量測(cè)設(shè)備行業(yè)深度：寸轄制輪事得其要 20230202 -信達(dá)證券

本期內(nèi)容提要:證券研究報(bào)告行業(yè)研究行業(yè)深度研究級(jí) 電子行業(yè)首席分析師有限公司DASECURITIESCOLTD。是名副其實(shí)的行業(yè)龍頭，該公司通過大舉并購實(shí)現(xiàn)以過程控制設(shè)備為核心、相關(guān)良率管理服務(wù)配套的完整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。近年來隨著晶圓制造體表現(xiàn)已穩(wěn)居前列，此類質(zhì)量監(jiān)測(cè)設(shè)備的高回報(bào)屬性也在逐步顯露。國內(nèi)過程控制設(shè)備企業(yè)數(shù)量較少、產(chǎn)值較低，相較于其他晶圓生產(chǎn)設(shè)內(nèi)發(fā)展空間仍舊很大。備作為保證集成電路芯片生產(chǎn)線取得高成品率和高經(jīng)濟(jì)回報(bào)的關(guān)鍵性設(shè)備，在前后道工藝中均發(fā)揮了作用。在前道制造工藝中主要針對(duì)產(chǎn)針對(duì)芯片封裝、圓片級(jí)封裝和硅通孔等關(guān)鍵技術(shù)的缺損及其參數(shù)的檢查及測(cè)量，相較而言過程控制對(duì)前道工藝的意義更加顯著。放眼國內(nèi)過程控制設(shè)備企業(yè)，由于整體起步較晚，很少有企業(yè)可以實(shí)現(xiàn)質(zhì)量監(jiān)督全覆蓋，但近年來隨著國內(nèi)產(chǎn)線的不斷升級(jí)需要加之國際形勢(shì)的日?依靠光學(xué)、電子束兩大核心技術(shù)，賽道平臺(tái)化前景廣闊。從技術(shù)層面術(shù)的使用更加頻繁，基本實(shí)現(xiàn)量測(cè)及檢測(cè)設(shè)備的全面應(yīng)用，電子束相對(duì)而言在檢測(cè)設(shè)備及缺陷復(fù)查領(lǐng)域的應(yīng)用更加廣泛，二者由于各有優(yōu)劣，在晶圓廠的良率管理上基本均有搭配使用。具體到國內(nèi)各企業(yè)而的光學(xué)檢測(cè)、量測(cè)領(lǐng)域積累深厚；上海睿勵(lì)主要從事光學(xué)技術(shù)層面的東方晶源在電子束缺陷檢測(cè)設(shè)備上造詣?lì)H深。飛測(cè)、賽騰股份請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露2 0 表目錄 圖1：海外半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)收入占比(億美元) 7 圖3：海外半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)收入(億美元) 8圖4：海外半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)凈利潤(億美元) 8圖5：海外半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)毛利率變化情況(%) 8海外半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)凈利率情況(%) 8圖7：2021-2024全球晶圓廠前道設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)(億美元) 9021全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模占比(%) 9 圖25：上海精測(cè)營業(yè)收入及凈利潤(萬元) 21 圖27：中科飛測(cè)收入及凈利潤快速增長(億元) 22 請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露3空間機(jī)會(huì)足晶圓制造工藝全過程的控制系統(tǒng)，此類設(shè)備不僅確保產(chǎn)品出貨的穩(wěn)定性和可預(yù)期性，同時(shí)有助于監(jiān)控生產(chǎn)過程中各類生產(chǎn)設(shè)備(如光刻、刻蝕、沉積等)的參數(shù)優(yōu)化調(diào)整，繼而提升整條生產(chǎn)線的運(yùn)行效率。此類設(shè)備是保證生產(chǎn)時(shí)確保產(chǎn)品良率的重要工具。鑒于國內(nèi)大力發(fā)展芯片制造產(chǎn)業(yè)，量，A芯片制造的檢測(cè)需求，當(dāng)時(shí)芯片制造普遍良率較低，在增加薄膜層數(shù)及種類后良率進(jìn)一步(科天)前道制程工藝的全覆蓋，真正實(shí)現(xiàn)了1+1>2的效果。此后，公司開始了大舉收購A這些并購全部圍繞檢測(cè)、量測(cè)設(shè)備、相關(guān)零部件以及提供服務(wù)的軟件展開，公司通過多次KLA過程控制裝備的業(yè)務(wù)發(fā)展已經(jīng)接近飽和，便收購了以色列的光學(xué)檢測(cè)企A年份被并購企業(yè)新增業(yè)務(wù)1997Tencor(合并)薄膜量測(cè)設(shè)備開發(fā)1998NanoproGmbH芯片測(cè)量的先進(jìn)干涉技術(shù)1998Amray掃描電子顯微鏡1998VARS半導(dǎo)體設(shè)備圖像存檔和檢索系統(tǒng)制造1998DeviceWareInc.晶圓檢測(cè)相關(guān)軟件1998Uniphase'SUltrapointe共聚焦激光觀察站技術(shù)應(yīng)用于硅片缺陷分析1999AcmeSystems,Inc.產(chǎn)量工程分析軟件，將參數(shù)化電氣測(cè)試和晶圓分類的成品率數(shù)據(jù)與在線加工和計(jì)量數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)2000ObjectSpaceInc.'sFabSolutions過程控制軟件，用于響應(yīng)影響成品率的參數(shù)數(shù)據(jù)2000FINLETechnologies,Inc光刻建模和數(shù)據(jù)分析軟件，用于加快先進(jìn)光刻工藝的開發(fā)2001PhaseMetrics數(shù)據(jù)存儲(chǔ)行業(yè)檢驗(yàn)/認(rèn)證技術(shù)2002QCOptics半導(dǎo)體、平板及電腦硬盤制造行業(yè)的激光檢測(cè)系統(tǒng)2004CandelaInstruments表面檢測(cè)系統(tǒng)請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露420042004200420042004200620072007200720072007200720082008200820172017201820192019201920192019InspexInspex,Inc.Blue29CorporationCandelaCandelaInstrumentsADECorp.OnWaferOnWaferTechnologiesSensArrayThermaTherma-WaveJapanADE,LtdICOSICOSVisionSystemsCorporationNVVistecSemiconductorSystems'sMIEZetaZetaTechnologiesKeysightTechnologies'sNanoIndenterFilmetricFilmetricsCapresCapresA/SOrbotech晶晶圓檢測(cè)系統(tǒng)業(yè)務(wù)化學(xué)金屬沉積為為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)行業(yè)優(yōu)化的基于激光的表面檢測(cè)系統(tǒng)半導(dǎo)體過程控制解決方案等等離子刻蝕產(chǎn)品即時(shí)溫度量測(cè)技術(shù)計(jì)量設(shè)備服計(jì)量設(shè)備服務(wù)ADE在日本的分銷商封封裝和互連檢測(cè)解決方案，光伏太陽能技術(shù)和LED晶圓檢測(cè)掩模關(guān)鍵尺寸測(cè)量工具和宏觀缺陷檢測(cè)系統(tǒng)非接觸式探查器非接觸式探查器力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品線薄薄膜厚度測(cè)量系統(tǒng)薄薄膜厚度測(cè)量系統(tǒng)全自動(dòng)解決方案KLA官網(wǎng)，KLA年報(bào)，信達(dá)證券研發(fā)中心KLA備可為各類型的貌系統(tǒng)(SpectraFilm系列、Aleris系列、ATL系列等)、圖形晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)(29xx寬PumaxxSurfscan系列等)、套刻量測(cè)系統(tǒng)(Archer750、ATL100等)等，幾乎實(shí)現(xiàn)前道制程的控制全覆蓋。設(shè)備名稱設(shè)備用途設(shè)備簡介AlerisAlerisseriesSpectraFilmArcherArcher系列SpectraShape系列光光譜橢偏儀-膜厚測(cè)量儀光譜橢偏儀-膜厚測(cè)量儀光光學(xué)散射-套刻測(cè)量關(guān)鍵尺寸和晶圓形貌測(cè)量Aleris系列薄膜量測(cè)設(shè)備利用寬帶光譜橢偏儀(BBSE)技術(shù)可為32nm節(jié)點(diǎn)及以下節(jié)點(diǎn)提供可靠的、精確的薄膜厚度、折射率、應(yīng)力以及成分測(cè)量。其中，Aleris8330用于金屬間電介質(zhì)、光阻、底部抗反射涂層、厚氧化物和氮化物以及后段層等非關(guān)鍵薄膜層。Aleris8350用于超薄擴(kuò)散層、超薄柵極氧化物、先進(jìn)光阻、193nmARC層、超薄多層堆疊以及CVD層。Aleris8510進(jìn)一步覆蓋到High-k金屬柵極和超薄去耦等離子體氮化(DPN)工藝層。SpectraFilm:設(shè)采用高亮度光源驅(qū)動(dòng)光譜橢偏儀技術(shù)，新的FoG(光柵上的薄膜)算法可以在類似器件的光柵結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)薄膜測(cè)量，從而進(jìn)一步提高測(cè)量值的準(zhǔn)確性。該設(shè)備可為16nm及以下邏輯制程和高端存儲(chǔ)器中的各種薄膜層，提供可靠的高精度厚膜厚度、折射率和應(yīng)力測(cè)量。Archer600憑借新型的成像測(cè)量技術(shù)和彈性的工藝目標(biāo)設(shè)計(jì)，能夠?qū)Σ煌に噷?、器件類型、設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)的多種結(jié)構(gòu)(多層材料結(jié)構(gòu)，芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu))進(jìn)行套刻測(cè)量。ATL:基于散射測(cè)量的套刻測(cè)量系統(tǒng)，可以支持7納米及以下設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)的高精度套刻量測(cè)。Archer500:基于雙重成像和散射的測(cè)量模塊，可以為2Xnm/1Xnm設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)的存儲(chǔ)器進(jìn)行高性能和低成本的套刻誤差測(cè)量。SpectraShape10K:可以對(duì)1Xnm及以下的FinFET、多層疊堆3DNAND的關(guān)鍵尺寸(CD)和三維形貌進(jìn)行測(cè)量和監(jiān)控。設(shè)備采用各種光學(xué)技術(shù)和獨(dú)特算法，可以測(cè)量包括臨界尺寸，金屬柵極凹槽，high-k凹槽，側(cè)壁角度,光阻高度，硬光罩高度，間距偏移在內(nèi)的各種參數(shù)。SpectraShape9000:可以對(duì)20納米及以下的集成電路進(jìn)行光學(xué)CD測(cè)量和晶圓形貌測(cè)量。SpectraShape8810/8660:可以對(duì)32納米及以下的集成電路進(jìn)行光學(xué)CD測(cè)量和晶圓形貌測(cè)量。請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露5ArcherArcher系列SpectraShape系列VoyagerVoyager系列PWG系列39003900系列PUMA系列eDReDR7000系列光光學(xué)散射-套刻測(cè)量關(guān)鍵尺寸和晶圓形貌測(cè)量激激光-有圖形明場(chǎng)缺陷檢測(cè)光學(xué)-晶圓幾何形貌測(cè)量有有圖形缺陷檢測(cè)激光-有圖形暗場(chǎng)缺陷檢測(cè)電子束電子束-缺陷檢查系統(tǒng)Archer600憑借新型的成像測(cè)量技術(shù)和彈性的工藝目標(biāo)設(shè)計(jì)，能夠?qū)Σ煌に噷?、器件類型、設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)的多種結(jié)構(gòu)(多層材料結(jié)構(gòu)，芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu))進(jìn)行套刻測(cè)量。ATL:基于散射測(cè)量的套刻測(cè)量系統(tǒng)，可以支持7納米及以下設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)的高精度套刻量測(cè)。Archer500:基于雙重成像和散射的測(cè)量模塊，可以為2Xnm/1Xnm設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)的存儲(chǔ)器進(jìn)行高性能和低成本的套刻誤差測(cè)量。SpectraShape10K:可以對(duì)1Xnm及以下的FinFET、多層疊堆3DNAND的關(guān)鍵尺寸(CD)和三維形貌進(jìn)行測(cè)量和監(jiān)控。