GB/T 4937.21-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第21部分：可焊性

ICS3108001

L40..

中華人民共和國國家標準

GB/T493721—2018/IEC60749-212011

.:

半導體器件機械和氣候試驗方法

第21部分可焊性

:

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part21Solderabilit

:y

(IEC60749-21:2011,IDT)

2018-09-17發(fā)布2019-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T493721—2018/IEC60749-212011

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

試驗裝置

3…………………1

焊料槽

3.1………………1

浸潤裝置

3.2……………1

光學設備

3.3……………1

水汽老化設備

3.4………………………1

照明設備

3.5……………2

材料

3.6…………………2

助焊劑

3.6.1…………………………2

焊料

3.6.2……………2

再流焊設備

3.7SMD……………………3

模板或掩膜板

3.7.1…………………3

橡膠滾軸或金屬刮刀

3.7.2…………3

試驗基板

3.7.3………………………3

焊膏

3.7.4……………3

再流設備

3.7.5………………………4

助焊劑清洗溶劑

3.7.6………………4

程序

4………………………4

向后兼容性

4.1…………………………4

預處理

4.2………………4

一般要求

4.2.1………………………4

水汽老化預處理

4.2.2………………4

高溫貯存預處理

4.2.3………………5

浸入和觀察可焊性試驗程序

4.3………………………5

一般要求

4.3.1………………………5

浸焊料條件

4.3.2……………………5

程序

4.3.3……………6

模擬板級安裝再流可焊性試驗程序

4.4SMDs………11

一般要求

4.4.1………………………11

試驗設備設置

4.4.2…………………11

樣品準備和表面條件

4.4.3…………13

目檢

4.4.4……………13

說明

5………………………13

圖翼形封裝被檢區(qū)域

1……………………8

Ⅰ

GB/T493721—2018/IEC60749-212011

.:

圖形引線封裝被檢區(qū)域

2J………………9

圖矩形元器件的被檢區(qū)域表面安裝器件

3()…………10

圖小外形集成電路封裝和四邊引線扁平封裝被檢區(qū)域表面安裝器件

4(SOIC)(QFP)()…………11

圖平頂峰形回流曲線圖

5………………12

表水汽老化條件

1…………………………4

表海拔高度與水汽溫度的對應關系

2……………………5

表浸焊料試驗條件

3………………………5

表焊槽中雜質最大含量

4…………………7

Ⅱ

GB/T493721—2018/IEC60749-212011

.:

前言

半導體器件機械和氣候試驗方法由以下部分組成

GB/T4937《》:

第部分總則

———1:;

第部分低氣壓

———2:;

第部分外部目檢

———3:;

第部分強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗

———4:(HAST);

第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗

———5:;

第部分高溫貯存

———6:;

第部分內部水汽含量測試和其他殘余氣體分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分標志耐久性

———9:;

第部分機械沖擊

———10:;

第部分快速溫度變化雙液槽法

———11:;

第部分掃頻振動

———12:;

第部分鹽霧

———13:;

第部分引出端強度引線牢固性

———14:();

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

———15:;

第部分粒子碰撞噪聲檢測

———16:(PIND);

第部分中子輻照

———17:;

第部分電離輻射總劑量

———18:();

第部分芯片剪切強度

———19:;

第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響

———20:;

第部分對潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標志和運輸

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分鍵合強度

———22:;

第部分高溫工作壽命

———23:;

第部分加速耐濕無偏置強加速應力試驗

———24:(HSAT);

第部分溫度循環(huán)

———25:;

第部分靜電放電敏感度試驗人體模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分靜電放電敏感度試驗機械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分靜電放電敏感度試驗帶電器件模型器件級

———28:(ESD)(CDM);

第部分閂鎖試驗

———29:;

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性內部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮

———33:;

第部分功率循環(huán)

———34:;

第部分塑封電子元器件的聲學掃描顯微鏡檢查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅲ

GB/T493721—2018/IEC60749-212011

.:

第部分采用加速度計的板級跌落試驗方法

———37:;

第部分半導體存儲器件的軟錯誤試驗方法

———38:;

第部分半導體元器件原材料的潮氣擴散率和水溶解率測量

———39:;

第部分采用張力儀的板級跌落試驗方法

———40:;

第部分非易失性存儲器件的可靠性試驗方法

———41:;

第部分溫度和濕度貯存

———42:;

第部分集成電路可靠性鑒定方案指南

———43:(IC);

第部分半導體器件的中子束輻照單粒子效應試驗方法

———44:。

本部分為的第部分

GB/T493721。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用半導體器件機械和氣候試驗方法第部分

IEC60749-21:2011《21:

可焊性

》。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所深圳市標準技術研究院

:、。

本部分主要起草人宋玉璽彭浩高瑞鑫裴選朱振剛

:、、、、。

Ⅳ

GB/T493721—2018/IEC60749-212011

.:

半導體器件機械和氣候試驗方法

第21部分可焊性

:

1范圍

的本部分規(guī)定了采用鉛錫焊料或無鉛焊料進行焊接的元器件封裝引出端的可焊性試

GB/T4937

驗程序

。

本試驗方法規(guī)定了通孔軸向和表面安裝器件的浸入和觀察可焊性試驗程序以及可選

、(SMDs)“”,

的板級安裝可焊性試驗程序用于模擬在元器件使用時采用的焊接過程本試驗方法也規(guī)定了

SMDs,。

老化條件該條件為可選

,。

除有關文件另有規(guī)定外本試驗屬于破壞性試驗

,。

注1本試驗方法與基本一致但由于半導體元器件的特殊要求采用本試驗方法

:GB/T2423,,。

注2本試驗方法未對焊接過程中可能產(chǎn)生的熱應力影響進行評估參見或

:。IEC60749-15IEC60749-20。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電子組件用連接材料第部分電子組件高質量互連用焊料的要求

IEC61190-1-2:2007