清華同方LED產(chǎn)業(yè)訓(xùn)練教材

南通同方半導(dǎo)體有限公司

LED產(chǎn)業(yè)訓(xùn)練教材本套LED產(chǎn)業(yè)訓(xùn)練教材由南通同方半導(dǎo)體有限公司銷售中心、外延技術(shù)部、芯片部、品質(zhì)部與技術(shù)中心共同主辦。本教材共五章，第一章、第二章由童敬文副總監(jiān)編寫，第三章由莊曜勵(lì)總監(jiān)編寫，第四章由吳東海博士編寫，第五張由蔡佩芳總監(jiān)編寫。同時(shí)感謝光源與器件項(xiàng)目組副總郭天宇、銷售中心馬楠副總監(jiān)的熱心指導(dǎo)，在此深致謝忱。前言第一章LED襯底第二章LED外延第四章LED器件封裝第三章LED芯片設(shè)計(jì)及製作目錄第五章LED品控檢測(cè)1.1藍(lán)寶石結(jié)構(gòu)1.3晶棒制作1.4晶片制作1.5干法刻蝕制作PSS1.6干法刻蝕制作PSS1.2晶體生長(zhǎng)第一章LED襯底

藍(lán)寶石，又稱白寶石、剛玉，即單晶氧化鋁α-Al2O3。

作為L(zhǎng)ED襯底，藍(lán)寶石晶體的C面(0001)和GaN的C面(001)結(jié)構(gòu)相近。藍(lán)寶石晶體的C面(0001)藍(lán)寶石晶體的C面(0001)1.1藍(lán)寶石結(jié)構(gòu)晶體生長(zhǎng)晶棒制作晶片制作PSS制作SAPMAC法，即冷心放肩微量提拉法。爐內(nèi)結(jié)構(gòu)剖面圖1.2晶體生長(zhǎng)晶棒制作晶片制作PSS制作晶體生長(zhǎng)

定向：XRD定向C面，確保掏出的晶棒方向正確；

掏棒：利用中空鉆刀掏取晶棒(2、4、6inch)；

滾磨：磨削至精確尺寸。1.3晶棒制作晶片制作PSS制作晶體生長(zhǎng)晶棒制作

定向：精確定向C面；

切片：將晶棒切成晶片，430μm；

研磨：去除切割損傷層及改善晶片平坦度；

倒角：將晶片邊緣修整為圓弧狀；

拋光：改善晶片粗糙度。切片機(jī)研磨機(jī)拋光機(jī)1.4晶片制作PSS，即圖形化藍(lán)寶石基板，此技術(shù)可有效減少位錯(cuò)密度提升出光率。ICP，電感耦合式等離子體刻蝕，又稱干法刻蝕。PRcoatingexposureDevelopingHardMaskEtchPhotoEtchingPRRemoveHMRemoveHMEtching干法刻蝕ICPICPEtchHardMaskHMFlatSapphireHMcoatingUVlightHMFlatSapphirePRFlatSapphireFlatSapphireRemovePRPSSRemoveHardMaskPSS1.5干法刻蝕制作PSS1.6濕法刻蝕制作PSS①SiO2在濃硫酸和濃磷酸中被高溫腐蝕時(shí)是各向同性的；②Al2O3因?yàn)槠浣Y(jié)構(gòu)的原因被腐蝕時(shí)是各向異性的。SiO2removedFlatsapphireSiO2沉積黃光圖形BOE刻蝕PR去除SapphireEtchingSiO2加熱濕法刻蝕濕法刻蝕實(shí)現(xiàn)PSS原理：2.6GaN基LED外延的晶體評(píng)測(cè)技術(shù)2.1Ⅲ/Ⅴ族氮化物概述2.2GaN材料的特性2.3GaN基LED的基本結(jié)構(gòu)2.4GaN基LED外延生長(zhǎng)技術(shù)及設(shè)備簡(jiǎn)介2.5GaN基LED外延生長(zhǎng)工藝流程第二章LED外延ⅢABAlGaInTiVANBiSbAsPⅢ-Nitrides：GaN，InN，AlN，InGaN，AlGaN，AlInGaN

