電子元器件的歷史課件

電子元器件目的：

使公司的各層工作人員能夠正確地識別日常操作中常用的各類元件，結合產品的BOM表學習并應用以下基礎知識：從外觀能看出該元件的種類﹑

名稱以及是否有極性、方向性。從元件表面的標記能讀出該元件的性能參數(shù)﹑

容許誤差范圍等參數(shù)。能識別各類元件在線路板上的絲印圖。知道在作業(yè)過程中不同元件須注意的事項。電子技術發(fā)展史第一部分電子技術的應用基本器件的兩個發(fā)展階段分立元件階段（1905～1959）真空電子管、半導體晶體管集成電路階段（1959～）SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI

主要階段概述

第一代電子

產品以電子管為核心。四十年代末世界上誕生了第一只半導體三極管，它以小巧、輕便、省電、壽

命長等特點，很快地被各國應用起來，在很大范圍內取代了電子管。五十年代末期，世界上出現(xiàn)了第一塊集成電路，它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上，使電子產品向更小型化發(fā)展。集成電路從小規(guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路，從而使電子產品向著高效能低消耗、高精度、高穩(wěn)定、智能化的方向發(fā)展。分立元件階段晶體管時代（1948～1959）宇宙空間的探索即將開始主要大事記1947年貝爾實驗室的巴丁、布拉頓和肖克萊研制成第一個點接觸型晶體管1948年貝爾實驗室的香農發(fā)表信息論的論文英國采用EDSAG計算機，這是最早的一種存儲程序數(shù)字計算機1949年諾伊曼提出自動傳輸機的概念1950年麻省理工學院的福雷斯特研制成磁心存儲器1952年美國爆炸第一顆氫彈1954年貝爾實驗室研制太陽能電池和單晶硅1957年蘇聯(lián)發(fā)射第一顆人造地球衛(wèi)星1958年美國得克薩斯儀器公司和仙童公司宣布研制成第一個集成電路集成電路階段自1958年第一塊集成元件問世以來，集成電路已經(jīng)跨越了小、中、大、超大、特大、巨大規(guī)模幾個臺階，集成度平均每2年提高近3倍。隨著集成度的提高，器件尺寸不斷減小。1985年，1兆位ULSI的集成度達到200萬個元件，器件條寬僅為1微米；1992年，16兆位的芯片集成度達到了3200萬個元件，條寬減到0.5微米，而后的64兆位芯片，其條寬僅為0.3微米。集成電路階段集成電路制造技術的發(fā)展日新月異，其中最具有代表性的集成電路芯片主要包括以下幾類，它們構成了現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的基石。可編程邏輯器件（PLD）微控制芯片（MCU）數(shù)字信號處理器（DSP）大規(guī)模存儲芯片（RAM/ROM）ENIAC第一代（1946～1957）電子管計算機時代：它的基本電子元件是電子管，內存儲器采用水銀延遲線，外存儲器主要采用磁鼓、紙帶、卡片、磁帶等。由于當時電子技術的限制，運算速度只是每秒幾千次~幾萬次基本運算，內存容量僅幾千個字。程序語言處于最低階段，主要使用二進制表示的機器語言編程，后階段采用匯編語言進行程序設計。體積大，耗電多，速度低，造價高，使用不便，主要局限于一些軍事和科研部門進行科學計算。（ENIAC）電子計算機的發(fā)展電子計算機的發(fā)展IBM7090第二代（1958～1963）晶體管計算機時代：它的基本電子元件是晶體管，內存儲器大量使用磁性材料制成的磁芯存儲器。與第一代電子管計算機相比，晶體管計算機體積小，耗電少，成本低，邏輯功能強，使用方便，可靠性高

。（IBM7090）電子計算機的發(fā)展第三代（1964～1970）集成電路計算機時代：它的基本元件是小規(guī)模集成電路和中規(guī)模集成電路，磁芯存儲器進一步發(fā)展，并開始采用性能更好的半導體存儲器，運算速度提高到每秒幾十萬次基本運算。由于采用了集成電路，第三代計算機各方面性能都有了極大提高：體積縮小，價格降低，功能增強，可靠性大大提高。（IBM360系列為代表）IBM360晶體管計算機EDA技術電子設計技術的核心就是EDA技術。EDA是指以計算機為工作平臺，融合應用電子技術、計算機技術、智能化技術最新成果而研制成的電子CAD通用軟件包，主要能輔助進行三方面的設計工作，即IC設計、電子電路設計和PCB設計。電子系統(tǒng)設計自動化(ESDA)階段（90年代以后）：設計人員按照“自頂向下”的設計方法，對整個系統(tǒng)進行方案設計和功能劃分，系統(tǒng)的關鍵電路用一片或幾片專用集成電路（ASIC）實現(xiàn)，然后采用硬件描述語言（HDL）完成系統(tǒng)行為級設計，最后通過綜合器和適配器生成最終的目標器件。EDA技術發(fā)展的三個階段：計算機輔助設計(CAD)階段（70年代）：用計算機輔助進行IC版圖編輯、PCB布局布線，取代了手工操作。計算機輔助工程(CAE)階段（80年代）：與CAD相比，CAE除了有純粹的圖形繪制功能外，又增加了電路功能設計和結構設計，并且通過電氣連接網(wǎng)絡表將兩者結合在一起，實現(xiàn)了工程設計。CAE的主要功能是：原理圖輸入，邏輯仿真，電路分析，自動布局布線，PCB后分析。ARM開發(fā)板納米電子技術納米電子學主要在納米尺度空間內研究電子、原子和分子運動規(guī)律和特性，研究納米尺度空間內的納米膜、納米線。納米點和納米點陣構成的基于量子特性的納米電子器件的電子學功能、特性以及加工組裝技術。其性能涉及放大、振蕩、脈沖技術、運算處理和讀寫等基本問題。其新原理主要基于電子的波動性、電子的量子隧道效應、電子能級的不連續(xù)性、量子尺寸效應和統(tǒng)計漲落特性等。從微電子技術到納米電子器件將是電子器件發(fā)展的第二次變革，與從真空管到晶體