標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 5238-1995 鍺單晶》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了鍺單晶的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存等方面的內(nèi)容。該標(biāo)準(zhǔn)適用于制造半導(dǎo)體器件和其他用途的鍺單晶材料。

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容，首先明確了鍺單晶按電阻率不同分為不同類型，并對(duì)每種類型的具體電阻率范圍做出了規(guī)定。此外，還定義了幾何參數(shù)如直徑、長(zhǎng)度等的要求，確保產(chǎn)品符合特定尺寸規(guī)格。對(duì)于晶體缺陷，包括位錯(cuò)密度在內(nèi)的多個(gè)方面也有詳細(xì)說(shuō)明，旨在控制材料質(zhì)量以滿足高性能應(yīng)用的需求。

在試驗(yàn)方法部分，標(biāo)準(zhǔn)描述了一系列用于檢測(cè)鍺單晶特性的測(cè)試程序，比如測(cè)量電阻率的方法、確定位錯(cuò)密度的技術(shù)等。這些測(cè)試不僅幫助制造商評(píng)估其產(chǎn)品質(zhì)量，也為用戶提供了選擇合適材料時(shí)可參考的數(shù)據(jù)。

檢驗(yàn)規(guī)則方面，《GB/T 5238-1995 鍺單晶》指出了如何進(jìn)行抽樣檢查及合格判定的標(biāo)準(zhǔn)流程，保證出廠前的產(chǎn)品能夠達(dá)到規(guī)定的性能指標(biāo)。同時(shí)，針對(duì)不合格品處理方式也給出了指導(dǎo)建議。

最后，在包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存環(huán)節(jié)，標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)調(diào)了正確操作的重要性，以防止鍺單晶受到物理?yè)p傷或環(huán)境因素影響而導(dǎo)致性能下降。具體措施包括使用適當(dāng)?shù)陌b材料、清晰標(biāo)注產(chǎn)品信息以及采取必要的防護(hù)手段等。


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  • 1995-10-17 頒布
  • 1996-03-01 實(shí)施
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ICS29.040.30H81中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T5238一1995錯(cuò)單晶Monocrystaliinegermanium1995-10-17發(fā)布1996-03-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T5238—1995代替GB5238-85Monocrystallinegermanium主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了錯(cuò)單品的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和財(cái)存：本標(biāo)準(zhǔn)適用于制作半導(dǎo)體器件等用的錯(cuò)單品。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB5251豬單晶電阻率直流四探針測(cè)量方法GB5252錯(cuò)單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法GB5254錯(cuò)單晶晶向X光衍射測(cè)定方法GB5255錯(cuò)單晶晶向光反射圖像測(cè)定方法GB5256豬單晶導(dǎo)電類型測(cè)量方法GB5257錯(cuò)單晶少數(shù)載流子壽命直流光電導(dǎo)衰退測(cè)量方法3產(chǎn)品分類3T分類錯(cuò)單晶按導(dǎo)電類型分為n型和P型。，根據(jù)電阻率允許偏差大小單晶分為三級(jí)，用英文大寫字母AB、C表示3.2牌號(hào)3.2.1錯(cuò)單晶的牌號(hào)表示為：其中：1--表示錯(cuò)單晶的生產(chǎn)方法。Cz表示直拉法,HB表示水平法.2--Ge表示錯(cuò)單晶。-用n或p表示導(dǎo)電類型，括號(hào)內(nèi)的元素符號(hào)表示摻雜劑。4--用密勒指數(shù)表示品向。3.2.2示例：Cz-Ge-n(Sb)-(111)表示晶向?yàn)?111>n型摻梯直拉錯(cuò)單晶。國(guó)家

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