。InN帶隙為0.77eV，GaN為3.2eV，AlN為6.2eV，其禁帶寬度覆蓋了紅光到紫外光間的光譜2.1Ⅲ/Ⅴ族氮化物概述常溫常壓下Ⅲ/Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體具有密集堆積的穩(wěn)態(tài)纖鋅礦結(jié)構(gòu)六方相和亞穩(wěn)態(tài)閃鋅礦結(jié)構(gòu)立方相兩種晶體結(jié)構(gòu)形式(如下圖)。其中閃鋅礦結(jié)構(gòu)的Ⅲ/Ⅴ族氮化物具有更好的P型摻雜效率，同時(shí)作為量子阱發(fā)光材料時(shí)也具有更好的光增益系數(shù)，但在高溫下容易相變，阻止了材料的制備與器件的發(fā)展。因此，目前用于器件的GaN材料都是纖鋅礦結(jié)構(gòu)。在直接帶隙中的電子躍遷前后只有能量變化，而無(wú)位置變化，于是便有更大的幾率將能量以光子的形式釋放出來(lái)。間接帶隙半導(dǎo)體中的電子在躍遷時(shí)K值會(huì)發(fā)生變化，會(huì)極大的幾率將能量釋放給晶格，轉(zhuǎn)化為聲子，變成熱能釋放掉。GaN基材料屬于直接帶隙半導(dǎo)體材料：GaN直接帶隙圖2.2GaN材料的特性GaN基材料的物理化學(xué)特性高的硬度熔點(diǎn)高很高的電子飽和漂移速度高熱導(dǎo)率能適用很多惡劣環(huán)境十分良好的抗腐蝕性能高的擊穿電場(chǎng)具有獨(dú)特的發(fā)光特性2.2.1GaN基材料的物理化學(xué)特性典型的GaN基LED通常由藍(lán)寶石襯底、GaN緩沖層、n型GaN、GaN/InGaN多量子阱有源層、p型GaN以及電極構(gòu)成。2.3GaN基LED基本結(jié)構(gòu)

HVPE(氫化物氣相外延)ALE(原子層外延)MOCVD(金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積）生長(zhǎng)速率快，生長(zhǎng)大面積的GaN襯底器件生長(zhǎng)MBE(分子束外延)GaN基器件實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化1.生長(zhǎng)速度相對(duì)快，外延生長(zhǎng)質(zhì)量高；2.可以獲得超薄層結(jié)構(gòu)；3.工藝靈活性大，可以生長(zhǎng)出各種復(fù)雜的結(jié)構(gòu)；4.不需要超高真空，維護(hù)簡(jiǎn)單；5.反應(yīng)室規(guī)模容易擴(kuò)展。德國(guó)AIXTRON美國(guó)VEECO2.4GaN基LED外延生長(zhǎng)技術(shù)及設(shè)備簡(jiǎn)介2.4.1GaN基半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)方法介紹名稱符號(hào)用途TMGa(三甲基鎵)(CH3)3Ga提供鎵源TMIn(三甲基銦)(CH3)3In提供銦源TMAl(三甲基鋁)(CH3)3Al提供鋁源Ammonia(氨氣)NH3提供氮源硅烷SiH4N型摻雜源二茂鎂Cp2MgP型摻雜源氮?dú)釴2載體氫氣H2載體2.4.2GaN外延生長(zhǎng)所需物料在藍(lán)寶石基板上(Al2O3)上生成氮化鎵（GaN）薄膜。主要以反應(yīng)腔體(ReactorChamber)上游進(jìn)口處以N2(氮?dú)?或H2(氫氣)為承載氣體(carriergas)，以攜帶MOSource:(TMGa、TEGa、TMIn、TMAl、CP2Mg、SiH4等)及NH3一起流進(jìn)裝有襯底的告訴旋轉(zhuǎn)石墨底座(susceptor/WaferrCarrier)。并在下方裝有可產(chǎn)生高熱之加熱線圈(filament)反應(yīng)腔體內(nèi)進(jìn)行高溫反應(yīng)，下游處并裝有抽氣PUMP及控制閥可保持所須之流量大小及壓力，可以讓氣體作一連串連續(xù)后順利排出于廠務(wù)端。2.4.3MOCVD生長(zhǎng)示意圖MOCVD外延設(shè)備2.4.4MOCVD設(shè)備簡(jiǎn)介MOCVD外延設(shè)備2.4.4MOCVD設(shè)備簡(jiǎn)介VEECOK465IVEECOC4外延生長(zhǎng)原理2.4.5外延生長(zhǎng)原理2.5GaN基LED外延生長(zhǎng)工藝流程2.5GaN基LED外延生長(zhǎng)工藝流程2.5GaN基LED外延生長(zhǎng)工藝流程2.5GaN基LED外延生長(zhǎng)工藝流程2.5GaN基LED外延生長(zhǎng)工藝流程2.5GaN基LED外延生長(zhǎng)工藝流程2.5GaN基LED外延生長(zhǎng)工藝流程2.5GaN基LED外延生長(zhǎng)工藝流程2.5GaN基LED外延生長(zhǎng)工藝流程2.5GaN基LED外延生長(zhǎng)工藝流程外延后p-padn-padMOCVDProcessMOCVD外延生長(zhǎng)LaserMark激光打標(biāo)Photoluminescence光致發(fā)光檢測(cè)X-rayDiffractionXRD檢測(cè)Activation活化Storage入庫(kù)Microscope顯微鏡檢測(cè)Electroluminescence電致發(fā)光檢測(cè)2.5GaN基LED外延生長(zhǎng)工藝流程測(cè)量：

