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文檔簡(jiǎn)介

第一章

半導(dǎo)體材料及二極管1.3

晶體二極管及其應(yīng)用二極管的核心是一個(gè)PN結(jié)。圖1.11二極管的結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)1.3.1晶體二極管的伏安特性

二極管的伏安特性是指流過二極管中的電流與其端電壓之間的關(guān)系。

(1.16)--加在二極管上的端電壓--流過二極管上的電流二極管的反偏伏安特性方程:

可見,二極管反向電流不隨反向偏壓而變化,僅有很小的反向飽和電流。

2.反偏伏安特性(1.18)圖1.12二極管的伏安特性曲線當(dāng)加在二極管上的反偏電壓超過某一數(shù)值VBR時(shí),反偏電流將急劇增大,這種現(xiàn)象稱為二極管的反向擊穿圖1.13二極管的反向擊穿特性3.反向擊穿特性4.溫度對(duì)二極管伏安特性的影響溫度對(duì)二極管正向特性的影響溫度對(duì)二極管反向特性的影響圖1.14溫度對(duì)二極管伏安特性的影響5.Si二極管與Ge二極管的差別Si

二極管的開啟電壓約0.5-0.6V,Ge二極管的開啟電壓約0.1-0.2V。Si二極管反向電流比Ge二極管反向電流小得多,Si管是pA量級(jí),Ge管是μA量級(jí)。

為什么?圖1.15Si和Ge兩種二極管伏安特性的差別1.3.2二極管的直流電阻和交流電阻

1.直流電阻靜態(tài)工作點(diǎn)圖1.16二極管的直流電阻3.二極管的其它主要參數(shù)最大平均整流電流最高反向工作電壓

反向電流最高工作頻率含二極管電路的分析(非線性伏安關(guān)系)代數(shù)法:求解非線性方程組幾何法:圖解法模型法:近似線性法計(jì)算復(fù)雜,必須借助計(jì)算機(jī)粗糙,必須知道伏安關(guān)系曲線方便,可以利用線性電路分析方法如何模型化?根據(jù)伏安關(guān)系1.3.3二極管模型圖1.18二極管模型(a)理想開關(guān)模型(b)恒壓源模型(c)折線近似模型1.二極管伏安特性的分段線性近似模型解:將二極管用恒壓源模型近似后來估算二極管工作點(diǎn)。為什么采用恒壓源模型?2.二極管的交流小信號(hào)模型圖1.20二極管的交流小信號(hào)模型例1.2 若在例1.1電路中串聯(lián)一個(gè)正弦電壓源,圖1.21(a)為其電路圖,估算此時(shí)二極管上交流電壓與電流成分的振幅值和(T=300K)。圖1.21二極管交流電路分析(a)電路圖(b)交流等效電路利用線性電路的疊加原理,可以畫出只反映交變電壓和交變電流之間關(guān)系的電路,稱之為交流等效電路,如圖1.21(b)所示,由此交流通路可求出:1.3.4二極管應(yīng)用電路1.整流電路圖1.22直流穩(wěn)壓電源方框圖

圖1.23半波整流電路

試分析半波整流電路的工作原理,指出其不足,提出改進(jìn)方法。橋式整流電路試分析橋式整流電路的工作原理2.濾波電路圖1.25濾波電路試分析濾波電路的工作原理。限幅電路是一種能限制電路輸出電壓幅值的電路。

3.限幅電路圖1.26限幅電路的電壓傳輸特性VomaxVominVILVIH

鉗位電路是一種能使整個(gè)信號(hào)電壓直流平移的電路。在穩(wěn)定狀態(tài)下,輸出波形完全是輸入波形的復(fù)制品,但輸出波形相對(duì)于輸入波形有直流平移現(xiàn)象,平移程度取決于電路。

4.鉗位電路圖1.28鉗位電路原理分析圖1.29鉗位電路的波形試找出圖中的錯(cuò)誤1.3.5穩(wěn)壓管及其應(yīng)用

1.穩(wěn)壓管的伏安特性圖1.30穩(wěn)壓管伏安特性曲線及電路符號(hào)穩(wěn)定電壓最小穩(wěn)定電流最大穩(wěn)定電流動(dòng)態(tài)電阻電壓溫度系數(shù)2.穩(wěn)壓管的主要參數(shù)3.穩(wěn)壓管電路圖1.32穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路1)穩(wěn)壓原理圖1.33穩(wěn)壓管電路原理分析試分析穩(wěn)壓原理問題:還有其他的分析方法嗎?2)限流電阻R的選取穩(wěn)壓管正常工作范圍:可以求得:例1.3采用的Si穩(wěn)壓管2DW3的穩(wěn)壓電路如圖1.34所示。如果輸入電壓的波動(dòng),試問輸出電壓的波動(dòng)

