標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 5238-2019 鍺單晶和鍺單晶片》相較于《GB/T 5238-2009 鍺單晶和鍺單晶片》進(jìn)行了多方面的更新與調(diào)整，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：

  1. 標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的優(yōu)化：新版標(biāo)準(zhǔn)對整體框架進(jìn)行了重新組織，使之更加符合當(dāng)前國際上對于材料標(biāo)準(zhǔn)編寫的慣例。通過這種結(jié)構(gòu)調(diào)整，增強了標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容的邏輯性和可讀性。

  2. 術(shù)語定義的完善：在2019版中增加了部分新的專業(yè)術(shù)語及其定義，并對原有的一些概念進(jìn)行了更為準(zhǔn)確地描述或修訂，確保了術(shù)語使用的統(tǒng)一性和準(zhǔn)確性。

  3. 技術(shù)指標(biāo)的更新：針對鍺單晶及鍺單晶片的質(zhì)量要求，2019版本根據(jù)近年來技術(shù)進(jìn)步以及市場需求變化，調(diào)整了某些關(guān)鍵參數(shù)的具體數(shù)值范圍或新增了若干測試項目，以更好地反映產(chǎn)品性能特點。

  4. 檢測方法的改進(jìn)：引入了一些先進(jìn)的分析測試技術(shù)和手段，替代了舊版中可能已經(jīng)過時的方法。同時，也對部分原有的實驗步驟進(jìn)行了細(xì)化和完善，提高了測量結(jié)果的可靠性和重復(fù)性。

  5. 附錄內(nèi)容的增補：為了幫助用戶更好地理解和應(yīng)用該標(biāo)準(zhǔn)，在新版本中增加了關(guān)于樣品準(zhǔn)備、數(shù)據(jù)處理等方面的指導(dǎo)性信息作為參考材料，使得整個文檔更具實用性。

這些變動反映了行業(yè)發(fā)展的最新趨勢和技術(shù)水平，旨在促進(jìn)鍺單晶及相關(guān)制品質(zhì)量的整體提升。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2019-06-04 頒布
  • 2020-05-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T5238—2019

代替

GB/T5238—2009

鍺單晶和鍺單晶片

Monocrystallinegermaniumandmonocrystallinegermaniumslices

2019-06-04發(fā)布2020-05-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T5238—2019

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替鍺單晶和鍺單晶片與相比除編輯性修改外

GB/T5238—2009《》。GB/T5238—2009,

主要技術(shù)變化如下

:

修訂了標(biāo)準(zhǔn)適用范圍將外延襯底改為紅外光學(xué)部件見第章年版的第章

———,“”“”(1,20091);

規(guī)范性引用文件中刪除了增加了

———GB/T1552、GB/T5254,GB/T1555、GB/T14264、

見第章年版的第章

GB/T14844、GB/T26074(2,20092);

增加了術(shù)語和定義見第章

———(3);

修訂了牌號表示方法見年版的

———(4.1,20093.2);

增加了非摻雜鍺單晶的要求見第章

———(4);

斷面電阻率不均勻度改為徑向電阻率變化并修訂了其要求見年版的

———,(4.2.3,20093.3.1.1);

修訂了電阻率小于鍺單晶的少數(shù)載流子壽命要求見年版的

———1.0Ω·cm(4.2.4,20093.3.1.2);

修訂了鍺單晶晶體完整性的要求見年版的

———(4.2.6.1,20093.3.1.4);

修訂了直徑鍺單晶的直徑相對允許偏差的要求見年版的

———10mm~100mm(4.2.7,20093.3.2.1);

增加了直徑大于鍺單晶的要求見

———100mm(4.2.7);

刪除了長度的要求見年版的

———(20093.3.2.1);

增加了鍺單晶表面質(zhì)量的要求見

———(4.2.8);

修訂了鍺單晶片幾何參數(shù)的要求見年版的

———(4.3.2,20093.3.2.2);

修訂了鍺單晶片表面質(zhì)量的要求見年版的

———(4.3.3,20093.3.3);

修訂了組批檢驗項目取樣及檢驗結(jié)果的判定見第章年版的第章

———、、(6,20095)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中鍺科技有限公司云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司廣東先導(dǎo)稀材股份有限公

:、、

司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟研究院北京合能陽光新能源技術(shù)有限公司

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人柯尊斌劉新軍惠峰朱劉尹士平楊素心肖宗鏞

:、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T5238—1985、GB/T5238—1995、GB/T5238—2009;

———GB/T15713—1995。

Ⅰ

GB/T5238—2019

鍺單晶和鍺單晶片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了鍺單晶和鍺單晶片的要求試驗方法檢驗規(guī)則標(biāo)志包裝運輸貯存質(zhì)量證明書

、、、、、、、

及訂貨單或合同內(nèi)容

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于制備半導(dǎo)體器件激光器組件紅外光學(xué)部件用的鍺單晶和鍺單晶片

、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T1550

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法

GB/T1553

半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

GB/T1555

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計劃

鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法

GB/T5252

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

半導(dǎo)體材料牌號表示方法

GB/T14844

鍺單晶電阻率直流四探針測量方法

GB/T26074

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4要求

41牌號

.

鍺單晶和鍺單晶片的牌號表示應(yīng)符合的規(guī)定

GB/T14844。

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