組分

周期厚度

半波寬X射線衍射技術(shù)2.6GaN基LED外延的晶體評(píng)測(cè)技術(shù)光致發(fā)光技術(shù)光譜中重要參數(shù)：發(fā)光強(qiáng)度、峰值波長(zhǎng)(WLP)、主波長(zhǎng)(WLD)、半峰寬(FWHM)

2.6GaN基LED外延的晶體評(píng)測(cè)技術(shù)電致發(fā)光技術(shù)電致發(fā)光與光致發(fā)光類似，不同的是電致發(fā)光是在PN結(jié)加電壓，產(chǎn)生少數(shù)載流子而復(fù)合發(fā)光的。EL主要測(cè)試內(nèi)容：外延片點(diǎn)測(cè)波長(zhǎng)、電壓、亮度的測(cè)試。2.6GaN基LED外延的晶體評(píng)測(cè)技術(shù)Electroluminescence電致發(fā)光檢測(cè)2.7外延亮度未來(lái)努力方向第三章LED芯片3.1LED芯片材料體系3.2LED芯片總流程3.2.1前制程工藝流程3.2.2中制程工藝流程3.2.3

后制程工藝流程藍(lán)光450~475nm綠光500~530nm紅光610~640nm黃光580~597nm橙光595~612nm黃綠光565~580nmInGaN產(chǎn)品（以藍(lán)寶石為襯底）InGaAlP產(chǎn)品（以GaAs為襯底）3.1LED芯片材料體系YellowOrangeRedOrangeRedY=Yellow(InGaAlP)587nmO=Orange(InGaAlP)605nmA=Org.Red(InGaAlP)617nmS=Super-Red(InGaAlP)630nmH=Hyper-Red(GaAlAs)645nmBlueGreenB=Blue(InGaN)470nmV=VerdeGreen505nmT=TrueGreen(InGaN)525nmP=PureGreen(InGaAlP)560nmG=Green(InGaAlP)570nmB=Blue(GaN)466nmInGaAlPInGaN/GaNW=White(x=0.32/y=0.31)3.1LED芯片材料體系3.2LED芯片總流程LED生產(chǎn)外延芯片A前制程清洗站黃光站刻蝕站蒸鍍站B中制程研磨站劃裂站測(cè)試站分選目檢C后制程3.2.1前制程工藝流程3.2.1前制程工藝流程目的：去除Wafer表面的金屬雜質(zhì)和有機(jī)雜質(zhì)①.ITO蒸鍍前清洗3.2.1前制程工藝流程②.ITO蒸鍍ITO蒸鍍PSS襯底外延層ITOPSS襯底外延層目的：通過(guò)蒸鍍作業(yè)在GaN芯片上形成透明導(dǎo)電層，鍍膜厚度為2400?±120?。原理：在高真空的作業(yè)環(huán)境里，讓腔體加熱到300℃，通過(guò)電子束的轟擊使ITO源直接升華，并讓升華的ITO分子與O2反應(yīng)后遵照某一規(guī)則均勻可控的覆蓋到基片的表面。ITO源：呈淡青色圓柱狀主要成分：氧化銦錫（90wt%In2O3+10wt%SnO)3.2.1前制程工藝流程③.MesaPhotoITOPSS襯底外延層

