GB/T 5238-2009鍺單晶和鍺單晶片

犐犆犛７７．１２０．９９

犎６６

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜５２３８—２００９

代替ＧＢ／Ｔ５２３８—１９９５、ＧＢ／Ｔ１５７１３—１９９５

鍺單晶和鍺單晶片

犕狅狀狅犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲犵犲狉犿犪狀犻狌犿犪狀犱

犿狅狀狅犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲犵犲狉犿犪狀犻狌犿狊犾犻犮犲狊

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

犌犅／犜５２３８—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ５２３８—１９９５《鍺單晶》和ＧＢ／Ｔ１５７１３—１９９５《鍺單晶片》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ５２３８—１９９５、ＧＢ／Ｔ１５７１３—１９９５相比，主要有如下變動(dòng)：

———擴(kuò)大了鍺單晶和鍺單晶片的適用范圍；

———?jiǎng)h掉了鍺單晶按電阻率允許偏差分成的三個(gè)等級(jí)和鍺單晶片中的大圓片及小圓片；

———標(biāo)準(zhǔn)格式按ＧＢ／Ｔ１．１—２０００《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則》的要求進(jìn)行了修改、補(bǔ)充和完善。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位：南京鍺廠有限責(zé)任公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：張莉萍、吳玉麟。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ５２３８—１９８５，ＧＢ／Ｔ５２３８—１９９５，ＧＢ／Ｔ１５７１３—１９９５。

Ⅰ

書

犌犅／犜５２３８—２００９

鍺單晶和鍺單晶片

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了鍺單晶和鍺單晶片的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、訂貨單（或

合同）內(nèi)容。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于制作半導(dǎo)體器件、激光、外延襯底等用的鍺單晶和鍺單晶片。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５０非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

ＧＢ／Ｔ１５５２硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針?lè)?/p>

ＧＢ／Ｔ１５５３硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰退法

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ５２５２鍺單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法

ＧＢ／Ｔ５２５４鍺單晶晶向Ｘ光衍射測(cè)定方法

３要求

３．１產(chǎn)品分類

鍺單晶和鍺單晶片按導(dǎo)電類型分為ｎ型和ｐ型。

３．２牌號(hào)

３．２．１鍺單晶和鍺單晶片的牌號(hào)表示方法為：

—Ｇｅ—（）—〈〉

４

３

２

１

１———表示鍺單晶和鍺單晶片的生產(chǎn)方法；用ＣＺ表示直拉法，用ＨＢ表示水平法。

２———Ｇｅ表示鍺單晶和鍺單晶片。

３———用ｎ或ｐ表示導(dǎo)電類型，括號(hào)內(nèi)的元素符號(hào)表示摻雜劑。

４———用密勒指數(shù)表示晶向。

３．２．２牌號(hào)示例：

ａ）ＣＺＧｅｎ