GB/T 6798-1996半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理

ICS31.200L56中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T6798-1996半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理SemiconductorintegratedcircuitsGeneralprinciplesofmeasuringmethodsofvoltagecomparators1996-07-09發(fā)布1997-01-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

1主題內(nèi)容與適用范圍2引用標(biāo)準(zhǔn)3總的要求4電特性測試4.1輸入失調(diào)電壓Vo“.2輸入失調(diào)電壓溫度系數(shù)wo4.3輸入失調(diào)電流/o·4.4輸入失調(diào)電流溫度系數(shù)uo4.5輸入偏置電流7e…·4.6輸入偏置電流溫度系數(shù)m2·4.7靜態(tài)功耗Po4.8開環(huán)電壓增益4vp4.9共模抑制比Kcwk4.10最大共模輸入電壓Vru4.11電源電壓抑制比K。va4.12最大差模輸入電壓Vim4.13輸出高電平電壓Vom4.14輸出低電平電壓Vo4.15高電平輸出電流/om4.16低電平輸出電流1o…·4.17開環(huán)差模輸入電阻Ro4.18開環(huán)單端輸出電阻Ros4.19低電平選通電流srl204.20高電平選通電流/srr)214.21響應(yīng)時(shí)間·…4.22選通延退時(shí)間sr23附錄電參數(shù)符號(hào)（補(bǔ)充件）………………25

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理cB/T6798-1996Semiconductorintegratedcircuits代替GB6798-86Generalprinciplesofmeasuringmethodsofvoltagecomparators主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路電壓比較器(以下簡稱器件)電特性測試方法的基本原理.本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路電壓比較器電特性的測試。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB3431.1半導(dǎo)體集成電路文字符號(hào)電參數(shù)文字符號(hào)總的要求3.1若無特殊說明,測試期間，環(huán)境或參考點(diǎn)溫度偏離規(guī)定值的范圍應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定。3.2測試期間，應(yīng)避免外界干擾對測試精度的影響。測試設(shè)備引起的測試誤差應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定。3.3測試期間，施于被測器件的電源的內(nèi)阻在信號(hào)頻率下應(yīng)基本為零；電源電壓的偏差應(yīng)在規(guī)定值的士1%以內(nèi)。施于被測器件的其他電參量的精度應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定。3.4在被測器件線性工作區(qū)測試時(shí)，交流小信號(hào)幅度的逐漸減小不應(yīng)引起參數(shù)值的變化。3.55被測器件與測試系統(tǒng)連接或斷開時(shí)，不應(yīng)超過器件的使用極限條件。3.6若有要求時(shí)，應(yīng)按器件詳細(xì)規(guī)范規(guī)定的順序接通電源。3.7測試期間，被測器件應(yīng)連接詳細(xì)規(guī)范規(guī)定的輔助電路和補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)3.8測試期間，被測器件應(yīng)選免出現(xiàn)自激現(xiàn)象，3.9若電特性值是由幾步測試的結(jié)果經(jīng)計(jì)算而確定時(shí),這些測試的時(shí)間間隔應(yīng)盡可能短。3.10用輔助放大器(A)與被測器件