PRMesaPhoto(上膠、曝光、顯影)剖面圖PR：正膠原理：如左圖所示，陰影部分為掩膜板上的鉻，紫

外光無(wú)法透過(guò)，而被光照區(qū)域的光刻膠被顯

影液除去，留下刻蝕區(qū)域。3.2.1前制程工藝流程ITOPSS襯底外延層PR

④.ITO蝕刻1將欲刻蝕區(qū)域采用ITO腐蝕液進(jìn)行腐蝕。3.2.1前制程工藝流程ITOPSS襯底外延層PRN-GaN層⑤.GaN干蝕刻利用ICP刻蝕機(jī)，主要?dú)怏w為CL2和BCL3,主要作用離子為氯離子，刻蝕深度1.2微米左右。3.2.1前制程工藝流程ITOPSS襯底外延層⑥.光阻去除去光阻后片上圖形，紫紅色區(qū)域?yàn)镮TO。3.2.1前制程工藝流程⑦.ITO熔合熔合目的：主要是使ITO材料更加密實(shí)，增加透光率，降低電壓，使ITO層和GaN襯底形成良好的歐姆接觸。熔合條件：溫度500℃，20min3.2.1前制程工藝流程

PR

ITOPSS襯底外延層ITOPhoto(上膠、曝光、顯影)剖面圖PR：正膠將所需P區(qū)圖形留出，待下一步去除P區(qū)ITO。⑧.ITOPhoto3.2.1前制程工藝流程PR

ITOPSS襯底外延層

⑨.ITO蝕刻23.2.1前制程工藝流程ITOPSS襯底外延層⑩.光阻去除3.2.1前制程工藝流程SiO2ITOPSS襯底外延層?.沉積SiO2采用設(shè)備：PECVD主要?dú)怏w：SiH4/N2OSiO2作用：形成一層鈍化層，保護(hù)芯片，增加亮度3.2.1前制程工藝流程?.MetalPhotoSiO2ITOPSS襯底外延層PRMetalPhoto(上膠、曝光、顯影)剖面圖PR：負(fù)膠，未光照區(qū)域光刻膠被顯影液去掉，留下電極蒸鍍區(qū)域3.2.1前制程工藝流程SiO2ITOPSS襯底外延層PRMetal蒸鍍Cr/AuSiO2ITOPSS襯底外延層光阻去除P電極N電極SiO2ITOPSS襯底外延層PR撕金SiO2ITOPSS襯底外延層PRMetal蒸鍍蝕刻SiO23.2.1前制程工藝流程ITOSubstrateN-GaNP-GaNCBLPRUVPRCBLITOSubstrateN-GaNP-GaNCBLPRUVPRITOSubstrateN-GaNP-GaNCBLITOSubstrateN-GaNP-GaNCBLITOSubstrateN-GaNP-GaNCBLITOSubstrateN-GaNP-GaNCBL前工藝CBL+ITO蒸鍍MESA+ITOETCHPASSIVATIONMetalPAD3.2.1前制程工藝流程利用蠟將晶片固定于陶瓷盤上。滴蠟放晶片陶瓷盤加壓，冷卻，固定使用設(shè)備:上臘機(jī)固定晶片研磨拋光劃片裂片點(diǎn)

