超高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡JSM-7800F介紹

超高分辨率FE——マスタタイトルの書(shū)式設(shè)定超高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡

JSM-7800F介紹2JSM-7800F的特長(zhǎng)Point.2超級(jí)混合式物鏡

:SHL①超高分辨率(1.2nm＠1kV?選配功能

0.8nm@1kV）②最適合于觀(guān)察磁性材料和EBSD分析

(樣品附近沒(méi)有磁場(chǎng)泄漏)Point.1浸沒(méi)式肖特基電子槍大電流(200nA15kV)、長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定、長(zhǎng)壽命

(發(fā)射體保證3年)Point.3用新型探測(cè)器過(guò)濾電子能量自由選擇來(lái)自樣品表面的信息3JSM-7800F的特長(zhǎng)Point.2超級(jí)混合式物鏡

:SHL①超高分辨率(1.2nm＠1kV?選配功能

0.8nm@1kV）②最適合于觀(guān)察磁性材料和EBSD分析

(樣品附近沒(méi)有磁場(chǎng)泄漏)Point.1浸沒(méi)式肖特基電子槍大電流(200nA15kV)、長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定、長(zhǎng)壽命(發(fā)射體保證3年)Point.3用新型探測(cè)器過(guò)濾電子能量自由選擇來(lái)自樣品表面的信息Point.1浸沒(méi)式肖特基電子槍大電流(200nA15kV)、長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定、長(zhǎng)壽命(發(fā)射體保證3年)4電子槍和聚光鏡一體化能高效利用電子槍發(fā)出的電子傳統(tǒng)的電子槍浸沒(méi)式肖特基電子槍浸沒(méi)式肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍電子槍透鏡磁場(chǎng)聚光鏡電子束電流量約10倍電子槍和聚光鏡一體化能高效利用電子槍發(fā)出的電子傳統(tǒng)的電子槍浸沒(méi)式肖特基電子槍電子槍透鏡磁場(chǎng)聚光鏡電子束電流量約10倍5浸沒(méi)式肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍能高效率地利用電子束長(zhǎng)壽命的發(fā)射體

保證3年JEOLOnly探針電流是傳統(tǒng)型的10倍以上因此最適合于EDS分析等JEOLOnly6用浸沒(méi)式肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍進(jìn)行快速分析１.

可進(jìn)行高通量的EDS分析２.可進(jìn)行高空間分辨率的EDS分析〈應(yīng)用實(shí)例〉7應(yīng)用實(shí)例1.高通量的EDS分析測(cè)試時(shí)間60秒（實(shí)時(shí)）JEOLOnly彩色面分布樣品:貼片電容截面測(cè)試倍率：x10,000加速電壓：5kV探針電流：50nA用定性圖譜的測(cè)試時(shí)間可進(jìn)行元素面分布用低加速電壓可在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行高空間分辨率的元素面分布測(cè)試8應(yīng)用實(shí)例2.高空間分辨率的EDS分析樣品

：IC截面定量面分布

(重量%)測(cè)試倍率：x22,000加速電壓：6kV探針電流：8nA能將N和Ti分離獲取元素面分布圖9應(yīng)用實(shí)例2.高空間分辨率的EDS分析樣品

：IC截面定量面分布

(重量%)測(cè)試倍率：x22,000加速電壓：6kV探針電流：8nA能將N和Ti分離獲取元素面分布圖減少電流量提高空間分辨率，能進(jìn)行100納米級(jí)清晰的面分布測(cè)試。能獲得數(shù)百納米的細(xì)微結(jié)構(gòu)的彩色面分布圖10JSM-7800F的特長(zhǎng)Point.2超級(jí)混合式物鏡

:SHL①超高分辨率(1kV1.2nm?選配功能0.8nm@1kV）②最適合于磁性材料的觀(guān)察和EBSD分析

(樣品附近沒(méi)有磁場(chǎng))Point.1浸沒(méi)式肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍大電流(200nA15kV)、長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定、長(zhǎng)壽命(發(fā)射體保證3年)Point.3用新型探測(cè)器過(guò)濾電子能量自由選擇來(lái)自樣品表面的信息Point.2超級(jí)混合式物鏡