設(shè)備采用各種光學(xué)技術(shù)和獨(dú)特算法，可以測(cè)量包括臨界尺寸，金屬柵極凹槽，high-k凹槽，側(cè)壁角度,光阻高度，硬光罩高度，間距偏移在內(nèi)的各種參數(shù)。SpectraShape9000:可以對(duì)20納米及以下的集成電路進(jìn)行光學(xué)CD測(cè)量和晶圓形貌測(cè)量。SpectraShape8810/8660:可以對(duì)32納米及以下的集成電路進(jìn)行光學(xué)CD測(cè)量和晶圓形貌測(cè)量。Voyager1015激光掃描檢測(cè)系統(tǒng)適用于浸沒式(193i)和EUV光刻工藝的顯影后檢測(cè)(ADI)，因?yàn)檫@一工藝步驟下的晶圓仍可進(jìn)行返工。針對(duì)先進(jìn)制程的ADI層上間距緊密的圖案，Voyager1015采用DUV激光、新光學(xué)設(shè)計(jì)、高采集立體度，提供了檢測(cè)所需的高靈敏度。PWG5:具有高分辨率和高密度采樣，可以測(cè)量3DNAND多層疊堆結(jié)構(gòu)中，薄膜應(yīng)力引起的晶圓曲翹等形狀變化、晶圓厚度變化、晶圓正面和背面的形貌變化。設(shè)備具有高靈敏度，可同時(shí)測(cè)量晶圓正面和背面與平面度的任何偏差，在線測(cè)量速度和分辨率也可支持先進(jìn)的DRAM和邏輯電路的生產(chǎn)。392x系列寬光帶等離子缺陷檢測(cè)系統(tǒng)，配備深紫外(SR-DUV)波段光源、新型傳感器、pixel-point和nano-cell設(shè)計(jì)識(shí)別算法，具有超分辨率。392x型設(shè)備對(duì)特殊類型缺陷具有高靈敏度的捕獲能力，可以為≤7納米設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)的邏輯電路及先進(jìn)存儲(chǔ)器制造，提供晶圓級(jí)別的缺陷檢測(cè)、良率改進(jìn)、在線監(jiān)測(cè)服務(wù)。392x系列還配有先進(jìn)的pixe·lopoin和nano·cell設(shè)計(jì)認(rèn)知算法，能夠在對(duì)良率關(guān)鍵的圖案位置捕獲缺陷并對(duì)其分類。3900and3905:寬光譜等離子晶圓缺陷檢測(cè)儀，針對(duì)10nm及以下的邏輯和高級(jí)內(nèi)存器件進(jìn)行針對(duì)影響良率的關(guān)鍵缺陷的檢測(cè)。PumaPuma9980激光掃描檢測(cè)系統(tǒng)增強(qiáng)了多項(xiàng)靈敏度，能實(shí)現(xiàn)對(duì)多重模板工藝圖案等圖案層缺陷的捕獲。設(shè)備采用了Nano-Poin這一設(shè)計(jì)解析功能，提升了缺陷檢測(cè)靈敏度、更好的系統(tǒng)性噪音分離、更高的缺陷定位精度。Puma9850:為2X/1Xnm內(nèi)存和邏輯器件提供全芯片缺陷檢測(cè)(Die)區(qū)域的高靈敏度偏移監(jiān)控。Puma9650:為≤28nm的內(nèi)存和邏輯器件提供全芯片(Die)區(qū)域的高性能偏移監(jiān)控。Puma9500:為≤32nm的內(nèi)存和邏輯設(shè)備提供高性能的偏C財(cái)通電子研究移監(jiān)控。eDR7380電子束缺陷檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)備內(nèi)置多種電子光學(xué)元件和專用的鏡頭內(nèi)探測(cè)器，能實(shí)現(xiàn)對(duì)脆弱的EUV光刻層、高寬比溝槽層、電壓對(duì)比層等各種結(jié)構(gòu)中缺陷的高分辨率可視化，采用的Simu1-6技術(shù)可以通過一-次電子束檢測(cè)生成完整D0I(關(guān)注缺陷)柱狀分部圖，從而精確定位缺陷根源并迅速檢測(cè)工藝偏差。此外，設(shè)備能與寬光譜圖案檢測(cè)儀或裸片晶圓檢測(cè)儀進(jìn)行數(shù)據(jù)連接與通信，從而加速良率改進(jìn)。eDR7280:采用第五代電子束浸沒光學(xué)元件的電子束晶圓缺陷檢和分類系統(tǒng)，適用于≤16nm設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)的IC開發(fā)和生產(chǎn)。資料來源:KLA官網(wǎng)，信達(dá)證券研發(fā)中心部分細(xì)分領(lǐng)域(晶圓形貌檢測(cè)、無圖形晶圓檢測(cè)、有圖形晶圓檢測(cè)領(lǐng)域)甚至可實(shí)現(xiàn)壟請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露6KLAAMATHitachiNanoHermesMicrovisonNava其他資料來源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，信達(dá)證券研發(fā)中心RKLA貢獻(xiàn)自2019年以來持續(xù)位列四大部門之首，收入占比穩(wěn)定在2500%2000%1500%1000%2500%2000%1500%1000%500%0%-500%2020-042021-042021-072022-042017-072018-012019-042021-012022-012023-012022-072019-072017-012017-042018-042019-012020-012020-072018-072014-012014-072011-072020-042021-042021-072022-042017-072018-012019-042021-012022-012023-012022-072019-072017-012017-042018-042019-012020-012020-072018-072014-012014-072011-072011-012013-072013-012012-072015-012015-042015-072011-042010-072012-012010-042010-012012-042013-042014-042016-072016-012016-04資料來源：Wind，信達(dá)證券研發(fā)中心(截至2023年2月2日)請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露7圖3：海外半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)收入(億美元)KLAC.OASML.OAMAT.O3002001000資料來源：wind，信達(dá)證券研發(fā)中心圖4：海外半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)凈利潤(億美元)KLAC.OASML.OAMAT.O806040200資料來源：wind，信達(dá)證券研發(fā)中心A趨勢(shì)。這一方面反映出近年來市場(chǎng)對(duì)于過程工藝控制設(shè)備及其相關(guān)服務(wù)的重視程度不斷盛，同時(shí)推斷此類設(shè)備的綜合盈利能力較高。