PNP型三極管 (2)課件

第5章半導(dǎo)體器件５.1晶體二極管５.２晶體三極管５.３場效應(yīng)管５.４晶閘管第5章半導(dǎo)體器件學(xué)習(xí)要點(diǎn)二極管的工作原理、伏安特性、主要參數(shù)三極管的放大作用、輸入和輸出特性曲線及主要參數(shù)晶體二極管、三極管的識別與簡單測試場效應(yīng)管和晶閘管的工作原理、伏安特性、主要參數(shù)5.1晶體二極管概述導(dǎo)體：很容易導(dǎo)電的物體，如金、銀、銅、鐵等。絕緣體：不容易導(dǎo)電或者完全不導(dǎo)電的物體，如塑料、橡膠、陶瓷、玻璃等。半導(dǎo)體：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，如硅(Si)、鍺(Ge)、金屬氧化物等。硅和鍺是4價(jià)元素，原子的最外層軌道上有4個價(jià)電子。5.1.1半導(dǎo)體的特性在純凈半導(dǎo)體硅或鍺（4價(jià)）中摻入磷、砷等5價(jià)元素，由于這類元素的原子最外層有5個價(jià)電子，故在構(gòu)成的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)中，由于存在一個多余的價(jià)電子而產(chǎn)生大量自由電子，這種半導(dǎo)體主要靠自由電子導(dǎo)電，稱為電子半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體，其中自由電子為多數(shù)載流子，熱激發(fā)形成的空穴為少數(shù)載流子。（1）N型半導(dǎo)體自由電子

多數(shù)載流子（簡稱多子）空穴少數(shù)載流子（簡稱少子）2、Ｐ型半導(dǎo)體和Ｎ型半導(dǎo)體（2）P型半導(dǎo)體在純凈半導(dǎo)體硅或鍺（4價(jià)）中摻入硼、鋁等3價(jià)元素，由于這類元素的原子最外層只有3個價(jià)電子，故在構(gòu)成的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)中，由于缺少價(jià)電子而形成大量空穴，這類摻雜后的半導(dǎo)體其導(dǎo)電作用主要靠空穴運(yùn)動，稱為空穴半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體，其中空穴為多數(shù)載流子，熱激發(fā)形成的自由電子是少數(shù)載流子。自由電子

多數(shù)載流子（簡稱多子）空穴少數(shù)載流子（簡稱少子）無論是P型半導(dǎo)體還是N型半導(dǎo)體都是中性的，通常對外不顯電性。摻入的雜質(zhì)元素的濃度越高，多數(shù)載流子的數(shù)量越多。只有將兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體做成PN結(jié)后才能成為半導(dǎo)體器件。

多子擴(kuò)散

形成空間電荷區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場

少子漂移促使阻止

擴(kuò)散與漂移達(dá)到動態(tài)平衡形成一定寬度的PN結(jié)①外加正向電壓（也叫正向偏置）外加電場與內(nèi)電場方向相反，內(nèi)電場削弱，擴(kuò)散運(yùn)動大大超過漂移運(yùn)動，N區(qū)電子不斷擴(kuò)散到P區(qū)，P區(qū)空穴不斷擴(kuò)散到N區(qū)，形成較大的正向電流，這時稱PN結(jié)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。2．PN結(jié)的單向?qū)щ娦?PN結(jié)加反向電壓（反向偏置）外電場內(nèi)電場PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－–+（1）正向特性（導(dǎo)通）外加正向電壓小于開啟電壓（閾值電壓）時，外電場不足以克服內(nèi)電場對多子擴(kuò)散的阻力，PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。正向電壓大于閾值電壓后，正向電流隨著正向電壓增大迅速上升。通常閾值電壓硅管約為0.5V，導(dǎo)通時電壓0.6V；鍺管閾值電壓約為0.2V，導(dǎo)通時電壓0.3V。外加反向電壓時，PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。1、溫升使反向電流增加很快；2、反向電流

