3:;

第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

———4:(HAST);

第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)

———5:;

第部分高溫貯存

———6:;

第部分內(nèi)部水汽含量測(cè)試和其他殘余氣體分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分標(biāo)志耐久性

———9:;

第部分機(jī)械沖擊

———10:;

第部分快速溫度變化雙液槽法

———11:;

第部分掃頻振動(dòng)

———12:;

第部分鹽霧

———13:;

第部分引出端強(qiáng)度引線(xiàn)牢固性

———14:();

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

———15:;

第部分粒子碰撞噪聲檢測(cè)

———16:(PIND);

第部分中子輻照

———17:;

第部分電離輻射總劑量

———18:();

第部分芯片剪切強(qiáng)度

———19:;

第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響

———20:;

第部分對(duì)潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標(biāo)志和運(yùn)輸

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分鍵合強(qiáng)度

———22:;

第部分高溫工作壽命

———23:;

第部分加速耐濕無(wú)偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)

———24:(HSAT);

第部分溫度循環(huán)

———25:;

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)人體模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)機(jī)械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)帶電器件模型器件級(jí)

———28:(ESD)(CDM);

第部分閂鎖試驗(yàn)

———29:;

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性?xún)?nèi)部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐濕無(wú)偏置高壓蒸煮

———33:;

第部分功率循環(huán)

———34:;

第部分塑封電子元器件的聲學(xué)掃描顯微鏡檢查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅰ

GB/T493719—2018/IEC60749-192010

.:

第部分采用加速度計(jì)的板級(jí)跌落試驗(yàn)方法

———37:;

第部分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的軟錯(cuò)誤試驗(yàn)方法

———38:;

第部分半導(dǎo)體元器件原材料的潮氣擴(kuò)散率和水溶解率測(cè)量

———39:;

第部分采用張力儀的板級(jí)跌落試驗(yàn)方法

———40:;

第部分非易失性存儲(chǔ)器件的可靠性試驗(yàn)方法

———41:;

第部分溫度和濕度貯存

———42:;

第部分集成電路可靠性鑒定方案指南

———43:(IC);

第部分半導(dǎo)體器件的中子束輻照單粒子效應(yīng)試驗(yàn)方法

———44:。

本部分為的第部分

GB/T493719。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分

IEC60749-19:2010《19:

芯片剪切強(qiáng)度

》。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本部分由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所深圳市標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院

:、。

本部分主要起草人裴選彭浩高瑞鑫高金環(huán)馬坤

:、、、、。

Ⅱ

GB/T493719—2018/IEC60749-192010

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半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第19部分芯片剪切強(qiáng)度

:

1范圍

的本部分用來(lái)確定將半導(dǎo)體芯片安裝在管座或其他基板上所使用的材料和工藝步驟

GB/T4937

的完整性基于本試驗(yàn)方法的目的本部分中半導(dǎo)體芯片包括無(wú)源元件

(,)。

本部分適用于空腔封裝也可作為過(guò)程監(jiān)測(cè)不適用于面積大于2的芯片以及倒裝芯片和

,。10mm,

易彎曲基板

。

注1通過(guò)測(cè)量對(duì)芯片或元件所加力的大小觀察在該力作用下產(chǎn)生的失效類(lèi)型如果出現(xiàn)失效以及殘留的芯片附

:,()

著材料和基板管座金屬化層外形來(lái)判斷器件是否接收

/。

注2對(duì)于空腔封裝芯片剪切強(qiáng)度試驗(yàn)是為了確定空腔內(nèi)的芯片附著強(qiáng)度對(duì)于非空腔封裝如塑封芯片粘接是

:,。,,

為了防止芯片在樹(shù)脂鑄模完全成型之前發(fā)生位移

。

除以下情形外不需要提供芯片剪切強(qiáng)度說(shuō)明和鑄模之后芯片粘結(jié)最小面積

,:

芯片與焊盤(pán)之間存在電連接

a);

芯片熱量需通過(guò)粘結(jié)處散發(fā)

b)。

2試驗(yàn)設(shè)備的說(shuō)明

本試驗(yàn)設(shè)備為一臺(tái)能施加應(yīng)力的儀器即一臺(tái)線(xiàn)性運(yùn)動(dòng)加力儀或帶有杠桿臂的圓形測(cè)力計(jì)此外

,。,

該設(shè)備還應(yīng)具有以下能力

:

接觸工具能把力均勻地施加到芯片的一條棱邊與管座或基板的芯片安裝平面垂直見(jiàn)圖

a),(3)。

接觸工具上可采用柔軟的材料