KLAC.OASML.OAMAT.O70%65%60%55%50%45%40%35%30%資料來源：wind，信達(dá)證券研發(fā)中心圖6：海外半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)凈利率情況(%)40%35%30%25%20%15%10%5%0%KLAC.OASML40%35%30%25%20%15%10%5%0%資料來源：wind，信達(dá)證券研發(fā)中心KLA營銷及相關(guān)服務(wù)業(yè)務(wù)，公司不僅利用分析晶圓制造過程中的缺陷及計(jì)量問題，同時(shí)可為客戶提供信息及服務(wù)，幫助客戶更讀數(shù)據(jù)并分析生產(chǎn)線及制造工藝中的問題，這種良率管理的服務(wù)有助于進(jìn)一步幫助企進(jìn)一步構(gòu)建更高的生態(tài)壁壘，此類提供產(chǎn)品加服務(wù)的商業(yè)模式更是坡長的優(yōu)勢(shì)賽道，有助于與客戶建立深入的長期關(guān)系。這也為其他半導(dǎo)體設(shè)備廠商提供可思路，各企業(yè)不僅要在核心競爭產(chǎn)品的技術(shù)質(zhì)量上進(jìn)一步有所提升，同時(shí)需配備靈活請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露8空間廣闊，行業(yè)發(fā)展?jié)摿ψ鉇SMI對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備細(xì)分市場(chǎng)占有率分析，過程診斷設(shè)備(檢測(cè)/量測(cè)設(shè)備)在較大需求缺口，市場(chǎng)規(guī)模具備較大成長空間。圖7：2021-2024全球晶圓廠前道設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)(億美元)1000900800700600500400300200100020212022F2023F2024F資料來源：SEMI，信達(dá)證券研發(fā)中心光刻刻蝕&清洗沉積過程診斷其他晶圓制程組裝測(cè)試資料來源：ASMI，TechInsight，信達(dá)證券研發(fā)中心請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露9，國產(chǎn)需求迫在眉睫電路芯片的制造過程中，幾乎每一環(huán)節(jié)都需要工藝檢測(cè)設(shè)備的加入。根據(jù)量測(cè)/檢測(cè)道制造過程中，工藝檢測(cè)設(shè)備需要對(duì)生產(chǎn)過程中每一環(huán)節(jié)的產(chǎn)出品均進(jìn)行無損傷的定量及缺陷檢測(cè)工序，以確保圓片在進(jìn)入下一道工藝前的各項(xiàng)參數(shù)及性能可以達(dá)到相關(guān)要求，對(duì)于后續(xù)可能出現(xiàn)缺陷的圓片進(jìn)行分類同時(shí)剔除不合格的產(chǎn)品，確保制造過程項(xiàng)目項(xiàng)目注入擴(kuò)散金屬薄膜電解質(zhì)薄膜拋光刻蝕曝光膜厚√√√√√√膜應(yīng)力√√√折射率√√參雜濃度√√關(guān)鍵尺寸(CD)√√臺(tái)階覆蓋√√套刻標(biāo)記√-電壓特性√接觸角度√的厚度及均勻度會(huì)最終影響產(chǎn)品的性能，因此生產(chǎn)過程中需實(shí)時(shí)檢測(cè)薄膜的厚度及其參數(shù)指標(biāo)的情況，確保產(chǎn)品良率客觀。目前基于多界面光學(xué)干涉原理的光學(xué)薄膜測(cè)量際操作過程中，對(duì)光譜的測(cè)量方式中最常用的是橢圓偏振技術(shù)，光源發(fā)出的光以一定入射圓片表面，最終接收端通過對(duì)反射光的分析得出最終結(jié)果，得益于較高的精確度穩(wěn)定性，可適應(yīng)目前的復(fù)雜多層膜結(jié)構(gòu)及超薄膜結(jié)構(gòu)的測(cè)量。未來隨著芯片制程精度的，芯片上的可監(jiān)控范圍不斷縮小、薄膜種類進(jìn)一步增多，對(duì)光學(xué)薄膜測(cè)量設(shè)備的要求資料來源：頤光科技官網(wǎng)，信達(dá)證券研發(fā)中心請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露10探針在圓片表面劃過，形貌的數(shù)據(jù)信號(hào)便可傳遞到終端設(shè)備，當(dāng)遇得到有起伏的信號(hào)輸出結(jié)果。但此類設(shè)備未來需考慮如何減少探針問題以及探針頭本身的損傷問題，同時(shí)由于探針頭較為堅(jiān)硬的，對(duì)資料來源：《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》(王陽元主編)，信達(dá)證券研發(fā)中心CD量設(shè)備：在集成電路芯片中，柵極的尺寸精確度尤為重要，在光刻和刻蝕工藝后要求柵極尺寸基本不發(fā)生變化，作為電路中最微小的結(jié)構(gòu)，柵極的細(xì)微變化會(huì)對(duì)整體性能產(chǎn)生巨大影響，此時(shí)便需要對(duì)關(guān)鍵尺寸進(jìn)行測(cè)量。該功能主要通過電子顯微鏡(CD-SEM)實(shí)現(xiàn)，該設(shè)備可利用電子束移動(dòng)快速且精準(zhǔn)的識(shí)別圖形進(jìn)而完成線寬的測(cè)資料來源：《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》(王陽元主編)，信達(dá)證券研發(fā)中心標(biāo)圖形的數(shù)字化圖像，進(jìn)而利用數(shù)字圖像處理算法得出每一層套刻目標(biāo)圖形的邊界差。由于套刻測(cè)量存在系列誤差，例如由測(cè)量系統(tǒng)引發(fā)的圖形位移、帶測(cè)圓片引發(fā)資料來源：《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》(王陽元主編)，信達(dá)證券研發(fā)中心請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露11造工藝中的缺陷檢測(cè)設(shè)備主要是對(duì)圓片表面的顆粒及殘留異物的檢缺陷檢查。包含無圖形的表面缺陷檢測(cè)及有圖形的表面缺形表面缺陷檢測(cè)設(shè)備：無圖形缺陷檢測(cè)主要用于檢測(cè)制造過程中物料的品質(zhì)問題、薄圓片表面，通過采集散射光或者反射光，再利用算法提取并比對(duì)表面是否存在缺陷問目前為配合采取更高的靈敏度檢測(cè)，需要采用更短的光學(xué)波長，目前研發(fā)多采用深紫紫外波段的激光器作為照明光源。未來可進(jìn)一步結(jié)合多光源照明與信息提取的算法優(yōu)升檢測(cè)速度與靈敏度，同時(shí)需優(yōu)化采集通道的分布及其孔徑大小，進(jìn)一步優(yōu)化采集信資料來源：《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》(王陽元主編)，信達(dá)證券研發(fā)中心有圖形表明缺陷檢測(cè)設(shè)備：有圖形缺陷檢測(cè)是對(duì)刻蝕圖形直接進(jìn)行缺陷檢測(cè)的設(shè)備。