很小且穩(wěn)定。

（2）反向特性（截止）5.1.3晶體二極管的伏安特性（3）反向擊穿反向電壓大于擊穿電壓（UBR）時，反向電流急劇增加。原因?yàn)殡姄舸?、強(qiáng)外電場破壞鍵結(jié)構(gòu)；2、獲得大能量的載流子碰撞原子產(chǎn)生新的電子空穴對。如無限流措施，會造成熱擊穿而損壞。（1）最大整流電流IM：指管子長期運(yùn)行時，允許通過的最大正向平均電流。（2）反向擊穿電壓UBR：指管子反向擊穿時的電壓值。（3）最大反向工作電壓URM：二極管運(yùn)行時允許承受的最大反向電壓（約為UBR的一半）。（4）最大反向電流IRM：指管子未擊穿時的反向電流，其值越小，則管子的單向?qū)щ娦栽胶?。?）最高工作頻率fm：主要取決于PN結(jié)結(jié)電容的大小。理想二極管：正向?qū)〞r為短路特性，正向電阻為零，正向壓降忽略不計(jì)；反向截止時為開路特性，反向電阻為無窮大，反向漏電流忽略不計(jì)。5.1.4半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)電路如圖，求：UABV陽=－6VV陰=－12VV陽>V陰二極管導(dǎo)通若忽略管壓降，二極管可看作短路，UAB=－6V否則，UAB低于－6V一個管壓降，為－6.3Ｖ或－6.7V例1：

取B點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷開二極管，分析二極管陽極和陰極的電位。在這里，二極管起鉗位作用。D6V12V3kBAUAB+–２、發(fā)光二極管（LED）當(dāng)發(fā)光二極管的PN結(jié)加上正向電壓時，電子與空穴復(fù)合過程以光的形式放出能量。不同材料制成的發(fā)光二極管會發(fā)出不同顏色的光。發(fā)光二極管具有亮度高、清晰度高、電壓低（1.5～3V）、反應(yīng)快、體積小、可靠性高、壽命長等特點(diǎn)，是一種很有用的半導(dǎo)體器件，常用于信號指示、數(shù)字和字符顯示。6.1.7半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù) 半導(dǎo)體器件品種繁多，特性不一，為了便于分類和識別， 對不同類型的半導(dǎo)體器件應(yīng)用不同的符號來表示。 （按照國家標(biāo)準(zhǔn)GB249—74規(guī)定，國產(chǎn)二極管的型號由五部分組成，見表5.1）5.1.6晶體二極管的型號命名

表5.1晶體二極管的型號命名例如：２ＣＫ８４表示開關(guān)硅二極管NPN型PNP型基區(qū)：最薄，摻雜濃度最低發(fā)射區(qū)：摻雜濃度最高發(fā)射結(jié)集電結(jié)BECNNP基極發(fā)射極集電極結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：集電區(qū)：面積最大5.2.2晶體三極管三個電極間的電流關(guān)系和電流放大作用實(shí)驗(yàn)表明IC比IB大數(shù)十至數(shù)百倍，因而有IC近似等于IE。IB雖然很小，但對IC有控制作用，IC隨IB的改變而改變，即基極電流較小的變化可以引起集電極電流較大的變化，表明基極電流對集電極具有小量控制大量的作用，這就是三極管的電流放大作用。5.2.3三極管的特性曲線（NPN）1．輸入特性曲線與二極管加正向電壓類似發(fā)射極是輸入回路、輸出回路的公共端共發(fā)射極電路輸入回路輸出回路測量晶體管特性的實(shí)驗(yàn)線路ICEBmAAVUCEUBERBIBECV++––––++2．輸出特性曲線（1）放大區(qū)：發(fā)射極正向偏置，集電結(jié)反向偏置（2）截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)反向偏置

（3）飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)正向偏置IB<0以下區(qū)域?yàn)榻刂箙^(qū)，有IC0

。

當(dāng)UCEUBE時，晶體管工作于飽和狀態(tài)。

在放大區(qū)有IC=IB

，也稱為線性區(qū)，具有恒流特性。5.3場效應(yīng)晶體管（FET）

場效應(yīng)管也是一種由PN結(jié)組成的半導(dǎo)體，因是利用電場效應(yīng)來控制電流的故稱為場效應(yīng)管。和TTL比較，其主要特點(diǎn)是：輸入電阻大；受溫度影響小，熱穩(wěn)定性好；噪聲低；易于集成化。因而獲得廣泛運(yùn)用。

