
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文檔簡介
FEJ/T677—中子電本標(biāo)準(zhǔn)由核工業(yè)核儀器廠負(fù)責(zé)起草。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:、。 GB GB GB 輻射探測器環(huán)境試驗(yàn)基本要求與方法總則GB10263.2輻射探測器環(huán)境試驗(yàn)基本要求與方法溫度試驗(yàn)GB10263.3輻射探測器環(huán)境試驗(yàn)基本要求與方法潮濕試驗(yàn)GB10263.8輻射探測器環(huán)境試驗(yàn)基本要求與方法振動(dòng)試驗(yàn)GB10263.9輻射探測器環(huán)境試驗(yàn)基本要求與方法沖擊試驗(yàn)GB10263.10輻射探測器環(huán)境試驗(yàn)基本要求與方法包裝試坪斜在電離室坪特性曲線的坪區(qū),100V使用在規(guī)定范圍內(nèi)的輻射和環(huán)境條件下工作,探測器特性指標(biāo)超過規(guī)定容差時(shí)γ感應(yīng)度電離室在60Coγ源輻照下所產(chǎn)生的輸出信號電流,除以γ照射量率所得的 l l
下降到1×109Ω以下之一情況時(shí),即為終止。此時(shí)的累積中子注量為使用。合表1要求。振動(dòng)2h后,應(yīng)無零件脫落、松動(dòng)及機(jī)械損傷,絕緣電阻和電容應(yīng)符合表1要求。件)的試驗(yàn)后,應(yīng)無零件脫落、松動(dòng)及機(jī)械損傷,絕緣電阻和電容應(yīng)符合表1要求。b.在0~±1000V電壓范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào);c.噪聲紋波(峰—峰)不大于20mV;e.輸出電流不小于5mA 1無γ
2γ c.電容測試儀精度(或感應(yīng)量)不低于1pF。(Inr-IrrSr(InrIrr)/ f(InrIrr)/ 式中:Sr——γ感應(yīng)度,A·C- f按圖1或圖2連接好測量測電離室在γ伴生輻射可忽略和已知擾動(dòng)的穩(wěn)態(tài)中子(Inr-IrrSn(InIr)(InIr) In——中子室的輸出電流,AIr————中子注量率,n·cm-2·s-1iSniSni式中:σi——為某一節(jié)電離室靈敏度一致性偏差
Sni——為i節(jié)電離室平均中子靈敏度,A·n-按圖1或圖2連接好測量裝置。將被測電離室放在γ伴生輻射盡可能低的地方,以線性范必須測定輸出電流為飽和電流90%和110%時(shí)的電壓值Un09和Un11。Un的上限可以規(guī)定得低于能引起飽和電流增加10%的電壓值。3電離室的坪特性曲線坪長=Un11-Un0 坪斜
2(I11I09)I11I0
(Un11Un09
式中:I0990%飽和電流的輸出電流,A;1推薦工作電壓=Un09+3(Un11-Un0 電離室在反應(yīng)堆不同中子注量率照射下,測試其輸出電流In4關(guān)系曲線。式中:DI——線性偏差,%Ip——實(shí)測輸出電流值
DII ΔI——(It-Ip)為輸出電流差值,A圖 輸出電流In與中子注量率關(guān)系曲合效應(yīng)將趨嚴(yán)重,電離室坪區(qū)后移,實(shí)測輸出電流Ip值將逐漸減少,飽和電流I10與實(shí)測輸出電流Ip的差值也隨之增大,線性偏差DI5所示。因此,在測量范圍上限的中DI10Ip 圍上限1可按式(10)計(jì)算: 0.9 當(dāng)本底電流為實(shí)測輸出電流Ip的10%(即ΔI=10%Ip)時(shí),測量范圍下限2可按式(11)求0.9
5電離室的坪特性曲線1h。其試驗(yàn)要求GB10263.2—883.1條、3.34章、5章的規(guī)定執(zhí)行。當(dāng)溫度大于或等于100℃時(shí),應(yīng)按GB7164—87中4.5.3.2條執(zhí)行。只做耐預(yù)定頻率振動(dòng)試驗(yàn)。試驗(yàn)要求與方法按GB10263.8—883.1條、3.2條、4.1條、4.3.4條及第5章的規(guī)定執(zhí)行。 產(chǎn)品只做公路試驗(yàn)。試驗(yàn)要求與方法按GB10263.10—882.1條、2.3條、3.1條及第4章規(guī)定執(zhí)行。1電離室在工作條件下的性能指標(biāo)阻A·C-A·n-V%·s-壓范圍×≥或2a3)×≥×≥8×≥×≥×≥×≥電×≥5或2a3)離室的中子靈敏
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