當(dāng)前圖形檢測(cè)設(shè)備大致分為光學(xué)檢測(cè)和電子束檢測(cè)兩種主要技術(shù)的應(yīng)用設(shè)備。其中光學(xué)檢主要原理是將激光光束照在圓片上，通過圓片的轉(zhuǎn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)全掃描，如果在掃描過程中束缺陷檢測(cè)則是利用聚焦電子束對(duì)圓片表面進(jìn)行掃描，通過接受反射的二次電子進(jìn)而轉(zhuǎn)換為圖像，通過比對(duì)得出刻蝕或者曝光工藝后的缺陷問題。電子束設(shè)備相較于光學(xué)優(yōu)劣。未來，如何進(jìn)一步提升電子束掃描的速度是重要的研究課題，目前大致方向包括資料來源：《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》(王陽元主編)，信達(dá)證券研發(fā)中心請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露12各類檢測(cè)/量測(cè)設(shè)備技術(shù)同源性、通用性強(qiáng)，龍頭值得長期看好CD測(cè)archQYResearch的報(bào)告，2020年全球半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)中，應(yīng)用光學(xué)檢測(cè)技術(shù)、X測(cè)技術(shù)的設(shè)備市場(chǎng)份額占比分別為75.2%、18.7%及2.2%。適用材料種類較少；同時(shí)當(dāng)光學(xué)元件或樣品具有去偏振效應(yīng)的時(shí)候，瓊斯矩陣無法準(zhǔn)確表克斯偏振理論，可利用矩陣描述器件的偏振特性及偏振光的傳輸，進(jìn)而推導(dǎo)出期間的偏振米光柵結(jié)構(gòu)等測(cè)量對(duì)象的幾何厚度、幾何關(guān)鍵尺寸等形貌信息以及材料光學(xué)特性的信息提看，光強(qiáng)的穩(wěn)定性可影響設(shè)備可用性、壽命等指標(biāo)，光源中所資料來源：上海精測(cè)官網(wǎng)，信達(dá)證券研發(fā)中心資料來源：上海精測(cè)官網(wǎng)，信達(dá)證券研發(fā)中心光學(xué)檢測(cè)設(shè)備能夠在前段(FEOL)和后段(BEOL)工藝階段發(fā)現(xiàn)良率缺陷，并且為光刻檢測(cè)兩大類，整體來看二者的技術(shù)較為相似，明場(chǎng)是指照明光角度與采集光角度完全或部分相同，最終成像是通過反射光形成；而暗場(chǎng)是指照明光角度與采集光角度完全不同，最終的成像是通過被圖形表面的結(jié)構(gòu)散射得到。隨著技術(shù)的發(fā)展，目前二者的差別更多體現(xiàn)在照明光路與采集光路的物理空間是否分離上。明場(chǎng)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備的發(fā)展進(jìn)一步追求更亮的光學(xué)照明、更大的數(shù)值孔徑、更大的成像視野等，使用光源包括氙燈、汞放電燈、激光。在針對(duì)不同類型圓片進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，明場(chǎng)檢測(cè)設(shè)備可利用不同的配置特征進(jìn)行多種組合，當(dāng)前設(shè)備已經(jīng)可實(shí)現(xiàn)萬種配置。暗場(chǎng)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備由于光路分離，在照明光上也有更多類型的選擇，包括激光光源、環(huán)形光、光纖照明等，整體暗場(chǎng)檢測(cè)追求更高的成像分辨率、檢測(cè)掃描速度以及更高效的噪聲控制。暗場(chǎng)光學(xué)檢測(cè)對(duì)于具有周期排列特性的請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露13打到若干確定的空間進(jìn)而放置和衍射角度對(duì)應(yīng)的矩形或者圓形光闌，便可實(shí)現(xiàn)有效遮擋從而最大程度。資料來源：KLA官網(wǎng)，信達(dá)證券研發(fā)中心設(shè)備突破有所差異，但整體而言精測(cè)電子、中科飛測(cè)、上海睿勵(lì)等龍頭企業(yè)在光學(xué)設(shè)備上優(yōu)勢(shì)更加明顯。測(cè)量及光學(xué)關(guān)鍵尺寸量測(cè)系統(tǒng)的系列產(chǎn)品；光源方面以武漢頤光為代表，在與華中科技等國內(nèi)頂尖高校合作開發(fā)后研制出各類橢偏儀，并廣泛應(yīng)用于量測(cè)設(shè)備中。m。優(yōu)勢(shì)，企設(shè)備名稱設(shè)備用途設(shè)備簡介EPROFILEEPROFILE300FDEFILM300SS/DS高性高性能膜厚及OCD測(cè)量機(jī)半導(dǎo)體單/雙模塊膜厚測(cè)量機(jī)11)支持200/300mm硅片;2)無破壞及高速檢測(cè);3)OCD測(cè)量:可進(jìn)行顯影后檢查、刻蝕后檢查等多工藝段的二維或三維樣品的關(guān)鍵尺寸特征或整體形貌測(cè)量?？蓽y(cè)量二維多晶硅柵極刻蝕、隔離槽、隔離層、雙重曝光或三維連接孔、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管、閃存等多樣品;4)使用自主開發(fā)的最新一代穆勒矩陣式膜厚&OCD測(cè)量頭，考慮被測(cè)對(duì)象的各向異性，提供測(cè)量的靈敏度;5)支持.SECS/GEM產(chǎn)線互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)。1)支持300/200mm硅片;2)占地小，使用靈活;3)專利的磁浮運(yùn)動(dòng)臺(tái)，無摩擦、高壽命;4)高可靠性:雙臺(tái)備份設(shè)計(jì);5)應(yīng)用范圍包括:刻蝕、CVD、光刻、CMP等工藝段測(cè)量;6)支持SECS/GEM產(chǎn)線互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)。請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露14EFILMEFILM200FUEFILM300IM倒置型膜厚測(cè)量倒置型膜厚測(cè)量機(jī)集成式膜厚測(cè)量機(jī)1)1)倒絡(luò)工作臺(tái)設(shè)計(jì)，防止顆粒污染，和蒸鍍工藝線無縫連接;2)能實(shí)現(xiàn)TFE/ETL/EMLITO各制程的光學(xué)性能測(cè)試和A即膜厚測(cè)量;3)30um微光斑，高橫向分辨率;4)對(duì)蒸鍍過程中進(jìn)行對(duì)位校準(zhǔn)，監(jiān)控厚度均勻性;5)使自主開發(fā)的最新一代穆勒矩陣式膜厚&OCD測(cè)量頭，滿足檢測(cè)EM工藝中多項(xiàng)異性膜厚檢測(cè)，提供測(cè)量的靈敏度;6)全N2環(huán)境使用，杜絕水氧，機(jī)臺(tái)內(nèi)部無污染氣體釋放。