按內(nèi)部結(jié)構(gòu)的不同，分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場效應(yīng)管（IGFET）二大類。最常用的絕緣柵型場效應(yīng)管是由金屬-氧化物-半導(dǎo)體材料構(gòu)成，簡稱MOS管。由P溝道、N溝道構(gòu)造的PMOS和NMOS二種類型。其中每一類型又分增強(qiáng)型和耗盡型兩種。(CMOS是由PMOS和NMOS管組成的互補(bǔ)對稱的集成電路）增強(qiáng)型：UGS=0，不存在導(dǎo)電溝道，ID=0。耗盡型：UGS=0，存在導(dǎo)電溝道，ID=0。耗盡型GSDGSD增強(qiáng)型N溝道P溝道GSDGSDN溝道P溝道G、S之間加一定電壓才形成導(dǎo)電溝道在制造時就具有原始導(dǎo)電溝道5.3.1

絕緣柵型場效應(yīng)管(IGFET)的結(jié)構(gòu)耗盡型：UGS=0時漏、源極之間已經(jīng)存在原始導(dǎo)電溝道。增強(qiáng)型：UGS=0時漏、源極之間才能形成導(dǎo)電溝道。無論是N溝道MOS管還是P溝道MOS管，都只有一種載流子導(dǎo)電，均為單極型電壓控制器件。MOS管的柵極電流幾乎為零，輸入電阻RGS高達(dá)1015Ω增強(qiáng)型場效應(yīng)管不存在原始導(dǎo)電溝道，UGS=0時場效應(yīng)管不能導(dǎo)通，ID=0。UGS>0時會產(chǎn)生垂直于襯底表面的電場。P型襯底與絕緣層的界面將感應(yīng)出負(fù)電荷層，UGS增加，負(fù)電荷數(shù)量增多，積累的負(fù)電荷足夠多時，兩個N+區(qū)溝通，形成導(dǎo)電溝道，在一定的漏、源電壓UDS下，漏、源極之1、N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管的特性曲線按場效應(yīng)管的工作情況可將漏極特性曲線分為兩個區(qū)域。在虛線左邊的區(qū)域內(nèi)，漏、源電壓UDS相對較小，漏極電流ID隨UDS的增加而增加，輸出電阻ro較小，且可以通過改變柵、源電壓UGS的大小來改變輸出電阻ro的阻值，這一區(qū)域稱為非飽和區(qū)（可變電阻區(qū)）。在虛線右邊的區(qū)域內(nèi)，當(dāng)柵、源電壓UGS為常數(shù)時，漏極電流ID幾乎不隨漏、源電壓UDS的變化而變化，輸出電阻ro很大，UGD使溝道夾斷，曲線趨于與橫軸平行，在柵、源電壓UGS增大時，漏極電流ID隨UGS線性增大，這一區(qū)域稱為飽和區(qū)（放大區(qū)）。綜上所述，場效應(yīng)管的漏極電流ID受柵、源電壓UGS的控制，即ID隨UGS的變化而變化，所以場效應(yīng)管是一種電壓控制器件。場效應(yīng)管柵、源電壓UGS對漏極ID控制作用的大小用跨導(dǎo)gm表示：間有ID出現(xiàn)。使管子由不導(dǎo)通轉(zhuǎn)為導(dǎo)通的臨界柵、源電壓稱為開啟電壓UGS(th)。UGS<UGS(th)時，ID=0；UGS>UGS(th)時，隨UGS的增加ID增大。2、N溝道耗盡型場效應(yīng)管的特性曲線耗盡型場效應(yīng)管存在原始導(dǎo)電溝道，UGS=0時漏、源極之間就可以導(dǎo)電。這時在外加電壓UDS作用下的漏極電流稱為漏極飽和電流IDSS。UGS>0時溝道內(nèi)感應(yīng)出的負(fù)電荷增多，溝道加寬，溝道電阻減小，ID增大。UGS<0時，在溝道內(nèi)產(chǎn)生出的感應(yīng)負(fù)電荷減小，溝道變窄，溝道電阻增大，ID減小。UGS達(dá)到一定負(fù)值時，溝道內(nèi)載流子全部復(fù)合耗盡，溝道被夾斷，ID=0，這時的UGS稱為夾斷電壓UGS(off)。5.3.3

絕緣柵型場效應(yīng)管的主要參數(shù)晶閘管（SiliconControlledRectifier）

晶閘管是在晶體管基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種大功率半導(dǎo)體器件。它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。

