電子顯微鏡第三章衍射花樣分析-4課件

1復(fù)雜電子衍射花樣

高階勞厄帶斑點(diǎn)超點(diǎn)陣衍射斑點(diǎn)菊池衍射花樣孿晶衍射花樣二次衍射花樣2一、高階勞厄帶斑點(diǎn)3當(dāng)晶體點(diǎn)陣常數(shù)較大（即倒易面間距較?。w試樣較?。吹挂c(diǎn)成桿狀）或入射束不嚴(yán)格平行于低指數(shù)晶帶軸時(shí)，加之Ewald球有曲率，導(dǎo)致球可同時(shí)與幾層相互平行的倒易面上的倒易桿相截，產(chǎn)生與之相應(yīng)的幾套衍射斑點(diǎn)重疊的衍射花樣.1.高階勞厄帶斑點(diǎn)的形成當(dāng)晶體點(diǎn)陣常數(shù)較大（即倒易面間距較小），導(dǎo)致球可同時(shí)與幾層相互平行的倒易面上的陣點(diǎn)相交，產(chǎn)生幾套衍射斑。56當(dāng)晶體試樣較薄時(shí)(即倒易點(diǎn)成桿狀)，Ewald球可能與幾層相平行的倒易面上的倒易桿相交，產(chǎn)生幾套衍射斑。6當(dāng)入射束不嚴(yán)格平行于晶帶軸時(shí)，Ewald球可能與幾層相平行的倒易面上相交，產(chǎn)生幾套衍射斑。7上一層倒易面0層倒易面[uvw]O*9辨認(rèn)和分析高階勞厄帶斑點(diǎn)的基本依據(jù)是高階區(qū)內(nèi)的斑點(diǎn)與零階區(qū)內(nèi)的斑點(diǎn)具有相同的排列規(guī)則，即陣點(diǎn)的特征平行四邊形相同，只是兩者有一個(gè)相對(duì)位移。103.高階勞厄帶斑點(diǎn)的指數(shù)化例：標(biāo)定一面心立方結(jié)構(gòu)樣品的電子衍射花樣11

測得RA＝RB＝10mm，RC＝14.1mm，RD＝22.4mm，RA2：RC2：RD2=4：8：20；

A，B點(diǎn)屬{200}，C屬于{220}，D屬于{420}；假定B點(diǎn)為（200），由夾角關(guān)系可得C點(diǎn)為（220），A點(diǎn)為（020）：由矢量關(guān)系可得E點(diǎn)為（-200）；由RB，RC確定晶帶軸[uvw]為[001]。1)標(biāo)定零階勞厄斑點(diǎn)的指數(shù)CBADEO13

OERS零階勞厄帶測得R1＝10mm，R2＝35.7mm，R3＝38.1mm，R12：R22：R32=4：51：59；

S屬于{711}，R屬于{731}；測得R1，R2間夾角為820；由夾角關(guān)系可得S點(diǎn)為（-1-71）；由矢量關(guān)系可得R點(diǎn)為（-371），T點(diǎn)（1-71）；晶帶軸[uvw]為[017]。RSTCBA（020）DE（200）（-200）（220）OR1R2R314高階勞厄斑點(diǎn)花樣用于物相鑒定(a)hcp(1-10)*倒易面(b)fcc(112)*倒易面(c)bcc(310)*倒易面15二、超點(diǎn)陣斑點(diǎn)AuCu0.75Cu0.25Au無序相有序相H,K,L奇偶混雜時(shí)，F(xiàn)=0H,K,L奇偶混雜時(shí)，F(xiàn)不等于002022000020002022020000001012011010021017三、孿晶花樣在凝固、相變和再結(jié)晶變形過程中，晶體內(nèi)的一部分相對(duì)于基體按一定的對(duì)稱關(guān)系成長，即形成孿晶。18鎳基合金中孿晶的衍射花樣19在較厚單晶體或兩相合金中常產(chǎn)生二次衍射:四、二次衍射花樣d1晶體Ⅰd2晶體ⅡOD3D2D1D1:一次衍射斑點(diǎn)D3:二次衍射斑點(diǎn)電子通過晶體時(shí)，產(chǎn)生的較強(qiáng)衍射線可以作為新的入射線，在晶體中再次產(chǎn)生衍射。兩相合金中的二次衍射21(a)(b)OD1OD2OD1D2(c)(d)兩相合金二次衍射示意圖d1晶體Ⅰd2晶體ⅡOD3D2D122五、菊池花樣花樣特點(diǎn):除規(guī)則斑點(diǎn)之外,還出現(xiàn)一些亮暗成對(duì)的平行線條。23菊池線是由經(jīng)過非彈性相干散射失去較少能量的電子隨后又受到彈性散射所產(chǎn)生的。菊池線花樣的產(chǎn)生及其幾何特征2526菊池花樣的重要之處在于：