1)支持300/200mm硅片;2)業(yè)界獨(dú)有的高精度微型化橢偏式膜厚量測(cè)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)薄膜高精度測(cè)量;3)設(shè)計(jì)為集成在半導(dǎo)體工藝制程設(shè)備上提供及時(shí)膜厚監(jiān)控，實(shí)現(xiàn)工藝和檢測(cè)的閉環(huán);4)專利的磁浮運(yùn)動(dòng)臺(tái)，無摩擦、高壽命;5)體積小巧:標(biāo)準(zhǔn)LoadPort尺寸和安裝接口;6)應(yīng)用范圍包括刻蝕、CVD、光刻、CMP等工藝段測(cè)量資料來源：上海精測(cè)官網(wǎng)，信達(dá)證券研發(fā)中心設(shè)備名稱設(shè)備用途設(shè)備簡介SESE-VE光譜橢偏儀ME-L穆勒矩陣橢偏儀SESE-m光譜橢偏儀可可一鍵快速測(cè)量表征各式光學(xué)薄膜膜厚以及光學(xué)常數(shù)等可應(yīng)用于各種各向同性/異性薄膜材料膜厚、光學(xué)納米光柵常數(shù)以及一維/二維納米光柵材料結(jié)構(gòu)的表征分析，代表當(dāng)今橢偏行業(yè)高精尖技術(shù)可應(yīng)用透明各類襯底上的減反膜、導(dǎo)電膜等薄膜的n/k/d測(cè)量，完美適用于微區(qū)圖形的各種光學(xué)參數(shù)解析。采用高性能進(jìn)口復(fù)合光源，光譜覆蓋可見到近紅外范圍(400-800nm)；高精度旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器調(diào)制、PCRSA配置，實(shí)現(xiàn)Psi/Delta光譜數(shù)據(jù)高速采集；數(shù)百種材料數(shù)據(jù)庫、多種算法模型庫，涵蓋了目前絕大部分的光電材料；采用氘燈和鹵素?zé)魪?fù)合光源，光譜覆蓋紫外到近紅外范圍(193-2500nm)；可實(shí)現(xiàn)穆勒矩陣數(shù)據(jù)處理，測(cè)量信息量更大，測(cè)量速度快、數(shù)據(jù)更加精準(zhǔn)；基于雙旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器配置，可一次測(cè)量獲得全穆勒矩陣的16個(gè)元素，相對(duì)傳統(tǒng)光譜橢偏儀可獲取更加豐富全面測(cè)量信息；頤光核心技術(shù)確保在寬光譜范圍內(nèi)，提供優(yōu)質(zhì)穩(wěn)定的各波段光譜；數(shù)百種材料數(shù)據(jù)庫、多種算法模型庫，涵蓋了目前絕大部分的光電材料；集成對(duì)納米光柵的分析，可同時(shí)測(cè)量分析納米結(jié)構(gòu)周期、線寬、線高、側(cè)壁角、粗糙度等幾何形貌信息；可定制光斑尺寸，最小可達(dá)可定制光斑尺寸，最小可達(dá)30um；超快測(cè)量，單次測(cè)量時(shí)間小于0.5秒；系列配置靈活，支持功能定制設(shè)計(jì)；結(jié)構(gòu)緊湊，更適應(yīng)在線集成測(cè)量.資料來源：頤光科技官網(wǎng)，信達(dá)證券研發(fā)中心設(shè)備名稱設(shè)備用途設(shè)備簡介TFX3000P光學(xué)膜測(cè)量設(shè)備TFX3000P是應(yīng)用于12英寸大規(guī)模集成電路前端生產(chǎn)線上的薄膜厚度測(cè)量設(shè)備，該產(chǎn)品已成功銷售給國內(nèi)和國外知名眾多集成電路制造公司。該系列設(shè)備具有高精度，高產(chǎn)能，高性價(jià)比的特點(diǎn)，設(shè)備穩(wěn)定可靠，性能與國外同類設(shè)備相當(dāng)，甚至部分領(lǐng)先。TFX4000ETFXTFX4000i光學(xué)膜測(cè)量設(shè)備光學(xué)薄膜測(cè)量設(shè)光學(xué)薄膜測(cè)量設(shè)備應(yīng)用于應(yīng)用于12英寸大規(guī)模集成電路前端、化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線，可量測(cè)透明或半透明介質(zhì)材料、金屬硅化物、金屬氧化物等半導(dǎo)體材料薄膜，提供薄膜可靠和精確的厚度、折射率、成分比率和應(yīng)力測(cè)量，輸出產(chǎn)能高，具有較高的性價(jià)比可量測(cè)范圍更寬廣，超厚膜和超薄膜量測(cè)能力更穩(wěn)定，全新橢圓偏振光路設(shè)計(jì)，機(jī)械運(yùn)動(dòng)性能可靠，穩(wěn)定性表現(xiàn)卓越，具有性能強(qiáng)大的圖像識(shí)別功能，全面支持工廠自動(dòng)化要求。應(yīng)用于12英寸大規(guī)模集成電路前端、化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線，可量測(cè)透明或半透明介質(zhì)材料、金屬硅化物、金屬氧化物等半導(dǎo)體材料薄膜，提供薄膜可靠和精確的厚度、折射率、成分比率和應(yīng)力測(cè)量，輸出產(chǎn)能高，具有較高的性價(jià)比，可量測(cè)范圍更寬廣，超薄膜量測(cè)能力更穩(wěn)定，機(jī)械運(yùn)動(dòng)性能可靠，穩(wěn)定性表現(xiàn)卓越。請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露15TFX3200光學(xué)薄膜測(cè)量設(shè)備應(yīng)用于8英寸大規(guī)模集成電路前端生產(chǎn)線，具備與12英寸膜厚測(cè)量設(shè)備相同的測(cè)量性能和設(shè)備穩(wěn)定性。與同類型其他設(shè)備相比，產(chǎn)能領(lǐng)先1倍以上，擁有極高的性價(jià)比。資料來源：上海睿勵(lì)官網(wǎng)，信達(dá)證券研發(fā)中心設(shè)備名稱設(shè)備簡介3D輪廓量測(cè)系統(tǒng)主要應(yīng)用于3D曲面玻璃等構(gòu)件的輪廓、弧高、厚度、尺寸測(cè)量，采用光譜共焦技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高精度、高速度的非接觸式測(cè)量。搭載可配置的全自動(dòng)測(cè)量軟件工具和完整的測(cè)試及結(jié)果分析界面三維封裝量測(cè)系統(tǒng)主要應(yīng)用于晶圓上的納米級(jí)三維形貌測(cè)量、雙/多層薄膜厚度測(cè)量、關(guān)鍵尺寸和偏移量測(cè)量，配合圖形晶圓智能化特征識(shí)別和流程控制、晶圓傳片和數(shù)據(jù)通訊等自動(dòng)化平臺(tái)資料來源：中科飛測(cè)招股說明書，信達(dá)證券研發(fā)中心上海精積微(精測(cè)電子孫公司)目前已公布了相應(yīng)的研發(fā)計(jì)劃，相應(yīng)產(chǎn)品研發(fā)成功后在擴(kuò)善國內(nèi)檢測(cè)設(shè)備供應(yīng)布局。