晶閘管也像半導(dǎo)體二極管那樣具有單向?qū)щ娦?，但它的?dǎo)通時間是可控的，主要用于整流、逆變、調(diào)壓及開關(guān)等方面。

體積小、重量輕、效率高、動作迅速、維修簡單、操作方便、壽命長、容量大（正向平均電流達(dá)千安、正向耐壓達(dá)數(shù)千伏）。

優(yōu)點(diǎn)：

5.4晶閘管G控制極5.4.1基本結(jié)構(gòu)K陰極G陽極

AP1P2N1N2四層半導(dǎo)體晶閘管是具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu),其外形、結(jié)構(gòu)及符號如圖。(c)結(jié)構(gòu)KGA(b)符號(a)外形晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)及符號三個

PN

結(jié)P1P2N1N2K

GA晶閘管相當(dāng)于PNP和NPN型兩個晶體管的組合+KA

T2T1_P2N1N2IGIAP1N1P2IKGPPNNNPAGK5.4.2晶閘管導(dǎo)通的條件：1.晶閘管陽極電路(陽極與陰極之間)施加正向電壓。2.晶閘管控制電路(控制極與陰極之間)加正向電壓或正向脈沖(正向觸發(fā)電壓)。

晶閘管導(dǎo)通后，控制極便失去作用。

依靠正反饋，晶閘管仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管關(guān)斷的條件：

1.必須使可控硅陽極電流減小,直到正反饋效應(yīng)不能維持。

2.將陽極電源斷開或者在晶閘管的陽極和陰極間加反相電壓。正向特性反向特性URRMUFRMIG2>IG1>IG0UBRIFUBO正向轉(zhuǎn)折電壓IHoUIIG0IG1IG2+_+_反向轉(zhuǎn)折電壓正向平均電流維持電流U5.4.3伏安特性5.4.4主要參數(shù)UFRM:正向重復(fù)峰值電壓（晶閘管耐壓值）晶閘管控制極開路且正向阻斷情況下,允許重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓。一般取UFRM

=80%UB0

。普通晶閘管UFRM

為100V—3000V反向重復(fù)峰值電壓控制極開路時,允許重復(fù)作用在晶閘管元件上的反向峰值電壓。一般取URRM

=80%UBR

普通晶閘管URRM為100V—3000VURRM：正向平均電流環(huán)境溫度為40C及標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，晶閘管處于全導(dǎo)通時可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值。

IF：IFt2如果正弦半波電流的最大值為Im,則普通晶閘管IF為1A—1000A。UF:

通態(tài)平均電壓（管壓降）在規(guī)定的條件下，通過正弦半波平均電流時，晶閘管陽、陰極間的電壓平均值。一般為1V左右。IH:

維持電流在規(guī)定的環(huán)境和控制極斷路時，晶閘管維持導(dǎo)通狀態(tài)所必須的最小電流。一般IH為幾十~一百多毫安。UG、IG：控制極觸發(fā)電壓和電流室溫下，陽極電壓為直流6V時，使晶閘管完全導(dǎo)通所必須的最小控制極直流電壓、電流。一般UG為1到5V，IG為幾十到幾百毫安。晶閘管型號及其含義導(dǎo)通時平均電壓組別共九級,用字母A~I表示0.4~1.2V額定電壓,用百位或千位數(shù)表示取UFRM或URRM較小者額定正向平均電流(IF)（晶閘管類型）P--普通晶閘管K--快速晶閘管S--雙向晶閘管

晶閘管KP普通型如KP5-7表示額定正向平均電流為5A,額定電壓為700V。5.4.5晶閘管的保護(hù)

晶閘管承受過電壓、過電流的能力很差，這是它的主要缺點(diǎn)。

晶閘管的熱容量很小，一旦發(fā)生過電流時，溫度急劇上升，可能將PN結(jié)燒壞，造成元件內(nèi)部短路或開路。例如一只100A的晶閘管過電流為400A時，僅允許持續(xù)0.02秒，否則將因過熱而損壞；

晶閘管耐受過電壓的能力極差，電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間極短，也容易損壞。若正向電壓超過轉(zhuǎn)折電壓時，則晶閘管誤導(dǎo)通，導(dǎo)通后的電流較大，使器件受損。