測(cè)3.2.2中制程工藝流程

通過(guò)工作盤與研磨砂輪在一定壓力下的相對(duì)運(yùn)動(dòng)對(duì)加工表面進(jìn)行精整加工，將晶圓背部的GaN襯底減薄。使用設(shè)備:研磨機(jī)固好晶圓的陶瓷盤研磨砂輪3.2.2中制程工藝流程固定晶片研磨拋光劃片裂片點(diǎn)

測(cè)通過(guò)工作盤與銅盤在一定壓力下的相對(duì)運(yùn)動(dòng)及拋光液的作用下對(duì)粗磨表面進(jìn)行細(xì)整加工，增加晶圓背部的光潔度和平整度。銅盤陶瓷盤（有晶片一面朝下）壓重塊使用設(shè)備:拋光機(jī)3.2.2中制程工藝流程固定晶片研磨拋光劃片裂片點(diǎn)

測(cè)使用設(shè)備:激光劃片機(jī)激光劃片是利用高能激光束照射在晶粒與晶粒之間的切割道表面時(shí)釋放的能量來(lái)達(dá)到切割的目的，從而在晶圓上留下一定深度與寬度的劃痕。激光切割道3.2.2中制程工藝流程固定晶片研磨拋光劃片裂片點(diǎn)

測(cè)使用設(shè)備:劈裂機(jī)

劈裂機(jī)是利用劈刀沿晶圓的劃痕背面位置適當(dāng)力度的敲擊,使晶粒沿著劃痕完全裂開，從而變成單顆的晶粒。劈刀敲擊3.2.2中制程工藝流程固定晶片研磨拋光劃片裂片點(diǎn)

測(cè)拋光可以使背表面更光滑，切割裂片研磨拋光陶瓷盤晶片背面朝上AA0234YBBT18AA0234YBBT18AA0234YBBT18切割研磨研磨是減薄厚度的主要來(lái)源拋光從晶片背面劈裂，劈開后晶粒完全分開裂片激光切割后的切割線3.2.2中制程工藝流程切割裂片研磨拋光陶瓷盤晶片背面朝上AA0234YBBT18AA0234YBBT18AA0234YBBT18切割研磨拋光從晶片背面劈裂，劈開后晶粒完全分開通過(guò)研磨使襯底厚度從450μm減少至100μm拋光可以使背表面更光滑，并且可以減少內(nèi)應(yīng)力裂片激光切割后的切割線3.2.2中制程工藝流程載入晶圓測(cè)試掃描取出晶圓得出晶?？傤w數(shù)并對(duì)每顆晶粒給予坐標(biāo)定位測(cè)試出晶粒的光電特性使用設(shè)備:點(diǎn)測(cè)機(jī)利用高解析CCD、高速影像擷取卡，影像辨識(shí)定位軟件等功能以達(dá)到對(duì)晶圓上單顆晶粒精準(zhǔn)的對(duì)位，從而對(duì)其光電性進(jìn)行測(cè)試。3.2.2中制程工藝流程固定晶片研磨拋光劃片裂片點(diǎn)

測(cè)3.2.2中制程工藝流程電性名詞:VF1(V) Forwardvoltage,OperatedvoltageLED在特定電流操作下所需施加的順向直流電壓V2,3(V) Cut-involtage,Turn-onvoltageLED產(chǎn)生微小初始電流時(shí)所需施加的順向直流電壓IR(uA) Reversecurrent,LeakagecurrentLED在特定逆向電壓衝擊下所產(chǎn)生之逆向漏電流值VZ1(V) Reversevoltage,BreakdownvoltageLED在特定逆向電流衝擊下所產(chǎn)生之逆向崩潰電壓值Rs(ohm,VF2)SeriesresistanceLED在符合歐姆定律(V=I/R)操作範(fàn)圍下之串聯(lián)電阻波長(zhǎng):WP1 Peakwavelength LED發(fā)光頻譜函數(shù)關(guān)係中發(fā)生最大強(qiáng)度的波長(zhǎng)值WD1 Dominatewavelength LED發(fā)光頻譜經(jīng)CIE座標(biāo)轉(zhuǎn)換後在特定參考光源下所計(jì)算之波長(zhǎng)WX1,WY1 Colorcoordinates LED發(fā)光頻譜藉由匹配函數(shù)轉(zhuǎn)換成CIEDIAGRAM上的對(duì)應(yīng)座標(biāo)值Purity(%) Colorpurity LED色座標(biāo)參考光源座標(biāo)與主波長(zhǎng)座標(biāo)間的距離比例關(guān)係HW1 FWHMBW LED發(fā)光頻譜之半高波寬(最大強(qiáng)度一半時(shí)之頻潽寬度)光強(qiáng)度:Φe(mW)Radiantflux LED在特定操作電流下所有波長(zhǎng)波長(zhǎng)範(fàn)圍下幅射通量總合 Φv(lm) Luminousflux LED在特定操作電流下在可見光波長(zhǎng)範(fàn)圍內(nèi)光通量總合LOP1(mcd) Luminousintensity LED在特定操作電流下在單位視角內(nèi)所通過(guò)之光通量名詞定義分

