硅材料相關(guān)知識(shí)及M156硅片檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)課件

硅材料相關(guān)知識(shí)及多晶硅片檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)2010.6目錄晶體硅產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)知識(shí)拉制單晶硅棒與單晶硅棒的切片澆注多晶硅錠與切片硅片檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)及檢驗(yàn)方法一.晶體硅產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)知識(shí)一.晶體硅產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)知識(shí)一.晶體硅產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)知識(shí)二.單晶硅棒拉制及切片

多晶硅料拉制硅棒(單晶)單晶硅生長(zhǎng)

單晶硅生長(zhǎng)單晶硅生長(zhǎng)拉晶過程可以分為以下幾個(gè)階段：1.熔硅。在熔硅階段坩堝位置的調(diào)節(jié)很重要。開始坩堝位置較高，可以使坩堝口與加熱器的頂部對(duì)齊，這樣可以使坩堝底部的多晶硅料先熔化。然后再將坩堝逐漸降至拉晶的正常位置。熔硅過程不宜太長(zhǎng)，熔硅時(shí)間長(zhǎng)，熔硅中摻入雜質(zhì)的揮發(fā)量大，坩堝熔蝕也嚴(yán)重。熔硅過程中應(yīng)注意防止熔硅濺出或粘附在液面以上的坩堝壁上。2.引晶。將籽晶和坩堝的轉(zhuǎn)速按照設(shè)備工藝規(guī)范分別設(shè)置調(diào)整好。當(dāng)處于預(yù)置熱場(chǎng)位置中的熔硅溫度穩(wěn)定后，將籽晶下降至熔硅上方預(yù)熱10分鐘，然后使籽晶緩慢下降，使其與熔硅接觸。若籽晶很快被熔斷，表明熔硅溫度太高；若籽晶陷入熔硅，但融化很慢甚至不熔化或長(zhǎng)大，表明熔硅溫度太低；若熔硅很快浸潤(rùn)籽晶，并沿籽晶垂直面攀緣而上，端部稍微融化，則熔硅溫度適當(dāng)。在合適的溫度下，籽晶可與熔硅長(zhǎng)時(shí)間接觸，既不會(huì)進(jìn)一步熔化，也不會(huì)生長(zhǎng)。單晶硅生長(zhǎng)3.收頸。觀察彎月面形狀，如果適當(dāng)，就開始將籽晶慢慢向上提拉，并逐漸將拉速增大到3.5mm/min以上。收頸部的直徑、長(zhǎng)度按照拉制單晶規(guī)格對(duì)應(yīng)的工藝規(guī)范進(jìn)行控制。細(xì)長(zhǎng)的頸部有利于抑制位錯(cuò)從籽晶向頸部以下晶體延伸。頸部長(zhǎng)些還可以使熔硅溫度在放肩之前先穩(wěn)定下來。4.放肩。根據(jù)收頸時(shí)的溫度變化，將溫度降低15℃～40℃，并將拉速調(diào)至0.4mm/min。隨時(shí)觀測(cè)直徑，保持溫度穩(wěn)定，盡可能長(zhǎng)成平單晶硅生長(zhǎng)5.收肩（轉(zhuǎn)肩）。當(dāng)肩部直徑約比需要的單晶直徑小3～5mm時(shí)，將拉速提高到2.5mm/min，使直徑增長(zhǎng)速率降低。同時(shí)坩堝也開始自動(dòng)跟蹤，使熔硅液面始終保持在相對(duì)固定的位置上。6.等徑生長(zhǎng)。當(dāng)直徑達(dá)到要求后，將拉速降到1.3～1.5mm/min左右，然后在電子系統(tǒng)的自動(dòng)控制下開始等直徑生長(zhǎng)。7.收尾。當(dāng)坩堝中硅料剩下1.5kg左右時(shí)，停止坩堝跟蹤，選取等直徑生長(zhǎng)階段最后2h的平均拉速，并逐漸升溫，使尾部長(zhǎng)成錐型。硅棒的加工硅棒切片三.多晶硅錠澆注太陽(yáng)電池用多晶硅與光電轉(zhuǎn)換效率盡管關(guān)于多晶硅片質(zhì)量與太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率之間詳細(xì)的原理非常復(fù)雜，但是與氧、碳、金屬雜質(zhì)和晶體結(jié)構(gòu)有關(guān)的硅片質(zhì)量的指導(dǎo)方針，可用于改進(jìn)現(xiàn)有硅片材料和開發(fā)新的硅片材料。最重要的硅片特性為氧、碳含量，金屬雜質(zhì)和晶體缺陷、斷層以及晶界。三.多晶硅錠澆注三.多晶硅片切割