一、晶閘管的過流保護(hù)1.快速熔斷器保護(hù)電路中加快速熔斷器。當(dāng)電路發(fā)生過流故障時，它能在晶閘管過熱損壞之前熔斷，切斷電流通路，以保證晶閘管的安全。與晶閘管串聯(lián)接在輸入端~接在輸出端快速熔斷器接入方式有三種，如下圖所示。2.過流繼電器保護(hù)3.過流截止保護(hù)在輸出端(直流側(cè))或輸入端(交流側(cè))接入過電流繼電器，當(dāng)電路發(fā)生過流故障時，繼電器動作，使電路自動切斷。在交流側(cè)設(shè)置電流檢測電路，利用過電流信號控制觸發(fā)電路。當(dāng)電路發(fā)生過流故障時，檢測電路控制觸發(fā)脈沖迅速后移或停止產(chǎn)生觸發(fā)脈沖，從而使晶閘管導(dǎo)通角減小或立即關(guān)斷。2.硒堆保護(hù)二、晶閘管的過壓保護(hù)1.阻容保護(hù)CR

利用電容吸收過壓。其實(shí)質(zhì)就是將造成過電壓的能量變成電場能量儲存到電容中，然后釋放到電阻中消耗掉。RCRC硒堆保護(hù)(硒整流片)CR~RL晶閘管元件的阻容保護(hù)知識鏈接1.二極管、三極管的測量2.電子元件的識別1.1二極管的測量1.二極管、三極管的測量

根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦钥芍O管正向電阻小，反向電阻大。利用這一特點(diǎn)，可以用萬用表的電阻擋大致測量出二極管的好壞和正負(fù)極性１、好壞判別

將萬用表撥到Ω檔的R×100或R×1K檔，用萬用表的兩個表筆分別接到二極管的兩個管腳，測其阻值，然后將表筆對換，再進(jìn)行測試。

若前后兩次所測阻值差別較大，則說明二極管是好的。

若前后兩次所測阻值為無窮大，說明二極管內(nèi)部已斷路．若兩次所測阻值都很小或?yàn)榱?，說明二極管內(nèi)部已短路或被擊穿

２、極性判斷：

將萬用表撥到Ω檔的R×100或R×1K檔，用萬用表的兩個表筆分別接到二極管的兩個管腳，測其阻值，電阻較小時，黑表筆所接端是二極管正極，紅表筆所接是二極管的負(fù)極；反之，如果測的電阻較大時，黑表筆所接端是二極管負(fù)極，紅表筆所接是二極管的正極．

①基極及管型的判別：具體測試方法如圖（a）所示。

②集電極和發(fā)射極的判別：具體測試方法如圖（b）所示，在實(shí)際測試中，常用手指代替100kΩ的電阻。(a)基極的測試(b)集電極和發(fā)射極的測試三極管管腳的測試1.2

三極管的測量判別ICEO的大小對于NPN管，將萬用表置于電阻檔的R×100或R×1K檔后，將黑表筆接c極，紅表筆接e極，測量阻值，所測阻值越大，表明ICEO越小。PNP管的接法與之相反。(４)判別β的大小將萬用表置于hFE檔，將三極管的c、b、e管腳插入面板上相映的插孔中，利用表頭讀數(shù)即可。（5）管子好壞的粗略判別

根據(jù)三極管內(nèi)ＰＮ結(jié)的單向?qū)щ娦?，可以分別測量Ｂ、Ｅ極間和Ｂ、Ｃ極間ＰＮ結(jié)正、反向電阻．如果兩個測量值相差較大，說明管子基本是好的．如果兩個測量值都很大說明管子內(nèi)部有斷路；如果兩個測量值都很小或者為零，說明管子極間短路或擊穿．

2.1電阻2.2電容2.3電感2.4二極管2.5三極管

2.6場效應(yīng)晶體管2.電子元件的識別

2.1電阻電阻在電路中用“R”加數(shù)字表示，如：R1表示編號為1的電阻。電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置等。1、參數(shù)識別：電阻的單位為歐姆（Ω），倍率單位有：千歐（KΩ），兆歐（MΩ）等。換算方法是：1兆歐=1000千歐=1000000歐電阻的參數(shù)標(biāo)注方法有3種，即直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法。a、數(shù)標(biāo)法主要用于貼片等小體積的電路，如：472表示47×100Ω（即4.7K）；104則表示100Kb、色環(huán)標(biāo)注法使用最多，現(xiàn)舉例如下：四色環(huán)電阻五色環(huán)電阻（精密電阻）2、電阻的色標(biāo)位置和倍率關(guān)系如下表所示：顏色有效數(shù)字倍率允許偏差（%）銀色/x0.01±10

金色/x0.1±5

黑色0+0

棕色1x10±1紅色2x100±2

橙色3x1000

黃色4x10000

綠色5x100000±0.5藍(lán)色6x1000000±0.2

紫色7x10000000±0.1

白色9x1000000000/

2.