選目檢3.2.3

后制程工藝流程3.2.3

后制程工藝流程分

選目檢第四章LED封裝4.6南通半導(dǎo)體封裝實(shí)驗(yàn)線4.1LED封裝概述4.2LED封裝工藝流程4.3LED封裝元件介紹4.4LED封裝關(guān)鍵技術(shù)4.5LED電性參數(shù)簡(jiǎn)介1.1LED芯片為什么要封裝LED芯片只是一塊很小的固體，兩個(gè)電極也只有在顯微鏡下才能觀察到，我們通過(guò)兩個(gè)電極給LED芯片加入電流之后才會(huì)發(fā)光。因此需要封裝焊線工藝將LED芯片的正、負(fù)電極引出，以便于對(duì)LED器件的通電操作。在封裝制作工藝上，除了要對(duì)LED芯片的兩個(gè)電極進(jìn)行焊接，從而引出正、負(fù)電極之外，同時(shí)還需要考慮對(duì)LED芯片以及兩個(gè)電極進(jìn)行保護(hù)。LED封裝即是將芯片與電極引線、支架和熒光粉等通過(guò)一定工藝技術(shù)結(jié)合在一起，使之成為可直接使用的發(fā)光器件的過(guò)程。4.1LED封裝概述1.2LED封裝的作用（1）實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的輸入;（2）保護(hù)LED芯片的正常工作;（3）輸出可見光的功能;（與普通半導(dǎo)體分離器件封裝的最大區(qū)別）

其中既有電參數(shù)又有光參數(shù)的設(shè)計(jì)及技術(shù)要求，是一個(gè)涉及到多學(xué)科的研究課題，需要對(duì)光、電、熱、結(jié)構(gòu)等性能統(tǒng)一考慮。4.1LED封裝概述1.3LED封裝方式的選擇