設(shè)備名稱設(shè)備名稱spruce-600設(shè)備用途設(shè)備用途晶圓表面缺陷檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)備簡介設(shè)備簡介主要包括Bare_Si晶圓、Poly_Si晶圓、介質(zhì)薄膜表面晶圓(Oxide、Nitride)、CMP研磨晶圓和金屬表面晶圓：1)非圖形晶圓表面的缺陷類型及空間分布2)污染顆粒和異常微觀表面分類(突起、凹坑、晶格缺陷、劃傷等)產(chǎn)品特點(diǎn)：.自主研發(fā)的全晶圓表面的納米量級(jí)的顆粒和污染檢測(cè)技術(shù).線陣相機(jī)掃描，可配置裸硅片或圖形片暗場(chǎng)掃描.最優(yōu)空間分辦率：10um.全自動(dòng)化設(shè)備和SEM!標(biāo)準(zhǔn)通訊協(xié)議.200mm/300mm可配置設(shè)備名稱設(shè)備用途設(shè)備簡介FSDFSD100c&.150cFSDFSD150sFSD150e&.FSD150iFSD100e缺缺陷檢測(cè)設(shè)備缺陷檢測(cè)設(shè)備缺缺陷檢測(cè)設(shè)備缺陷檢測(cè)設(shè)備FSD100c&150c是睿勵(lì)科學(xué)儀器(上海)有限公司專為LED、化合物半導(dǎo)體以及光通訊領(lǐng)域中的有圖形晶圓(COW)的外觀缺陷檢測(cè)開發(fā)的A0I設(shè)備，該系統(tǒng)具有高分辨率、高速、高性價(jià)比的特點(diǎn)，可按照客戶的晶圓尺寸，可定制適用于2寸、3寸、4寸、5寸及6寸有圖形晶圓(Chip0nWafer)缺陷檢測(cè)。為客戶全面控制產(chǎn)品的出貨品質(zhì)控制及生產(chǎn)過程中良率改善。FSDFSD150s是睿勵(lì)科學(xué)儀器(上海)有限公司專為LED襯底拋光片外觀缺陷檢測(cè)開發(fā)生產(chǎn)的全自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備(A0I)，適用于藍(lán)寶石襯底片(拋光片)表面缺陷檢測(cè)。為LED襯底片廠家全面控制產(chǎn)品的出貨品質(zhì)及改善生產(chǎn)過程中良率。FSD150e&FSD150i是睿勵(lì)科學(xué)儀器(上海)有限公司專為LED市場(chǎng)開發(fā)生產(chǎn)的全自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備(A0I)，適用于藍(lán)寶石圖形襯底(PSS)晶圓生產(chǎn)工藝中的表面缺陷檢測(cè)以及外延片檢測(cè)。該系統(tǒng)具有高分辨率、高速、高性價(jià)比的特點(diǎn)，并能根據(jù)檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行自動(dòng)分揀。既能為LED生產(chǎn)廠商提高生產(chǎn)效率，又可為全面良率管理提供數(shù)據(jù)。FSD150e:&FSD100i在國內(nèi)市場(chǎng)已銷售至數(shù)家客戶并獲得肯定和好評(píng)。適用于藍(lán)寶石襯底、圖形襯底、外延片和芯片等各種工藝。該系統(tǒng)具有高分辨率、高速、高性價(jià)比的特點(diǎn)，并能根據(jù)檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行自動(dòng)分揀，既能為IF生產(chǎn)日商提高生產(chǎn)效率，又可為進(jìn)行全面良率管理提供數(shù)據(jù)。請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露16D電子顯微鏡(CD-SEM)有助于進(jìn)一步提升測(cè)量精度，但CD-SEM的測(cè)量速度較慢且不利在檢測(cè)方面主要包括兩種類型：電子束缺陷檢測(cè)設(shè)備及電子束缺陷復(fù)查設(shè)備，二者關(guān)系密切，在檢測(cè)流程中分步使用。資料來源：《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》(王陽元主編)，信達(dá)證券研發(fā)中心與明/暗場(chǎng)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備相比對(duì)于圖形的物理缺陷(顆粒、突起、橋接、空穴)等有更高的分辨率，對(duì)于電壓襯度、、短路、電阻過大等缺陷也會(huì)有更高的識(shí)別度，但因?yàn)槠鋻呙璺绞綖橹瘘c(diǎn)掃描，整體I設(shè)備名稱設(shè)備用途設(shè)備簡介EBI電子束缺陷檢測(cè)設(shè)備1)面向300mm工藝制程;2)高靈敏度電性缺陷檢測(cè);3)高分辨度物理缺陷檢測(cè);4)基于DNA數(shù)據(jù)庫的高性能缺陷檢測(cè)引擎;5)靈活多元的缺陷分類算法引擎;6)采集二次電子及背散射電子信號(hào)，改善信噪比。資料來源:東方晶源官網(wǎng)，信達(dá)證券研發(fā)中心設(shè)備名稱設(shè)備用途設(shè)備簡介Review-SEM電子束缺陷復(fù)查設(shè)備12寸全自動(dòng)電子束晶圓缺陷復(fù)查設(shè)備(ReviewSEM)機(jī)臺(tái)配備了基于深度學(xué)習(xí)的高準(zhǔn)確率智能化自動(dòng)缺陷檢測(cè)與分類算法，將進(jìn)一步幫助客戶提升缺陷復(fù)查分析的效率并顯著提升設(shè)備使用的便捷性。資料來源:精測(cè)電子公眾號(hào)，信達(dá)證券研發(fā)中心請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露17突破封鎖形勢(shì)嚴(yán)峻，量測(cè)/檢測(cè)設(shè)備國產(chǎn)化成為必經(jīng)之路國內(nèi)目前正在大力推進(jìn)芯片制造產(chǎn)能的進(jìn)一步擴(kuò)張，極力提升芯片國產(chǎn)化率，鑒于量測(cè)/檢測(cè)設(shè)備對(duì)于提升良率的重要意義，整體晶圓廠產(chǎn)線的國產(chǎn)化會(huì)大幅提升國內(nèi)對(duì)于量測(cè)/檢測(cè)線的需求，因?yàn)楫a(chǎn)線的每一道工藝都有其特殊需要，此時(shí)量測(cè)/檢測(cè)設(shè)備的介入有助于完善QYResearch股份官網(wǎng)，中科飛測(cè)招股說明書，上海睿勵(lì)官網(wǎng)，東方晶源官網(wǎng)等，信達(dá)證券研發(fā)中心整理(注：上述信息為不完全整理，可能存在偏差，進(jìn)度可能落后最新情況)請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露18圖20：2010-2022KLA在中國大陸營收及同比增速(億美元，%)2050收入同比(右)150%100%50%-50%201420152016201720182019202020212022KLA信達(dá)證券研發(fā)中心請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露19的代表企業(yè)有精測(cè)電子、中科飛測(cè)、賽騰股份等。