GB/T 6620-2009硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

犐犆犛２９．０４５

犎８２

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜６６２０—２００９

代替ＧＢ／Ｔ６６２０—１９９５

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀犵狑犪狉狆狅狀狊犻犾犻犮狅狀狊犾犻犮犲狊犫狔狀狅狀犮狅狀狋犪犮狋狊犮犪狀狀犻狀犵

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

犌犅／犜６６２０—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用ＳＥＭＩＭＦ６５７０７０５《硅片翹曲度和總厚度變化非接觸式測(cè)試方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＳＥＭＩＭＦ６５７０７０５相比，主要有如下變化：

———本標(biāo)準(zhǔn)沒有采用ＳＥＭＩ標(biāo)準(zhǔn)中總厚度變化測(cè)試部分內(nèi)容；

———本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試硅片厚度范圍比ＳＥＭＩ標(biāo)準(zhǔn)中要窄；

———本標(biāo)準(zhǔn)編制格式按ＧＢ／Ｔ１．１規(guī)定。

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ６６２０—１９９５《硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ６６２０—１９９５相比，主要有如下變動(dòng)：

———修改了測(cè)試硅片厚度范圍；

———增加了引用文件、術(shù)語、意義和用途、干擾因素和測(cè)量環(huán)境條件等章節(jié)；

———修改了儀器校準(zhǔn)部分內(nèi)容；

———增加了仲裁測(cè)量；

———?jiǎng)h除了總厚度變化的計(jì)算；

———增加了對(duì)仲裁翹曲度平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差的計(jì)算。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：洛陽單晶硅有限責(zé)任公司，萬向硅峰電子股份有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：張靜雯、蔣建國(guó)、田素霞、劉玉芹、樓春蘭。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ６６２０—１９８６、ＧＢ／Ｔ６６２０—１９９５。

Ⅰ

書

犌犅／犜６６２０—２００９

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片（以下簡(jiǎn)稱硅片）翹曲度的非接觸式測(cè)試方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于５０ｍｍ，厚度大于１８０μｍ的圓形硅片。本標(biāo)準(zhǔn)也適用于測(cè)量其他半

導(dǎo)體圓片的翹曲度。本測(cè)試方法的目的是用于來料驗(yàn)收或過程控制。本測(cè)試方法也適用于監(jiān)視器件加

工過程中硅片翹曲度的熱化學(xué)效應(yīng)。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而構(gòu)成本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修訂單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注明日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ６６１８硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導(dǎo)體材料術(shù)語

３術(shù)語和定義

由ＧＢ／Ｔ１４２６４確立的及以下半導(dǎo)體材料術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

３．１

中位面犿犲犱犻犪狀狊狌狉犳犪犮犲

與晶片的正表面和背表面等距離點(diǎn)的軌跡。

３．２

翹曲度狑犪狉狆

在質(zhì)量合格區(qū)內(nèi)，一個(gè)自由的，無夾持的硅片中位面相對(duì)參照平面的最大和最小距離之差。

４方法提要

硅片置于基準(zhǔn)環(huán)的３個(gè)支點(diǎn)上，３個(gè)支點(diǎn)形成一基準(zhǔn)平面。測(cè)試儀的一對(duì)探頭在硅片上、下表面沿

規(guī)定的路徑同步掃描。在掃描過程中，成對(duì)地給出上、下探頭與硅片最近表面之