因?yàn)長(zhǎng)EDPN結(jié)區(qū)發(fā)出的光子是非定向的，即向各個(gè)方向發(fā)射有相同的幾率，因此并不是芯片產(chǎn)生的所有光都可以發(fā)射出來(lái)。能發(fā)射多少光，取決于半導(dǎo)體材料的質(zhì)量、芯片結(jié)構(gòu)、幾何形狀、封裝內(nèi)部材料與包裝材料。因此，對(duì)LED封裝，要根據(jù)LED芯片的大小、功率大小來(lái)選擇合適的封裝方式。4.1LED封裝概述1.3LED封裝方式的選擇常用的LED芯片封裝方式包括：（1）引腳式封裝（2）平面式封裝（3）表貼封裝（SMD）（4）食人魚封裝（5）功率型封裝引腳式封裝平面式封裝表貼式封裝食人魚封裝功率型封裝集成COB封裝4.1LED封裝概述1.4LED封裝元件的構(gòu)成金線保護(hù)膠熒光粉LED芯片固晶層支架(熱沉)芯片——亮度、可靠性支架——亮度、可靠性膠水——亮度、可靠性熒光粉——亮度、光色、可靠性金線——焊線工藝是封裝關(guān)鍵工藝材料及影響：芯片支架膠水金線熒光粉4.1LED封裝概述LED封裝主要工藝流程介紹（以SMDLED為例）固晶焊線點(diǎn)膠包裝分光烘烤剝料4.2LED封裝工藝流程2.1固晶固晶是先用點(diǎn)膠機(jī)在LED支架上點(diǎn)上銀膠/絕緣膠，然后用真空吸嘴將LED晶片吸起移動(dòng)位置，再安置在相應(yīng)的支架位置上。固晶機(jī)支架已擴(kuò)晶藍(lán)膜點(diǎn)固晶膠吸嘴:吸取晶片支架點(diǎn)固晶膠從藍(lán)膜吸取芯片，放置于固晶膠上。完成固晶動(dòng)作ChipChip吸嘴吸嘴4.2LED封裝工藝流程2.2焊線在壓力、熱量和超聲波能量的共同作用下，使金絲在芯片電極和外引線鍵合區(qū)之間形成良好的歐姆接觸，完成內(nèi)外引線的連接。4.2LED封裝工藝流程2.3點(diǎn)膠利用空壓、螺桿或噴墨方式將SiliconeorEpoxy膠定量流入膠杯中，點(diǎn)膠前的預(yù)烤動(dòng)作可以降低bublle。4.2LED封裝工藝流程2.4烘烤固晶后烘烤、點(diǎn)膠后烘烤開門烤箱階梯式烤箱4.2LED封裝工藝流程2.5分光分色測(cè)試LED的光電參數(shù)，根據(jù)客戶要求對(duì)LED產(chǎn)品進(jìn)行分選。分Bin項(xiàng)目亮度（LuminousIntensity，Iv）波長(zhǎng)（WaveLength，WL）順向電壓（ForwardVoltage，Vf）光色（CIEx/y）……振動(dòng)盤分光資料收集滿Bin元件光電測(cè)試4.2LED封裝工藝流程2.6包裝將LED封裝成品進(jìn)行計(jì)數(shù)包裝，一般需要防靜電包裝。4.2LED封裝工藝流程3.1LED封裝元件—直插式LED（Lamp）鋼盔子彈頭草帽蝴蝶Lamp圓頭內(nèi)凹平頭方形4.3LED封裝元件介紹3.1LED封裝元件—ChipLED一般統(tǒng)稱方法是以組件的長(zhǎng)度和寬度來(lái)稱呼。1.1206(120milLx60milW),>=3.2mmLx1.6mmW2.0805(80milLX50milW),>=2.0mmLx1.25mmW3.0603(60milLx30milW),>=1.6mmLx0.8mmW4.0402(40milLx20milW),>=1.0mmLx0.5mmW4.3LED封裝元件介紹3.1LED封裝元件—SMDLED

一般SMDLED器件長(zhǎng)度、寬度來(lái)命名。SMD3528(3.5*2.8*1.9mm)SMD3014(3.0*1.4*0.8mm)SMD4014(4.0*1.4*0.65mm)SMD5050(5.0*5.0*1.6mm)4.3LED封裝元件介紹3.1LED封裝元件—集成COBCOB是ChipOnBoard(板上芯片直裝)的英文縮寫，是一種通過(guò)粘膠劑或焊料將LED芯片直接粘貼到PCB板上，再通過(guò)引線鍵合實(shí)現(xiàn)芯片與PCB板間電互連的封裝技術(shù)。PCB板材料有以下幾種：1.低單價(jià)FR42.高導(dǎo)熱金屬銅基板或鋁基板3.燒結(jié)銀線路陶瓷基板功率：5W-7WRa:80光效：120lm/W用途：球泡燈，蠟燭燈等功率：80W-150WRa:70光效：100m/W用途：投光燈，路燈，工礦燈等功率：10W-30WRa:70光效：90lm/W用途：泛光燈，筒燈4.3LED封裝元件介紹3.2LED封裝元件主要應(yīng)用領(lǐng)域4.3LED封裝元件介紹3.2LED封裝元件主要應(yīng)用領(lǐng)域——小尺寸背光產(chǎn)品名稱產(chǎn)品尺寸圖片驅(qū)動(dòng)電流搭配芯片主要用途小尺寸背光LED0603白光1.6*0.8*0.3mm5mA/20mA07*09/8*12工業(yè)儀器儀表及黑白家電等背光1.6*0.8*0.7mm010白光3.8*1.0*0.4mm20mA10*16/09*28/