:SHL①超高分辨率(1kV1.2nm?選配功能0.8nm@1kV）②最適合于磁性材料的觀(guān)察和EBSD分析

(樣品附近沒(méi)有磁場(chǎng))11超級(jí)混合式物鏡(SHL)Semi-in-lens物鏡Out-lens物鏡超級(jí)混合式物鏡SHL集中了semi-in-lens和out-lens兩者的長(zhǎng)處是JEOL獨(dú)自研發(fā)的新型卓越透鏡Semi-in-lens物鏡Out-lens物鏡12Semi-in-lens和Out-lens的不同和特長(zhǎng)透鏡磁場(chǎng)工作距離短擅長(zhǎng)高分辨率觀(guān)察工作距離長(zhǎng)擅長(zhǎng)觀(guān)察磁性材料和EBSD分析工作距離短透鏡磁場(chǎng)工作距離長(zhǎng)超級(jí)混合式物鏡①超高分解率觀(guān)察②最適合于磁性材料的觀(guān)察和EBSD分析13穩(wěn)定度?重現(xiàn)性觀(guān)察絕緣體觀(guān)察磁性材料EBSDEDS/WDS低倍率觀(guān)察低加速分辨率高加速分辨率semi-in-lensout-lens穩(wěn)定度?重現(xiàn)性觀(guān)察絕緣體觀(guān)察磁性材料EBSDEDS/WDS低倍率觀(guān)察低加速分辨率高加速分辨率semi-in-lens物鏡和out-lens物鏡的功能評(píng)估穩(wěn)定度?重現(xiàn)性觀(guān)察絕緣體觀(guān)察磁性材料EBSDEDS/WDS低倍率觀(guān)察低加速分辨率高加速分辨率semi-in-lensout-lens穩(wěn)定度?重現(xiàn)性觀(guān)察絕緣體觀(guān)察磁性材料EBSDEDS/WDS低倍率觀(guān)察低加速分辨率高加速分辨率14超級(jí)混合式物鏡(SHL)的功能評(píng)估穩(wěn)定度?重現(xiàn)性觀(guān)察絕緣體觀(guān)察磁性材料EBSDEDS/WDS低倍率觀(guān)察低加速分辨率高加速分辨率超級(jí)混合式物鏡1515SHL①超高分辨率觀(guān)察1.碳上的鍍金顆粒2.石墨烯3.鋰離子電池的隔膜4.藍(lán)光光盤(pán)〈應(yīng)用實(shí)例〉16極低加速電壓圖像

80VJSM-7800在80V的電壓下也能觀(guān)察高品質(zhì)的圖像通過(guò)觀(guān)察樣品表面可以進(jìn)行納米結(jié)構(gòu)的分析應(yīng)用實(shí)例1.碳上的鍍金顆粒8萬(wàn)倍12萬(wàn)倍JEOLOnly17在高加速電壓下呈“透明”狀的樣品也能觀(guān)察其表面應(yīng)用實(shí)例2.石墨烯極低加速電壓圖像80V18應(yīng)用實(shí)例3.鋰離子電池的隔膜加速電壓

100

V19應(yīng)用實(shí)例4.藍(lán)色光盤(pán)

(記錄層)背散射電子為主加速電壓：1.5kV工作距離(WD)：2mm過(guò)濾器電壓：-1400V探測(cè)器：UED2020SHL②最適合于磁性材料和EBSD分析的電子光學(xué)設(shè)計(jì)1.磁性材料分析：Fe3O4納米顆粒集合體2.

EBSD晶體取向分析：釹鐵硼3.

EBSD晶體取向分析：碳鋼〈應(yīng)用實(shí)例〉21應(yīng)用實(shí)例1.Fe3O4

納米顆粒集合體加速電壓

:1.0keV(GB)WD:4.0mm資料提供

:日本東北大學(xué)多元物質(zhì)科學(xué)研究所阿尻雅文教授富樫貴成博士22EBSD高精度晶體取向分析應(yīng)用實(shí)例2.釹鐵硼NDTD也適合于磁性材料的高精度晶體取向分析分析點(diǎn):118585尺寸:XMax:80.00μm

