GB/T 6590-1998半導(dǎo)體器件分立器件第6部分：閘流晶體管第二篇100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

ICS31.080.20L43中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T_6590一1998idtIEC747-6-2:1991QC750111半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第二篇100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范Semiconductordevices-DiscretedevicesPart6：ThyristorsSectionTwo-Blankdetailspecificationforbidirectionaltriodethyristors(triacs）ambientorcase-rated，upto100A1998-11-17發(fā)布1999-06-01實(shí)施國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T6590—1998本規(guī)范等同采用IEC747-6-2:1991《半導(dǎo)體器件分立器件100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范》。本規(guī)范是國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T6590—1986的修訂版。本規(guī)范與GB/T6590一1986的主要差別是：在第4章中增加了電流與溫度的降額曲線;刪去了C2c和C2d的分組號(hào)，該組的內(nèi)容合并到C2b分組，并調(diào)整了引用總規(guī)范及分規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)號(hào)。除非另有規(guī)定，本規(guī)范第8章中引用的條款號(hào)對(duì)應(yīng)于GB/T4589.1一1989(半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》(IEC747-10:1984)的條款號(hào)，測(cè)試方法引自GB/T15291一1994《半導(dǎo)體分立器件和集成電路第6部分：閘流晶體管》（IEC747-6:1991):試驗(yàn)方法引自GB/T4937一1995《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法》IEC749:1984)。本規(guī)范由中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部提出本規(guī)范由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本規(guī)范由電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所負(fù)責(zé)起草，本規(guī)范主要起草人：于志賢、楊志丹、顧康麟

GB/T6590—1998IEC前言1）IC(國(guó)際電工委員會(huì))在技術(shù)問(wèn)題上的正式?jīng)Q議或協(xié)議,是由對(duì)這些問(wèn)題特別關(guān)切的國(guó)家委員會(huì)參加的技術(shù)委員會(huì)制定的，對(duì)所涉及的問(wèn)題盡可能地代表了國(guó)際上的一致意見(jiàn)。2）這些決議或協(xié)議,以推薦標(biāo)準(zhǔn)的形式供國(guó)際上使用，并在此意義上為各國(guó)家委員會(huì)所認(rèn)可。3）為了促進(jìn)國(guó)際間的統(tǒng)一,IEC希望各國(guó)家委員會(huì)在本國(guó)條件許可的情況下,采用IEC標(biāo)準(zhǔn)的文本作為其國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),IEC標(biāo)準(zhǔn)與相應(yīng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之間的差異，應(yīng)盡可能在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中指明。本標(biāo)準(zhǔn)由IEC第47技術(shù)委員會(huì)(半導(dǎo)體器件)制定。本標(biāo)準(zhǔn)是100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流品體管空白詳細(xì)規(guī)范本標(biāo)準(zhǔn)文本以下列文件為依據(jù)：六個(gè)月法表決報(bào)告47（C098647（C0)1099表決批準(zhǔn)本標(biāo)準(zhǔn)的所有資料可在上表所列的表決報(bào)告中查閱。本標(biāo)準(zhǔn)封面上的QC號(hào)是IEC電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系(IECQ)的規(guī)范號(hào)。本標(biāo)準(zhǔn)中引用的其他IEC標(biāo)準(zhǔn)：IEC68-2-17:1978基本環(huán)境試驗(yàn)程序，第2部分：試驗(yàn)，試驗(yàn)Q:密封IEC191-2:1966半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化，第2部分：尺寸(在修訂中)IEC747-6:1983半導(dǎo)體器件分立器件第6部分;閘流晶體管IEC747-10:1984半導(dǎo)體器件第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范IEC747-11:1985半導(dǎo)體器件第11部分：分立器件分規(guī)范IEC749:1984半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第二篇100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T6590—1998idtiec747-6-2：1991QC75017Semiconductordeyices-Discretedevices花褲G/6590-1986Part6：ThyristorsSectionTwo-Blankdetailspecificationforbidirectionaltriodethyristors（triacs），ambientorcase-rated.upto100A本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定100A以下(含100A)環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流品體管(包括快速型)詳細(xì)規(guī)范的基本原則,制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)盡可能與本空白詳細(xì)規(guī)范相一致。本空白詳細(xì)規(guī)范是與GB/T4589.1一1989《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》IEC747-10:1984)和GB/T12560～1990《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》IEC747-11：1985)有關(guān)的一系列空白詳細(xì)規(guī)范中的一個(gè)。要求資料下列所要求的各項(xiàng)內(nèi)容，應(yīng)列入規(guī)定的相應(yīng)的空欄內(nèi)。詳細(xì)規(guī)范的識(shí)別：17授權(quán)起草詳細(xì)規(guī)范的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的名稱，L2JIECQ詳細(xì)規(guī)范號(hào)。L3]總規(guī)范號(hào)和分規(guī)范號(hào)以及年代號(hào)。【4詳細(xì)規(guī)范號(hào)、發(fā)布日期和國(guó)家體系要求的更多的資料器件的識(shí)別：L57器件型號(hào)?！?]典型結(jié)構(gòu)和應(yīng)用資料。如果設(shè)計(jì)一種器件滿足著干應(yīng)用,則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中指出。這些應(yīng)用的特性、極限值和檢驗(yàn)要求均應(yīng)予以滿足。如果器件對(duì)靜電敏感，或含有害物質(zhì)，例如氧化鍍,則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中附加注意事項(xiàng)。L7外形圖和(或)引用有關(guān)的外形標(biāo)準(zhǔn)。L87質(zhì)量評(píng)定類別?！?】能在各器件型號(hào)之間比較的最重