2電容

1、電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示（如C13表示編號為13的電容）。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號的頻率和電容量有關(guān)。容抗XC=1/2πfc(f表示交流信號的頻率，C表示電容容量)電話機(jī)中常用電容的種類有電解電容、瓷片電容、貼片電容、獨(dú)石電容、鉭電容和滌綸電容等。2、識別方法：電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。電容的基本單位用法拉（F）表示，其它單位還有：毫法（mF）、微法（uF）、納法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=103毫法=106微法=109納法=1012皮法容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明，如10uF/16V容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示字母表示法：1m=1000uF1P2=1.2PF1n=1000PF數(shù)字表示法：一般用三位數(shù)字表示容量大小，前兩位表示有效數(shù)字，第三位數(shù)字是倍率3、電容容量誤差表符號FGJKLM允許誤差±1%±2%±5%±10%±15%±20%如：一瓷片電容為104J表示容量為0.1uF、誤差為±5%。1常見表示：電感在電路中常用“L”加數(shù)字表示，如：L6表示編號為6的電感。

2.3電感２電感結(jié)構(gòu)：電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。３電感特點(diǎn)：直流可通過線圈，直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻，壓降很??；當(dāng)交流信號通過線圈時，線圈兩端將會產(chǎn)生自感電動勢，自感電動勢的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。４電感標(biāo)識：電感一般有直標(biāo)法和色標(biāo)法，色標(biāo)法與電阻類似。如：棕、黑、金、金表示1uH（誤差5%）的電感。電感的基本單位為：亨（H）換算單位有：1H=103mH=106uH。晶體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示，如：D5表示編號為5的二極管。

2.4二極管1、作用：二極管的主要特性是單向?qū)щ娦?，也就是在正向電壓的作用下，?dǎo)通電阻很??；而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或無窮大。正因?yàn)槎O管具有上述特性，無繩電話機(jī)中常把它用在整流、隔離、穩(wěn)壓、極性保護(hù)、編碼控制、調(diào)頻調(diào)制和靜噪等電路中。電話機(jī)里使用的晶體二極管按作用可分為：整流二極管（如1N4004）、隔離二極管（如1N4148）、肖特基二極管（如BAT85）、發(fā)光二極管、穩(wěn)壓二極管等。2、識別方法：二極管的識別很簡單，小功率二極管的N極（負(fù)極），在二極管外表大多采用一種色圈標(biāo)出來，有些二極管也用二極管專用符號來表示P極（正極）或N極（負(fù)極），也有采用符號標(biāo)志為“P”、“N”來確定二極管極性的。發(fā)光二極管的正負(fù)極可從引腳長短來識別，長腳為正，短腳為負(fù)。3、測試注意事項(xiàng)：用數(shù)字式萬用表去測二極管時，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負(fù)極，此時測得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚?，這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。4、常用的1N4000系列二極管耐壓比較如下：型號1N40011N40021N40031N40041N40051N40061N4007耐壓（V）501002004006008001000電流（A）均為1

2.5三極管晶體三極管在電路中常用“Q”加數(shù)字表示，如：Q17表示編號為17的三極管。1、特點(diǎn)：晶體三極管（簡稱三極管）是內(nèi)部含有2個PN結(jié)，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型兩種類型，這兩種類型的三極管從工作特性上可互相彌補(bǔ)，所謂OTL電路中的對管就是由PNP型和NPN型配對使用。電話機(jī)中常用的PNP型三極管有：A92、9015等型號；NPN型三極管有：A42、9014、9018、9013、9012等型號。2、晶體三極管主要用于放大電路中起放大作用，在常見電路中有三種接法。

2.6場效應(yīng)管1、場效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。尤其用場效管做整個電子設(shè)備的輸入級，可以獲得一般晶體管很難達(dá)到的性能。2、場效應(yīng)管分成結(jié)型和絕緣柵型兩大類，其控制原理都是一樣的。3、場效應(yīng)