各重整體差異較大，其中精測(cè)電子已在膜厚設(shè)備獲得重復(fù)訂單；中科飛測(cè)主要圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備、圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備以及三維形貌量測(cè)設(shè)備等；賽騰股精測(cè)電子：基本實(shí)現(xiàn)量測(cè)設(shè)備全面布局，深耕技術(shù)自研在具體業(yè)務(wù)方面，公司在技術(shù)及功能層面基本實(shí)現(xiàn)前道制程的量測(cè)/檢測(cè)設(shè)備全覆蓋。其中資料來源：Wind，信達(dá)證券研發(fā)中心引進(jìn)大批技術(shù)人員，其中不乏碩士、博士。由于上海精測(cè)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)基本是從度的研發(fā)投入也在一定程度影響了精測(cè)電子的整體業(yè)績，該公司目前凈。請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露2030252050 營業(yè)收入同比(右)60%50%40%30%20%10%0%20182019202020212022Q1-Q3資料來源：Wind，信達(dá)證券研發(fā)中心圖23：精測(cè)電子業(yè)績、毛利率及凈利率變化(億元，%)3210歸母凈利潤毛利率(右)凈利率(右)60%50%40%30%20%10%0%20182019202020212022Q1-Q3資料來源：Wind，信達(dá)證券研發(fā)中心圖24：精測(cè)電子研發(fā)投入及研發(fā)費(fèi)用率(億元，%)525%20%15%10%5%43210%0研發(fā)費(fèi)用研發(fā)費(fèi)用率(右525%20%15%10%5%43210%020182019202020212022Q1-Q3資料來源：wind，信達(dá)證券研發(fā)中心圖25：上海精測(cè)營業(yè)收入及凈利潤(萬元)15000150001000050000-5000-10000-200000營業(yè)收入凈利潤 20182202020212022H1資料來源：wind，信達(dá)證券研發(fā)中心經(jīng)過前期的研發(fā)投入，精測(cè)近幾年在業(yè)務(wù)層面實(shí)現(xiàn)突破，不僅實(shí)現(xiàn)了核心零部件的深度自研，同時(shí)在系列產(chǎn)品上得到實(shí)質(zhì)性進(jìn)展，上海精測(cè)已成為國內(nèi)覆蓋面較廣、進(jìn)度領(lǐng)先的半檢測(cè)設(shè)備供應(yīng)商。具體而言，公司目前在電子束設(shè)備上已經(jīng)實(shí)現(xiàn)訂單突破；主打請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露21：部分細(xì)分品類已達(dá)到國際水平，積極探索高端路線測(cè)設(shè)備的精密控升，但由于公司整體已形成規(guī)模，研發(fā)費(fèi)用率已經(jīng)穩(wěn)定在較低水資料來源：中科飛測(cè)招股說明書，信達(dá)證券研發(fā)中心公司長期致力于高端半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，其核心三大產(chǎn)品均實(shí)現(xiàn)比肩國際備精度已實(shí)現(xiàn)亞微米量級(jí)，目前設(shè)備的靈敏度和吞吐量靈活性較高，可滿足不同客戶，公司設(shè)備與創(chuàng)新科技等國際竟品性能相當(dāng)，已在華天科技等知名封裝廠商產(chǎn)線上實(shí)無差別應(yīng)用，公司目前仍在積極研發(fā)設(shè)計(jì)納米級(jí)圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備；三維形貌量測(cè)程工藝的三維形貌測(cè)量。4.003.002.001.000.04.003.002.001.000.00-2.00營業(yè)總收入歸母凈利潤20182018年年22019年年20202020年2021年資料來源：Wind，信達(dá)證券研發(fā)中心無圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備量測(cè)設(shè)備資料來源：Wind，信達(dá)證券研發(fā)中心請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露22AOPTIMA著重開發(fā)缺陷檢測(cè)設(shè)備，其中邊緣檢測(cè)系統(tǒng)主要用于對(duì)晶圓邊緣缺陷進(jìn)行檢測(cè)和分類；背面宏觀監(jiān)測(cè)系統(tǒng)主要對(duì)晶圓背面的缺陷/污染進(jìn)行高靈敏度檢測(cè)，并對(duì)器件制造過的各種晶圓邊緣/雙面缺陷；針孔缺陷檢測(cè)設(shè)備利用紅外線技術(shù)檢測(cè)晶體生長產(chǎn)生的內(nèi)部或背面針孔缺陷。替代性的緊迫需請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露23場(chǎng)規(guī)模來自晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)，若晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度減緩，將影風(fēng)險(xiǎn)。請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露24研究團(tuán)隊(duì)簡介莫文宇，畢業(yè)于美國佛羅里達(dá)大學(xué)，電子工程碩士，2012-2022年就職于長江證券研究所，2022年入職信達(dá)證券研發(fā)中心，任副所長、電子行業(yè)首席分析師。郭一江，電子行業(yè)研究員。本科蘭州大學(xué)，研究生就讀于北京大學(xué)化學(xué)專業(yè)。2020年8月入職華創(chuàng)證券電子組，后于2022年11月加入信達(dá)證券電子組，研究方向?yàn)楣鈱W(xué)、消費(fèi)電子、汽車電子等。韓字杰，電子行業(yè)研究員。華中科技大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)學(xué)士、香港中文大學(xué)碩士。研究方向?yàn)榘雽?dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料、集成電路設(shè)計(jì)。機(jī)構(gòu)銷售聯(lián)系全國銷售總監(jiān)韓秋anqiuyue@華北區(qū)銷售總監(jiān)陳明henmingzhen@華北區(qū)銷售副總監(jiān)uejiacheng@華北區(qū)銷售祁麗iliyuan@華北區(qū)銷售陸禹uyuzhou@華北區(qū)銷售魏eichong@華北區(qū)銷售樊/p>