11*32/11*36移動(dòng)通訊終端機(jī)、可視電話、MP3、MP4、掌上電腦、GPS、DVD、照相機(jī)、數(shù)碼相框等背光020白光3.8*1.2*0.6mm20mA10*16/09*28/

11*32/11*364.3LED封裝元件介紹3.2LED封裝元件主要應(yīng)用領(lǐng)域——中尺寸背光產(chǎn)品名稱產(chǎn)品尺寸圖片驅(qū)動(dòng)電流搭配芯片主要用途中尺寸背光LED3014白光3.0*1.4*0.8mm20mA10*16/09*2410*23/9*28筆記本電腦、桌面顯示器、中小尺寸液晶電視背光等3020白光3.0*2.0*1.2mm20mA10*16/09*24

09*28/11*324014白光4.0*1.4*0.65mm60mA09*28/11*3212*28/14*284.3LED封裝元件介紹3.2LED封裝元件主要應(yīng)用領(lǐng)域——大尺寸背光產(chǎn)品名稱產(chǎn)品尺寸圖片驅(qū)動(dòng)電流搭配芯片主要用途大尺寸背光LED5630白光5.6*3.0*0.9mm120mA14*28/18*3522*35/23*45大尺寸液晶電視、網(wǎng)絡(luò)電視等背光7020白光7.0*2.0*0.8mm120mA14*28/18*3522*35/23*457030白光7.0*3.0*0.8mm120mA14*28/18*3522*35/23*454.3LED封裝元件介紹3.2LED封裝元件主要應(yīng)用領(lǐng)域——通用照明（1）產(chǎn)品名稱產(chǎn)品尺寸圖片驅(qū)動(dòng)電流搭配芯片主要用途通用照明3528白光3.5*2.8*1.9mm20-30mA8*12/10*1609*24/09*28室內(nèi)照明（LED日光燈）、柔性燈帶裝飾照明3014白光3.0*1.4*0.8mm30mA(帶熱沉)09*24/09*28室內(nèi)照明（LED日光燈）、柔性燈帶裝飾照明5050白光5.0*5.0*1.6mm20mA(三晶)8*12/10*16柔性燈帶裝飾照明4014白光4.0*1.4*0.65mm60mA11*32/14*28室內(nèi)照明（LED日光燈）,球泡燈,筒燈4.3LED封裝元件介紹3.2LED封裝元件主要應(yīng)用領(lǐng)域——通用照明（2）產(chǎn)品名稱產(chǎn)品尺寸圖片驅(qū)動(dòng)電流搭配芯片主要用途通用照明2835白光3.5*2.8*0.8mm60mA150mA11*32/14*2818*35/23*45室內(nèi)照明（LED日光燈）,球泡燈,筒燈5630白光5.6*3.0*0.9mm150mA14*28/18*3522*35/23*45室內(nèi)照明（LED日光燈）,球泡燈,筒燈1W大功率白光——350mA35*35/45*45路燈,射燈,工礦燈COB白光——30-100mA9*28/11*3214*28/23*45球泡燈、筒燈4.3LED封裝元件介紹3.3LED封裝元件應(yīng)用實(shí)例（1）—ChipLED系列4.3LED封裝元件介紹3.3LED封裝元件應(yīng)用實(shí)例（2）—Sideview系列4.3LED封裝元件介紹3.3LED封裝元件應(yīng)用實(shí)例（3）—TopLED系列4.3LED封裝元件介紹4.1應(yīng)用領(lǐng)域?qū)ED光源的要求（1）更高的發(fā)光效率（lm/W）（2）更好的光學(xué)特性（光指向性、色溫、顯色）（3）更高的可靠性（更低的失效率、更長(zhǎng)的壽命）（4）更低的光通量成本（lm/￥

）Metric2010201220152020CoolWhiteEfficacy（lm/W）134176224258WarmWhiteEfficacy（lm/W）96141202253Datasource:2011,DOERoadmap