YMax:79.89μm

步長(zhǎng):0.25μm相:Nd2Fe14B23應(yīng)用實(shí)例3.碳鋼

EBSD

圖像1000倍ND方向圖像1000倍IQ（圖像質(zhì)量）圖像也適合于磁性材料的高精度晶體取向分析加速電壓：20

kV

WD：20mm

探針電流：8

nA

100

nm步長(zhǎng)樣品：碳鋼（S25C）直徑：32

mm

高度：20

mm樣品制備：金剛石砂輪研磨、膠體二氧化硅拋光24

利用LDF（LargeDepthofFocusmode）模式可以大角度地傾斜觀(guān)察，最適合于EBSD分析。在傾斜７０°的樣品上容易聚焦加速電壓：15.0kVLDF模式

LargeDepthofFocusJEOLOnly25LDF模式的大面積EBSD分析3cm分析區(qū)域：7mm×21mm倍率：×12

樣品傾斜：70°分析點(diǎn)：803400尺寸:

XMax：

7305.00μmYMax：

21395.16μm

步長(zhǎng)：

15.00

μm不用移動(dòng)樣品臺(tái)也能進(jìn)行大面積的EBSD分析IQNDRDTD26Point.2超級(jí)混合式物鏡

:SHL①超高分辨率(1.2nm＠1kV?選配功能0.8nm@1kV）②最適合于觀(guān)察磁性材料和EBSD分析

(樣品附近沒(méi)有磁場(chǎng)泄漏)Point.1浸沒(méi)式肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍大電流(200nA15kV)、長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定、長(zhǎng)壽命(發(fā)射體保證3年)Point.3用新型探測(cè)器過(guò)濾電子能量自由選擇來(lái)自樣品表面的信息JSM-7800F的特長(zhǎng)Point.3用新型探測(cè)器過(guò)濾電子能量自由選擇來(lái)自樣品表面的信息27新型探測(cè)器系統(tǒng)光闌角度控制透鏡能量過(guò)濾器超級(jí)混合式物鏡觀(guān)察樣品UED高位探測(cè)器USD高位二次電子探測(cè)器BED可插拔式

背散射電子探測(cè)器LED低位探測(cè)器28通過(guò)新型探測(cè)器檢測(cè)樣品樣品：碳上的鍍金顆粒加速電壓：3.0kVWD：2.5mm29通過(guò)新型探測(cè)器檢測(cè)信號(hào)能量過(guò)濾器UED高位探測(cè)器過(guò)濾器電壓：-360V信號(hào)二次電子表面形貌成分信息晶體取向大角度背散射電子由過(guò)濾器選擇30信號(hào)二次電子表面形貌邊緣效應(yīng)信息USD高位二次電子探測(cè)器通過(guò)新型探測(cè)器檢測(cè)信號(hào)31LED低位探測(cè)器信號(hào)短WD:背散射電子為主信息表面形貌長(zhǎng)WD:二次電子和極低角度背散射電子混合通過(guò)新型探測(cè)器檢測(cè)信號(hào)32BED可插拔式背散射電子探測(cè)器信號(hào)成分形貌信息晶體取向背散射電子通過(guò)新型探測(cè)器檢測(cè)信號(hào)33可以同時(shí)觀(guān)察獲取四種畫(huà)像USDBEDLEDUED過(guò)濾器電壓：-360V同時(shí)進(jìn)行觀(guān)察的實(shí)例34用新型探測(cè)器選擇信息1.催化劑：Au@TiO22.石墨烯〈應(yīng)用實(shí)例〉35UEDUSD1.催化劑：Au@TiO2資料提供：

F.Schüth教授Max-Planck-InstitutMülheim

過(guò)濾器電壓

:-0.5kV加速電壓:

2.0kV金顆粒UEDUSD362.石墨烯過(guò)濾器電壓:-0.3kV加速電壓:

0.5kVUEDUSDUEDUSD空隙最薄處空隙37JSM-7800F規(guī)格電子槍?zhuān)航](méi)式肖特基場(chǎng)發(fā)射型物鏡：超級(jí)混合式透鏡(SHL)加速電壓：0.01～30.0kV?0.01～0.49kV只限于GB模式探針電流:pA級(jí)

～200nA以上(加速電壓為15