圖1.34解:圖1.35穩(wěn)壓電路模型及增量等效模型輸入電壓的變化量為:輸出電壓的變化量為:輸出電壓的相對(duì)變化量為:例1.4 為汽車上的收音機(jī)設(shè)計(jì)一個(gè)穩(wěn)壓電源。要求該穩(wěn)壓電源為汽車收音機(jī)提供一個(gè)9V的電壓,穩(wěn)壓電源的輸入電壓來自汽車電瓶,電瓶電壓的變化范圍(11~13.6)V,收音機(jī)的電流介于0(關(guān)掉)~100mA(最大音量)之間。圖1.36解:(1)當(dāng)負(fù)載電流最大,輸出電壓最小時(shí),流過穩(wěn)壓管的電流最小,則

(2)當(dāng)負(fù)載電流最小,輸入電壓最大時(shí),流過穩(wěn)壓管的電流最大,則令上兩式相等,則:

只含兩個(gè)未知量:和。取穩(wěn)壓管的最小電流是最大電流的十分之一,即則限流電阻:提高訓(xùn)練:如何設(shè)計(jì)小功率電壓源電路?1.3.6PN結(jié)電容效應(yīng)及應(yīng)用勢(shì)壘電容擴(kuò)散電容變?nèi)荻O管1.3.7 特殊二極管

太陽(yáng)能電池

光電二極管

發(fā)光二極管肖特基二極管1.3.8小結(jié)半導(dǎo)體知識(shí)二極管知識(shí)二極管應(yīng)用

一、半導(dǎo)體知識(shí)

1.本征半導(dǎo)體單質(zhì)半導(dǎo)體材料是具有4價(jià)共價(jià)鍵晶體結(jié)構(gòu)的硅(Si)和鍺(Ge)。前者是制造半導(dǎo)體IC的材料(三五價(jià)化合物砷化鎵GaAs是微波毫米波半導(dǎo)體器件和IC的重要材料)。純凈且具有完整晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在一定的溫度下,本征半導(dǎo)體內(nèi)的最重要的物理現(xiàn)象是本征激發(fā)(又稱熱激發(fā)或產(chǎn)生)。本征激發(fā)產(chǎn)生兩種帶電性質(zhì)相反的載流子——自由電子和空穴對(duì)。溫度越高,本征激發(fā)越強(qiáng)。空穴是半導(dǎo)體中的一種等效載流子??昭▽?dǎo)電的本質(zhì)是價(jià)電子依次填補(bǔ)本征晶格中的空位,使局部顯示電荷的空位宏觀定向運(yùn)動(dòng)。在一定的溫度下,自由電子與空穴在熱運(yùn)動(dòng)中相遇,使一對(duì)自由電子和空穴消失的現(xiàn)象稱為載流子復(fù)合。復(fù)合是產(chǎn)生的相反過程,當(dāng)產(chǎn)生等于復(fù)合時(shí),稱載流子處于平衡狀態(tài)。2.雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征硅(或鍺)中滲入微量5價(jià)(或3價(jià))元素后形成N型(或P型)雜質(zhì)半導(dǎo)體。在很低的溫度下,N型(P型)半導(dǎo)體中的雜質(zhì)會(huì)全部電離,產(chǎn)生自由電子和雜質(zhì)正離子對(duì)(空穴和雜質(zhì)負(fù)離子對(duì))。由于雜質(zhì)電離,使N型半導(dǎo)體中的多子是自由電子,少子是空穴,而P型半導(dǎo)體中的多子是空穴,少子是自由電子。在常溫下,多子>>少子,且多子濃度幾乎等于雜質(zhì)濃度,與溫度無關(guān);少子濃度是溫度的敏感函數(shù)。在相同摻雜和常溫下,Si的少子濃度遠(yuǎn)小于Ge的少子濃度。這也是Si器件工作溫度高于Ge器件的原因。

3.半導(dǎo)體中的兩種電流在半導(dǎo)體中存在因電場(chǎng)作用產(chǎn)生的載流子漂移電流(這與金屬導(dǎo)電一致);還存在因載流子濃度差而產(chǎn)生的擴(kuò)散電流。

二、PN結(jié)在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近,會(huì)形成一個(gè)特殊的薄層——PN結(jié)。PN結(jié)是非中性區(qū)(稱空間電荷區(qū)),存在由N區(qū)指向P區(qū)的內(nèi)建電場(chǎng)和內(nèi)建電壓;PN結(jié)內(nèi)載流子數(shù)遠(yuǎn)少于結(jié)外的中性區(qū)(稱耗盡層);PN結(jié)內(nèi)的電場(chǎng)是阻止結(jié)外兩區(qū)的多子越結(jié)擴(kuò)散的(稱勢(shì)壘層或阻擋層)。三、二極管知識(shí)普通二極管內(nèi)芯片就是一個(gè)PN結(jié),P區(qū)引出正電極,N區(qū)引出負(fù)電極。在低頻運(yùn)用時(shí),二極管具有單向?qū)щ娞匦?,正偏時(shí)導(dǎo)通,Si管和Ge管導(dǎo)通電壓典型值分別是0.7V和0.2V;反偏時(shí)截止,但Ge管的反向飽和電流比Si管大得多。二極管的低頻小信號(hào)模型就是交流電阻,它反映了在工作點(diǎn)Q處,二極管的微變電流與微變電壓之間的關(guān)系。二極管交流電阻定義:估算:二極管伏安特性二極管

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